投资评级 - 报告对富创精密(688409)维持“买入”评级 [5][10] 核心观点 - 报告认为富创精密作为国内半导体设备精密零部件的领军企业，正积极把握半导体行业增长、先进制程国产化与国产替代加速的多重机遇 [3][10] - 公司当前利润出现阶段性承压，主要系持续加大关键资源、先进产能及人才储备等前瞻性投入所致，预计2025年归母净利润为-1,200万元到-600万元，扣非归母净利润为-6,000万元到-4,000万元 [3] - 随着南通、北京及新加坡基地产能逐步释放，叠加规模效应显现，公司边际成本有望降低，盈利水平有望提升 [3][10] - 公司已完成全球化产能布局，并新增聚焦先进制程的五大专项产品线，有望深度受益于零部件国产化趋势 [4][10] 公司基本情况与财务数据 - 公司最新收盘价为88.70元，总市值272亿元，市盈率为112.28，资产负债率为43.8% [2] - 公司预计2025/2026/2027年分别实现收入37.53/50.10/70.04亿元，归母净利润分别为-0.08/3.04/6.60亿元 [5][9] - 预计2025至2027年营业收入增长率分别为23.48%、33.49%、39.80%，归母净利润增长率在2025年承压后，2026年预计大幅增长3948.49% [9] - 截至报告期末，公司固定资产规模约49亿元，较2022年累计增长约35亿元；折旧费用较2022年增加约2.7亿元 [4] - 截至报告期末，公司研发费用约2.7亿元，较2022年增长约1.5亿元 [4] 业务发展与战略 - 公司已顺利完成沈阳、南通、北京及新加坡的国内外产能布局 [3][4] - 为把握先进制程迭代机遇，公司新增匀气盘、特殊涂层、加热盘、静电卡盘及阀门五大专项，全部聚焦先进制程，其中匀气盘、特殊涂层两条专线已完成客户验证并实现量产 [4] - 全球半导体发展趋势下，国内设备零部件行业迎来“双轮驱动”：海外头部晶圆厂资本开支重回扩张周期带动需求增长；国内下游客户加速供应链本土化，提升对国产零部件的需求 [10] 估值分析 - 报告参考A股半导体设备零部件可比公司（华亚智能、新莱应材、江丰电子、神工股份）进行相对估值分析，可比公司2025年一致预期PS均值为13.02倍 [10][11] - 基于中邮证券预测，富创精密2025/2026/2027年对应的PS分别为7.24倍、5.42倍、3.88倍 [11]

全球成熟制程芯片订单流向分析 - 截至2025年底至2026年初，全球高达70%的28nm及以上成熟制程芯片代工订单已高度集中流向中国工厂 [1] - 这一数据标志着全球半导体制造均衡格局被打破，中国从2023年仅占52%的订单份额，迅速攀升至领先地位，成为全球代工体系的核心枢纽 [1] 产业突破的背景与驱动因素 - 产业突破是在美国多轮严厉的半导体出口管制下实现的，美国采取“掐尖式”围堵策略，重点封锁高端AI芯片、14nm以下先进逻辑芯片及EUV光刻机等 [1] - 出于对全球供应链稳定与自身企业利益的权衡，美国放松了对成熟制程的管控，这为中国半导体企业留下了发展的黄金窗口 [1][2] - 成熟制程广泛应用于汽车电子、家用电器与工业控制等民生产业，市场需求庞大且技术门槛相对较低，全面封锁将导致全球供应链断裂 [1] 市场数据的精确解读与当前格局 - 70%的订单数据具有明确边界：仅限于28nm以上制程领域，在14nm以下先进制程，台积电依然以超过70%的占有率稳坐龙头，中芯国际等本土企业份额仍不足 [2] - 数据主要代表代工订单分配，而非国产芯片在全球市场的最终占比，国产芯片整体的全球占有率约在25%至30%之间 [2] - 当前格局呈现出“成熟强势、高端薄弱”的特征，在半导体设备、高阶光阻剂等核心材料领域，国产化率依然有待提升 [2] 成熟制程的重要性与中国竞争优势 - 根据SEMI资料，全球晶圆出货量中有超过65%集中在28nm以上节点，且预计未来五年内将维持稳定 [2] - 