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半导体产业链全链条共振
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长鑫科技、源杰科技、中微公司,集体发声
21世纪经济报道· 2026-10-26 17:44
文章核心观点 - 中国半导体景气并非单点爆发,而是从存储利润到光芯片盈利、再到设备订单的全链条共振 [1] - 长鑫科技预计前三季度归母净利润1310亿元至1325亿元,交出A股半导体历史上罕见的利润体量 [1] - 源杰科技第三季度实现净利润4.03亿元至4.53亿元,同比增加578.85%至659.70% [1] - 中微公司预计2026年全年新签订单金额将超过100亿元 [1] - 三家公司处在产业链不同位置,却指向同一个判断:中国半导体从盈利到份额、从份额到扩产、从扩产到设备订单实现多维度跃升 [1][12] DRAM供需缺口长期存在 - 长鑫科技预计前三季度实现营业收入约2650亿元至2700亿元,同比增加约2329亿元至2379亿元;净利润约1310亿元至1325亿元,同比扭亏为盈 [3] - 支撑该利润体量的是存储供需缺口的刚性,以及国产存储供给能力的实质性提升 [4] - AI产业对服务器端DRAM需求提升直接且迅速,长远来看端侧AI进步也将推动移动设备、个人电脑、智能汽车等领域对DRAM需求不断扩张 [4] - 单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8到10倍,每新增一台AI服务器都在以数倍强度消耗存储产能 [4] - 2026年服务器DRAM在整体DRAM需求中的占比预计将超过50%,DRAM正从配套元件变成决定AI算力效率的核心成本项 [4] - 存储产能建设周期已被拉长到两年以上,无尘室建设、设备交付、良率爬坡每个环节都需要时间,半导体设备上游零组件供应本身也处于紧张状态 [4] - 产能建设周期这一底层约束决定了本轮DRAM需求缺口难以被很快填充 [4] - 长鑫科技产能规模位居中国第一、全球第四,产品已进入阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、传音、OPPO、vivo等主流厂商供应链 [5][6] - 按Omdia数据测算,长鑫科技2025年第四季度全球DRAM市场份额约7.67%,2026年第二季度进一步提升 [6] - 我国是全球主要DRAM消费市场,本土产品自给率仍较低,未来发展空间广阔,是确定性最高的长期方向之一 [6] 国内激光器进入高端供应链 - 源杰科技预计第三季度实现营业收入6.5亿元至7亿元,同比增加264.56%至292.60%;净利润4.03亿元至4.53亿元,同比增加578.85%至659.70% [8] - 收入增长主要系数据中心业务收入增长:CW产品出货持续增长、需求旺盛,产品毛利率维持高位,费用占比同比明显下降 [8] - 源杰科技核心产品是半导体激光器芯片,是AI算力建设的核心部件,大模型训练与推理需要超大规模计算集群,光连接主要解决GPU算力卡之间的传输问题 [8] - 源杰科技当前主要出货数据中心用CW激光器(70mW、100mW)及100G EML产品,未来将面向NPO、CPO、更高速率可插拔模块等场景研发验证更大功率及更高速率的激光器产品 [8] - 目前光模块领域中国公司占据头部地位,但激光器芯片领域仍以美国、日本等海外企业为主导 [9] - AI需求爆发导致供需不平衡,为国产激光器公司提供了切入高端数据中心市场的机会窗口 [9] - 国内激光器公司在技术积累、制造工艺方面具备与国际头部公司竞争的能力,在产能扩张、产品迭代上具备优势,已进入高端数据中心供应链,开始向海内外销售CW、EML等激光器产品 [9] - 在最高速率的激光器产品上仍需花费时间进一步发展与追赶,行业存在多重进入壁垒,包括技术难度大、制造工艺需长期积累、客户认证周期长且黏性大、产能建设投资要求高等 [9] 先进制程推动刚性设备支出 - 中微公司上半年在手订单金额超180亿元,刻蚀设备、薄膜沉积设备等成熟产品订单饱满,交付周期已排至2027年上半年,预计2026年全年新签订单金额将超过100亿元 [11] - 存储需求放量首先体现为对设备的采购,半导体制造业资本开支七成以上投向设备,制程越先进设备占比越高 [11] - SEMI中国数据显示,晶圆厂投资中设备占70%至80% [11] - 每向前推进一个先进制程节点,单位产能的设备支出就要迈上一个台阶,3纳米节点每单位产能的投资较5纳米增加38%至55%,2纳米较3纳米再增加约50% [11] - 先进工艺开发往往是客户提出需求、提供场景,设备企业开发设备、调通工艺,双方在联合开发中共同成长,这种深度协同模式使设备企业更早介入客户路线图,需求更为平滑,越是先进的设备需求波动性反而越小 [11] - 中微公司宣布Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户 [12] - 芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能,高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一 [12] - 针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求,中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白 [12] - 中微公司已从单一刻蚀设备厂商稳步成长为综合半导体设备平台企业,累计开发出54种高端半导体设备 [12]