来 源 ：内容 编译自 ZDNet 。 三星电子在第九代（V9）大容量 NAND 产品的商用化进程中遇到困难。原本计划在去年下半年宣 布首次量产，但目前因性能问题，正在进行设计和工艺层面的修正工作。随着 AI 产业的发展，大 容量 NAND 的需求不断增加，业界呼吁三星必须加快市场响应。 据 ZDNet Korea 9月16日报道，三星已将 V9 QLC NAND 的正式商用时间，至少推迟到明年上半 年。 V9 QLC 仍需改进…预计明年稳定并进行设备投资 三星的 V9 NAND 采用 280 层结构，去年 4 月开始首次量产，当时的产品基于 TLC（三比特单 元）结构，实现了 1Tb（太比特）容量。TLC 意味着每个存储单元可以存储 3bit 数据。 随后在去年 9 月，三星宣布启动 V9 QLC NAND 的量产。QLC 可以在单个单元中存储 4bit 数 据，相较 TLC 更有利于实现大容量存储器。 然而，据多位业内人士透露，三星在 V9 QLC NAND 商用化过程中遭遇了困难。早期产品因设计 问题出现性能下降的现象。 因此，三星目前正在推进 V9 QLC NAND 的设计和工艺优化，预计最早将在明年 ...