产能规模是核心竞争力：预计到2027年，中国大陆在成熟制程的月产能将达到全球的39%，扩张速度远超世界其他地区 [2] - 中国境内已投产的成熟制程晶圆厂超过40座，产能总量跻身世界前列，且布局多元化，生产良率已达到国际先进水平 [3] - 性价比红利显著：中国成熟制程的制造成本比国外低约30%至40% [3] - 成本优势得益于设备与材料国产化比例攀升、工程师红利带来的人力成本竞争力，以及完善的产业群聚效应降低隐形成本 [3] - 以中芯国际为例，其28nm制程良率已稳定在98%左右，与国际顶尖水准差距微乎其微，高良率与低成本结合构建了竞争屏障 [3] 产业影响与未来展望 - 全球七成成熟制程订单流向中国，意味着中国已在半导体产业的基础盘中站稳脚跟 [4] - 成熟制程所带来的稳定现金流与庞大产业规模，正在为未来的技术突破积蓄力量，尽管在先进制程领域仍处于追赶阶段 [4]

全球存储产业权力更替与日本半导体战略转向 - 过去三十年，全球存储产业版图完成权力更替，日本从20世纪80-90年代垄断DRAM市场，到21世纪王座被韩国厂商夺走，如今在AI算力核心器件HBM上基本缺席[1] - 在1980年代中后期，日本厂商一度占据全球DRAM市场**50%以上**份额[3] - 进入AI时代后，韩国厂商凭借在DRAM堆叠、封装、良率控制方面的深厚经验，迅速占据HBM主导地位，坐享AI红利，产业话语权进一步集中[12][13] 日本DRAM产业的崛起模式 - 日本通过政府主导的国家级半导体联合研发计划（如VLSI项目）、企业间共享基础工艺成果、产学研协同，催生出NEC、东芝、日立、富士通等一批在工艺、材料、设备、制造管理上极为成熟的公司[2] - 日本模式的核心特征是**工艺导向**（强调制程细节、可靠性与长期良率稳定）、**制造纪律**（极端重视良率爬坡速度、设备稳定性）和**产业协同**（国内产业链高度黏合）[4][5][6] - 在那个阶段，DRAM的竞争本质是更快、更稳定地把工艺做到量产良率，日本对此具有天然优势[7] 日本失去DRAM王座的原因 - 1990年代日本经济泡沫破裂，企业进入长期资产负债表修复期，资本开支趋于保守[8] - DRAM行业发生结构性变化，成为高资本开支、高周期波动、低毛利容忍度的重资产行业，这与日本企业追求稳健回报、难以接受长期亏损换规模的“盈利性制造”模式相悖[9] - 美国对日本半导体实施贸易限制，进一步削弱了其扩张能力，导致日本厂商在1990年代逐步退出DRAM主战场，将资源转向逻辑芯片、MCU、功率器件、传感器等领域[9] - 韩国以三星为代表，在国家战略支持下，能够接受长期亏损周期，用激进资本投入换规模，以市占率优先，最终通过逆周期扩产和价格战淘汰对手[9][10] - 到2010年代中期，全球DRAM市场已成为三星和SK海力士的天下[11] 日本在AI时代存储领域的反击 - 软银旗下子公司**SAIMEMORY**于2026年2月浮出水面，并与英特尔签署合作协议，以推进**Z-Angle Memory (ZAM)** 的商业化[15][16] - ZAM是一种沿垂直方向（Z轴）进行轴向堆叠的真正3D结构内存，理论优势包括更短的数据通路、更均匀的热扩散路径、更高的可扩展层数、更低单位带宽功耗[16] - 当前主流HBM结构（平面Die堆叠）由于功率和散热限制，**16层已接近极限**，预计最大层数在**20层**左右[16] - SAIMEMORY将利用英特尔在美国能源部“先进存储技术（AMT）计划”中完成的“下一代 DRAM 键合（NGDB）”底层技术，计划在**2027财年**开发出原型产品，并争取在**2029财年**实现商业化[17][18] - 软银在**2027财年原型机完成前**将投入约**30亿日元**，这是一笔期权型投资，旨在押注可能跳过HBM世代的新型内存路线，为AI基础设施准备“自有内存”[18] - 内存市场存在窗口期，据TrendForce数据，**2026年**全球生产的内存中约**70%** 将被数据中心消耗，三星与SK海力士均警告短缺可能持续到**2027年**[18] 