文章核心观点 - 关于美光科技是否会被排除在英伟达HBM4首批供应链之外，存在相互矛盾的观点 一种观点认为其因性能未达标而可能被排除，导致市场形成三星与SK海力士的双寡头格局[1] 另一种观点则认为英伟达为寻求供应商多元化，不太可能将美光排除在早期供应链之外[1][2] - 英伟达下一代AI加速器Vera Rubin将极大依赖HBM4，其单芯片HBM4使用量将是现有GPU的数十倍，这推动了英伟达与内存供应商的深度合作以确保性能、良率和稳定供应[2][3] - 三星电子与SK海力士在HBM4的出货时间、供应份额及技术领先性上存在竞争，但行业共识正转向关注长期的供应稳定性和产能扩张能力[4][5][6] HBM4供应链竞争格局 - 半导体分析公司SemiAnalysis的分析显示，美光可能因性能未达英伟达要求而被排除在首批HBM4供应商名单之外，预计SK海力士将占英伟达HBM4供应量的70%，三星电子占30%[1] - 若美光退出早期供应，HBM4市场将从预期的三方竞争变为三星与SK海力士的双寡头格局，这可能使两家公司在价格谈判中处于更有利地位[2] - 然而，瑞穗证券等观点认为，英伟达为寻求HBM4供应商多元化，将美光排除在供应链之外的可能性很低[1][2] - 关于供应份额存在不同说法：有消息称英伟达去年底初步分配份额为SK海力士50%、三星20%、美光20%；而SemiAnalysis的报告则称SK海力士占70%、三星占30%[5] 英伟达的深度参与与合作 - 英伟达近期开始招募高级内存工艺工程师，旨在提高HBM良率，并深度参与三星和SK海力士的生产流程[2] - 其合作目标是与供应商共享良率管理数据，共同识别并改进生产薄弱环节，以提升大规模生产下的性能稳定性和整体良率[3] - 这种密切合作对于提升数据中心自动测试设备及系统层面的性能、良率和可靠性至关重要[3] 供应商生产与出货计划 - 三星电子计划在农历新年假期结束后（本月第三周）开始为英伟达批量生产HBM4并出货[2][3] - SK海力士表示将在今年第一季度开始向客户供货，预计最迟下个月开始出货[3] - 两家公司正在协调HBM4出货计划，以配合英伟达预计在下个月GTC 2026技术大会上发布的下一代AI加速器“Vera Rubin”[4] 产能扩张计划 - 三星电子计划在其平泽工厂4号线新增一条1c DRAM生产线，目标在明年第一季度前实现月产能10万至12万片晶圆，以应对增长的HBM4需求[3][6] - SK海力士正加速量产用于HBM4的1b DRAM，并计划通过扩建清州M15x晶圆厂及改造M16晶圆厂来扩大产能，目标在年底前为M15x新增约每月4万片晶圆的产能[3][6] HBM技术发展与成本影响 - 三星电子采用垂直堆叠的“1c DRAM”技术生产HBM4，该技术领先于竞争对手，但因工艺更精细导致制造成本更高[2] - 由于近期HBM需求激增，HBM在GPU成本中的占比已升至40%，若今年HBM4供应量较小，该占比可能进一步超过40%[2] - 三星电子面临在与英伟达谈判中提高HBM4供应价格以抵消更高制造成本的压力[2] 下一代AI芯片与HBM需求 - 英伟达下一代AI超级芯片Vera Rubin将CPU“Vera”和GPU“Rubin”集成于单一系统，其推理性能较现有的Blackwell产品有显著提升[4] - Vera Rubin设计用于运行大规模AI模型，因此对超高带宽的HBM4几乎是必需品[4] - 该芯片单颗所采用的HBM4数量将是现有GPU的数十倍，凸显了HBM4的重要性[2]