化合物半导体市场概况 - 2019年全球化合物半导体市场规模为907亿美元，预计到2031年将达到3470亿美元，2022-2031年复合年增长率11.6% [2] - IV-IV族化合物半导体（如碳化硅、硅锗）主导市场增长，功率半导体领域为2021年收入贡献最大板块 [8][9] - 亚太和北美地区合计占据74.2%市场份额，其中化学气相沉积技术占比51.37% [9] 技术特性与驱动因素 - 化合物半导体热导率为硅器件的3倍，击穿电场强度达10倍，适用于高压场景如太阳能逆变器、风力涡轮机 [4] - LED技术需求增长、汽车行业应用趋势及电力电子需求扩张为核心驱动因素 [4][5] - GaN-on-SiC技术在5G基站中性能显著优于LDMOS，具备高频效率和小型化优势 [5] 市场细分结构 按类型 - III-V族（氮化镓、砷化镓等）、II-VI族（硒化镉、碲化镉等）、IV-IV族（碳化硅、硅锗）及其他（如砷化铝镓） [6] 按产品 - 功率半导体、晶体管（HEMT/MOSFET/MESFET）、集成电路（MMIC/RFIC）、二极管（PIN/肖特基/LED） [7] 按沉积技术 - 化学气相沉积（CVD）占23.5%，与分子束外延（MBE）合计占42.7%市场份额 [9] 按应用 - IT与电信（信号放大器/射频）为最大收入领域，其次为工业能源（风电系统）、汽车（电动汽车驱动）、消费电子（LED照明） [8] 主要参与者与竞争策略 - 关键企业包括英飞凌、三星电子、台积电、德州仪器等，通过产品发布、并购合作等方式扩张 [10]