日本半导体的整体战略转向 - 日本产业界形成共识，不再追求复制80-90年代的半导体霸权，而是转向确保在若干决定未来走向的关键技术节点上拥有席位[19] - **先进逻辑制程**：通过国家能力型公司**Rapidus**专攻**2nm**先进制程，旨在获得“技术落脚点”，避免在最先进逻辑芯片制造领域完全缺席[19] - **代工制造**：通过巨额补贴成功引入台积电在熊本建设JASM一厂（成熟/中阶制程）及二厂（将引入**6/7nm**先进制程），以保障供应链安全并让本土设备和材料厂商与顶尖代工流程贴合[20] - **先进封装**：英特尔与日本**14家**主要供应商组建“SATAS”研究小组，共同开发后端封装技术，日本在光刻胶、封装基板、切片设备等细分领域拥有垄断性优势[20] - **AI加速器**：日本企业态度克制，未正面挑战NVIDIA，已形成一个由老牌巨头转型、实验室孵化及垂直领域初创公司构成的AI芯片矩阵[20] 日本AI芯片领域的代表性企业 - **PFN**：日本估值最高的AI初创公司，核心产品为**MN-Core**系列处理器，专为深度学习矩阵计算量身定做[21][23] - MN-Core架构大量集成用于矩阵运算的单元（MAU），采用SIMD思路，组织成“矩阵运算块（MAB）”，非常适合神经网络中大规模、规则化的矩阵计算任务[23] - PFN于**2026年**开始部署其最新一代**MN-Core L1000**，并与世嘉等公司合作，将AI芯片能力从HPC扩展到更广泛的工业和游戏渲染领域[21] - **EdgeCortix**：专注于边缘AI推理芯片，其**SAKURA-II**系列AI协处理器采用DNA架构，典型功耗仅为**8W**，已于**2026年1月**通过NASA抗辐射测试，可用于太空任务[26] - 日本老牌芯片巨头如**索尼**（深耕视觉AI芯片）、**瑞萨**（稳固车载AI MPU）、**富士通**（拓展高性能AI计算芯片）正试图在AI的细分垂直领域构筑新壁垒[28] 日本半导体战略的总结 - 日本采取了一套更冷静、更现实的路线：在先进逻辑制程上保住起点；在先进封装上掌握形态；在AI芯片上进入系统；在存储领域押注架构跃迁[30] - 日本不再试图在DRAM产能规模上复制韩国成功，也不再幻想在通用GPU赛道正面挑战NVIDIA[30] - 日本正在对自身产业命运进行再下注，并已重新坐回全球半导体竞争的牌桌[29][31]

全球存储产业权力更迭与日本半导体战略转向 - 过去三十年，全球存储产业版图完成权力更替，日本从20世纪80-90年代垄断DRAM市场，到21世纪被韩国厂商取代，并在当前AI时代的HBM市场中基本缺席 [2] - 20世纪80年代中后期，日本厂商一度占据全球DRAM市场50%以上份额，其模式核心是工艺导向、制造纪律和产业协同 [3][4] - 日本在1990年代失去DRAM王座，原因包括经济泡沫破裂导致资本开支保守，行业转向高资本开支、高周期波动和低毛利容忍度，以及美国贸易限制，日本厂商随后转向逻辑芯片、MCU、功率器件等领域 [5] - 韩国后来居上，依靠国家战略支持、财阀集团绑定，以及接受长期亏损以市占率优先的策略，三星在1997年亚洲金融危机后逆周期扩产，通过价格战淘汰对手，最终与SK海力士主导全球DRAM市场 [6] - 在AI时代，HBM成为关键器件，韩国厂商凭借在DRAM堆叠、封装、良率控制方面的深厚经验迅速占据主导地位，日本则在产品层面基本缺席 [6][7] SAIMEMORY与日本在存储领域的反击 - 一家名为SAIMEMORY的内存公司于2026年2月初浮出水面，该公司成立于2024年12月，2025年6月开始运营，是软银旗下子公司 [9] - 2026年2月3日，软银宣布其全资子公司SAIMEMORY与英特尔签署合作协议，以推进Z-Angle Memory的商业化，这是一种沿垂直方向（Z轴）进行轴向堆叠的真正3D结构内存尝试 [9][10] - ZAM相比当前主流2.5D堆叠的HBM，理论优势包括更短的数据通路、更均匀的热扩散路径、更高的可扩展层数、更低单位带宽功耗，旨在突破当前HBM约16层接近极限的瓶颈 [10] - 英特尔在该项目中的关键贡献来自下一代DRAM键合技术，该项目基于美国能源部支持的先进存储技术计划，SAIMEMORY计划在2027财年开发出原型产品，并争取在2029财年实现商业化 [10] - 软银为此项目在2027财年原型机完成前投入约30亿日元，这是一笔期权型投资，旨在押注可能跳过HBM世代的新型内存路线，为AI基础设施准备自有内存 [11] - 内存市场存在窗口期，TrendForce数据显示2026年全球生产的内存中约70%将被数据中心消耗，三星与SK海力士均警告短缺可能持续到2027年，为ZAM等新技术提供了商业生存空间 [11] 日本半导体产业的整体战略布局 - 日本半导体战略从追求做大做全，转向确保在若干决定未来走向的关键技术节点上拥有席位 [11] - 在先进逻辑制程领域，Rapidus作为一家国家能力型公司专攻2nm先进制程，旨在避免日本在最先进逻辑芯片制造领域完全没有技术落脚点，其股东阵容横跨多个行业，并与IBM、ASML合作 [12] - 在代工领域，日本通过巨额补贴成功引入台积电在熊本建设JASM一厂及二厂，一厂已开业，二厂将引入6/7nm先进制程，以实现本土化制造并保障供应链安全 [12] - 在先进封装方面，英特尔与日本14家主要供应商组建了名为SATAS的研究小组，共同开发后端封装技术，日本在光刻胶、封装基板和切片设备等细分领域拥有垄断性优势 [13] - 日本在AI加速器领域态度克制，未挑战通用GPU，而是形成了一个由老牌巨头转型、顶尖实验室孵化及垂直领域初创公司构成的AI芯片矩阵 [14] 日本AI芯片领域的主要参与者与技术 - PFN是日本目前估值最高的AI初创公司，已研发两代MN-Core处理器，2026年开始部署其最新一代MN-Core L1000，并与世嘉等公司合作扩展应用领域 [14] - MN-Core是为深度学习矩阵计算量身定做的芯片架构，采用SIMD思路，硬件中大量集成专门用于矩阵运算的单元，组织成矩阵运算块，适合大规模、规则化的矩阵计算任务 [16] - EdgeCortix是一家专注于边缘AI推理芯片的公司，其核心产品SAKURA-II系列AI协处理器采用DNA架构，2026年1月通过NASA抗辐射测试，典型功耗仅为8W [18][19] - 日本AI泰斗松尾丰教授的实验室孵化了一批初创公司，如EQUES，正通过AI-SoC形式将特定算法固化在芯片中 [22] - 日本老牌芯片巨头正通过精准卡位实现战略转型：索尼凭借传感器优势深耕视觉AI芯片；瑞萨通过车载AI MPU稳固汽车半导体版图；富士通则依托超级计算机基因拓展高性能AI计算芯片 [22]

公司核心业务与产品矩阵 - 公司主要围绕等离子体工艺打造产品矩阵 自研产品包括等离子体射频电源系统（等离子体射频电源及匹配器）、等离子体激发装置（远程等离子体源、射频离子源）、等离子体直流电源、配件（滤波器、阻抗调整器等）[1] - 公司引进产品主要包括真空获得和流体控制分别所需的真空泵、质量流量计等核心零部件 同时还为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修等技术服务[1] - 公司已构建了完善的技术体系 从测量、控制到架构形成了3大基石技术及8大产品化支撑技术 涵盖信号采样及处理、相位锁定、同步控制、快速调频、脉冲控制等等离子体射频电源系统运行中的关键技术[1] 产品技术迭代与市场地位 - 历经十年 公司先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列 成功打破了美系两大巨头长达数十年在国内的垄断格局[1] - 公司自主研发的第二代产品Bestda系列可支撑28纳米制程 第三代产品Aspen系列可支撑先进制程 达到国际先进水平 填补国内空白[1] - 公司研发的最新一代等离子体射频电源系统Cedar系列产品 锚定更先进制程前沿领域 目前处于验证阶段[1]

公司观点：先进制程驱动CMP抛光液需求复合增长 - 先进制程的发展对CMP抛光液的需求是由“步骤增加”与“技术迭代”共同驱动的复合型增长 [1] - 在先进制程发展过程中，CMP需求是抛光液用量与产品价值提升协同作用的结果 [1] 需求驱动因素一：工艺步骤增加 - 逻辑芯片先进制程发展带来多层布线数量及密度的增加，导致CMP工艺步骤增多，从而拉动抛光液用量 [1] - 存储芯片向3D NAND演进显著增加堆叠层数，同样使得CMP工艺步骤增多，拉动抛光液用量 [1] 需求驱动因素二：技术迭代与产品升级 - 先进制程对抛光新材料的要求，是推动产品附加值持续提升的内在动力 [1] - 制造端对效率提升的需求，是推动产品附加值持续提升的内在动力 [1]

文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、国产替代深化与全球产能扩张三重因素驱动的确定性增长周期，行业从“传统周期股”向“新质生产力核心标的”价值重构，将进入3-5年的高增长周期 [1][14] 01 半导体设备为何持续“吸金” - **AI驱动存储需求激增**：生成式AI规模化应用重构存储需求，AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [2] - **HBM成为核心增长引擎**：预计2024-2030年全球HBM市场收入年复合增长率达33%，到2030年其在DRAM市场份额将攀升至50% [2] - **全球存储大厂加码扩产**：三星2025年资本开支同比激增89%，SK海力士将全年资本开支上调至203亿美元，国内长鑫存储IPO计划募资295亿元攻坚DDR5和HBM [2] - **设备成为扩产最先受益环节**：3D NAND向1000层堆叠技术演进及DRAM制程结构升级为设备行业打开增量空间 [2] - **行业龙头业绩与订单印证高景气**：ASML 2025年全年净销售额327亿欧元同比增长16%，未交付订单达388亿欧元（其中EUV占255亿欧元），新增订单132亿欧元（EUV占74亿欧元），订单已排至2027年 [1][5] 国产设备厂商的“虎口夺食”契机 - **国产化率快速提升**：2024年中国半导体设备国产化率达35%，较2022年的16.4%实现翻倍，其中刻蚀设备国产化率23%、CMP设备达30%-40% [3] - **中国为全球最大设备市场**：中国大陆已连续五年稳居全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.4亿美元，占全球市场份额的42.34% [3] - **形成良性循环**：国内晶圆厂持续扩产为国产设备提供了量产验证场景，形成“技术突破-量产落地-份额提升”的良性循环 [3] 全球扩产潮与行业长期展望 - **全球资本开支持续增长**：据预测，2026年全球DRAM产业资本开支将达613亿美元同比增长14%，NAND Flash资本开支达222亿美元同比增长5% [5] - **行业规模长期增长**：2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，预计2025-2033年行业年复合增长率为8.4%，到2033年市场规模将增至2249.3亿美元 [5] 02 核心赛道：这些环节“闷声赚大钱” - **刻蚀设备（前道核心）**：占据前道设备市场22%份额，2025年国内市场规模达486.7亿元，全球由泛林集团、应用材料主导，国产厂商中微公司、北方华创已实现关键突破 [7] - **薄膜沉积设备（前道核心）**：全球市场规模达126.8亿美元，国内拓荆科技PECVD设备实现成熟制程全覆盖，北方华创构建PVD、CVD、ALD全系列产品布局 [7] - **测试与封装设备**：持续受益于先进制程推广与产能扩张，长川科技、华峰测控测试设备覆盖多领域，Chiplet、3D封装等先进封装技术将提升封装设备价值量与技术门槛 [7] - **核心材料与零部件国产化提速**：2024年半导体设备核心零部件国产化率从10%提升至20%，安集科技CMP抛光液全球市占率达15%，鼎龙股份抛光垫突破海外垄断 [8] 03 2026展望：3大趋势锁定未来机会 - **先进制程竞赛深化，拉动高端设备需求**：全球巨头攻坚2nm及以下先进制程，中芯国际推进GAAFET研发，华虹半导体布局BCD-SOI工艺，拉动国产高端设备验证与导入 [10][11] - **政策与资本双轮驱动国产替代向高端延伸**：“十五五”规划聚焦集成电路关键核心技术攻关，地方对设备企业研发投入给予最高20%补贴，2020-2025年半导体设备领域累计发生359笔融资，2025年融资66起同比增长3.1%，其中A+轮融资增幅达300% [12] - **需求结构优化，新兴领域与海外市场双破局**：AI算力中心、新能源汽车、工业控制等新兴领域需求旺盛，HBM、3D NAND、功率半导体相关设备需求增速领先，国内设备企业如北方华创、中微公司凭借性价比优势加速拓展海外市场，形成“国内+海外”双轮驱动格局 [13]

文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、国产替代深化与全球产能扩张三重因素驱动的确定性增长周期，行业从“传统周期股”向“新质生产力核心标的”价值重构，将进入3-5年的高增长周期 [1][16] 行业整体表现与驱动因素 - **全球龙头业绩亮眼**：ASML 2025年全年净销售额327亿欧元，同比增长16%，未交付订单达388亿欧元（其中EUV光刻机订单255亿欧元）；三星半导体业务带动营业利润增长33%；SK海力士Q4营业利润同比增长137% [1] - **国内企业表现抢眼**：金海通、长川科技等国内半导体设备企业均发布了业绩大幅预增的公告 [1] - **AI驱动存储需求激增**：AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [3] - **HBM成为核心增长引擎**：预计2024-2030年全球HBM市场收入年复合增长率达33%，到2030年其在DRAM市场份额将攀升至50% [3] - **全球存储大厂加码扩产**：三星2025年资本开支同比激增89%；SK海力士将全年资本开支上调至203亿美元；国内长鑫存储IPO计划募资295亿元，重点攻坚DDR5和HBM [3] - **技术演进打开增量空间**：3D NAND向1000层堆叠技术演进以及DRAM制程的结构升级，为设备行业打开增量空间 [3] - **全球市场持续扩张**：TrendForce预测，2026年全球DRAM产业资本开支将达613亿美元，同比增长14%；NAND Flash资本开支达222亿美元，同比增长5% [6] - **行业长期增长确定性强**：2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，预计2025-2033年行业年复合增长率为8.4%，到2033年市场规模将增至2249.3亿美元 [6] 国产替代进程与市场地位 - **国产化率快速提升**：2024年中国半导体设备国产化率达35%，较2022年的16.4%实现翻倍；其中刻蚀设备国产化率23%、CMP设备达30%-40% [4] - **中国为全球最大设备市场**：中国大陆已连续五年稳居全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.4亿美元，占全球市场份额的42.34% [4] - **形成良性循环**：国内晶圆厂持续扩产为国产设备提供了充足的量产验证场景，形成“技术突破-量产落地-份额提升”的良性循环 [4] - **零部件国产化同步提速**：2024年半导体设备核心零部件国产化率从10%提升至20%；安集科技CMP抛光液全球市占率达15%；鼎龙股份抛光垫成功突破海外垄断 [9] 核心细分赛道与产业链环节 - **刻蚀设备（前道核心）**：占据前道设备市场22%份额，2025年国内市场规模达486.7亿元；全球市场由泛林集团、应用材料主导；国产厂商中微公司、北方华创已实现关键突破 [8] - **薄膜沉积设备（前道核心）**：全球市场规模达126.8亿美元；国内拓荆科技PECVD设备实现成熟制程全覆盖；北方华创已构建PVD、CVD、ALD全系列产品布局 [8] - **测试与封装设备**：持续受益于先进制程推广与产能扩张；长川科技、华峰测控测试设备覆盖多领域；Chiplet、3D封装等先进封装技术普及将提升封装设备价值量与技术门槛 [8] 未来发展趋势与机遇 - **先进制程竞赛深化**：全球巨头开启2nm及以下先进制程攻坚，直接拉动高端设备需求；中芯国际推进GAAFET研发，华虹半导体布局BCD-SOI工艺，拉动国产高端设备验证与导入 [12] - **政策与资本双轮驱动**：“十五五”规划聚焦集成电路关键核心技术攻关；地方对设备企业研发投入给予最高20%补贴；2020-2025年中国半导体设备领域累计发生359笔融资事件，2025年融资66起同比增长3.1%，其中A+轮融资增幅达300% [13] - **需求结构优化与市场双破局**：AI算力中心、新能源汽车、工业控制等新兴领域需求旺盛，HBM、3D NAND、功率半导体相关设备需求增速领先；国内设备企业如北方华创、中微公司凭借性价比与快速响应优势加速拓展海外市场，形成“国内+海外”双轮驱动格局 [14]

报告行业投资评级 - 投资评级：看好（维持） [1] 报告的核心观点 - AI相关芯片需求旺盛，推动晶圆代工龙头业绩持续高增 [3] - 全球先进制程扩产进度加快 [3] - 国内企业亟需加快追赶步伐 [3] - 未雨绸缪储备关键设备，扩产前景乐观 [3] - 投资建议关注北方华创、中微公司、江丰电子、精测电子、拓荆科技、中科飞测、华海清科、芯源微等半导体领域企业 [3] 根据相关目录分别进行总结 1 全球先进制程晶圆代工有望加速发展 - 在全球人工智能投资持续扩张的背景下，AI算力芯片需求强劲，拉动先进制程晶圆代工产能维持高位运行，推动晶圆代工市场规模进一步增长 [6] - 2025年第四季度，台积电营收达1.05万亿新台币，同比增长20.45%，创下单季历史新高 [3][6] - 据P&S intelligence估计，全球晶圆代工市场2024年的市场规模为1556亿美元，预计2032年将增长至2683亿美元 [6] - 台积电预测，其2024至2029年来自AI加速器领域的营收，年复合增长率(CAGR)接近50%左右 [6] 1.1 AI算力芯片需求推动晶圆代工产业走向繁荣新高度 - 人工智能领域广泛使用的GPU芯片物理面积更大，导致单个晶圆上可切割出的芯片数量减少，且制程工艺更复杂、良率相对较低，因此需要占用更多的先进制程产能才能满足产量需求 [8] - 为满足不断增长的需求，台积电已将用于产能扩张的预计资本支出金额，从2025年的409亿美元，上调至2026年的520-560亿美元 [3][8] - 台积电的产能瓶颈为三星、英特尔、中国大陆晶圆代工企业带来了潜在机遇 [8] 1.2 中国大陆：成熟制程稳步发展，先进制程仍存在较大空间 - 中国大陆晶圆代工产业起步相对较晚，为应对国内持续增长的芯片需求并保障供应链安全，行业进行了大规模产能投资，推动成熟制程产能实现较快扩张 [9] - 受美国等西方国家在材料、设备、零部件等方面的出口限制与技术封锁，中国大陆在先进制程领域的产能扩张与技术研发面临明显阻力，发展进程受限 [9] - 2021年，中国大陆在全球先进制程晶圆代工市场中的份额仅为5% [11] 1.3 半导体设备进口高增长：先进制程扩产加速的信号 - 为应对技术封锁并为国产设备研发争取时间窗口，国内晶圆厂采取了积极的设备储备策略 [12] - 2025年，中国大陆半导体设备进口额创下历史新高，达到3602.8亿元 [3][12][13] - 2025年，中国大陆进口的两类关键光学半导体设备金额约760亿元 [12] - 2025年，全球光刻机龙头厂商阿斯麦（ASML）在光刻系统业务上实现收入244.74亿欧元，其中来自中国大陆市场的贡献占比达33% [3][12] - 充足的光刻机及其他半导体设备储备，有望在未来数年为国内晶圆厂的持续扩产提供有力支持 [12] - 中芯国际于2025年拟以发行人民币股份方式收购中芯北方集成电路制造（北京）有限公司49%股权，最终交易对价为人民币406.0091亿元 [14] - 2025年12月31日，华虹半导体有限公司计划通过发行股份方式，购买上海华力微电子有限公司97.4988%股权，标的资产评估值为84.8亿元，增值率为323.59%，交易价格为82.68亿元，并拟募集配套资金约75.56亿元 [14] - 随着国内半导体设备采购、储备与主要晶圆代工企业股权结构优化的持续推进，未来国内先进制程的研发进程和产能扩建有望进一步提速 [15] 全球先进制程扩产趋势 - 据SEMI预测，全球7纳米及以下的先进逻辑制程产能将从2024年约每月85万片，增长至2028年的每月140万片 [3]

市场表现与流动性 - 截至2026年1月30日14:07，上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.81%，成分股中华峰测控上涨16.16%，耐科装备上涨7.65%，华海诚科上涨5.98%，兴福电子上涨4.95%，富创精密上涨3.17% [1] - 跟踪该指数的科创半导体ETF（588170）上涨0.61%，最新价报1.82元，盘中换手率达10.68%，成交额8.91亿元，市场交投活跃 [1] - 截至2026年1月30日14:08，中证半导体材料设备主题指数上涨0.64%，成分股中华峰测控上涨15.5%，珂玛科技上涨6.43%，华海诚科上涨6.27%，富创精密上涨3.45%，中晶科技上涨3.41% [1] - 跟踪该指数的半导体设备ETF华夏（562590）上涨0.46%，最新价报1.95元，盘中换手率为6.34%，成交额1.88亿元 [1] 行业需求与驱动因素 - 苹果公司2025年12月底的第一财季营收和盈利创纪录新高，新兴市场尤其是中国和印度的增长对整体业绩贡献显著 [2] - 苹果CEO库克指出，内存市场供需不平衡加剧，供应链限制特别是先进制程芯片供应紧缺，可能影响未来硬件业务的供应和成本 [2] - 随着制程节点向先进化演进，芯片线宽缩小、结构复杂度提升，制造过程对外来污染的容忍度大幅下降，对电子化学品的纯度、稳定性和一致性提出更高要求 [3] - 先进制程要求电子化学品具备超低金属杂质、极低颗粒水平及批次间性能稳定，使其从通用消耗品转变为影响工艺稳定性和量产能力的关键材料 [3] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性 [3] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮以及光刻机技术进展 [3] 行业竞争格局与供应商要求 - 随着先进制程推进，对电子化学品供应商的综合能力提出更高要求，只有具备技术实力、规模优势和长期客户合作基础的头部供应商，才能持续满足需求并获得核心订单 [3] - 行业竞争格局有望向头部集中 [3] 相关投资产品概况 - 科创半导体ETF（588170）及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，该指数囊括科创板中半导体设备（占比60%）和半导体材料（占比25%）细分领域的硬科技公司 [3] - 半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金跟踪的指数中，半导体设备（占比63%）和半导体材料（占比24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游产业链 [4]