行业投资评级 * 报告标题明确显示对AI DRAM行业的投资评级为“需求旺盛，行业供需紧张有望延续”，这构成了报告的积极基调 [1] 核心观点 * AI记忆（Memory）正成为支撑AI模型上下文连续性、个性化与历史信息复用的底层能力，其价值正从“费用项”转变为“资产项”，相关上游基础设施的价值量和重要性将不断提升 [3][23] * AI驱动的DRAM需求旺盛，但新增产能释放节奏偏慢，导致行业在2026年将呈现需求快速上行、供给释放滞后的结构性错配格局，供给紧张态势有望持续 [3] 单GPU对应的DRAM存储容量与产能需求分析 * **存储容量显著提升**：随着GPU架构迭代，单GPU配套的HBM与CPU DRAM容量均呈现显著上升趋势。例如，B200、B300、Rubin、Rubin Ultra单GPU对应的HBM容量分别为192GB、288GB、288GB和1024GB；对应的CPU DRAM容量分别为242GB、242GB、768GB和1536GB [3][11][12] * **产能消耗成倍增长**：由于采用TSV堆叠等先进工艺，HBM每bit所消耗的晶圆产能约为传统CPU DRAM的3倍。因此，B200、B300、Rubin、Rubin Ultra单GPU对应的等效DRAM产能消耗分别提升至818GB、1106GB、1632GB和4608GB，分别较前代增长20%、35%、48%、171%，呈现明显的代际跃升趋势 [3] 行业供需格局分析 * **需求端高速增长**：AI服务器用DRAM成为下游最大增量应用环节。预计2026年DRAM需求增速为26%。敏感性测算显示，若VR200 GPU出货量达1400万颗，对应DRAM容量需求约14.78EB [3][18][20] * **供给端释放滞后**：DRAM行业资本开支预计由2025年的537亿美元增至2026年的613亿美元，同比增长约14%，但新增产能集中在2027年及以后释放。例如，三星P4L工厂预计2026年量产1c DRAM；SK海力士M15X晶圆厂预计2025Q4投产；美光ID1新晶圆厂预计2027年上半年投产 [3][18] * **价格呈现上涨趋势**：根据预测数据，各类DRAM产品价格在2025年第四季度至2026年第一季度普遍呈现大幅环比上涨，例如服务器DDR5在2025年第四季度预计环比上涨53~58%，2026年第一季度预计环比上涨60~65% [21] 投资建议与关注标的 * 报告建议关注AI记忆产业链的核心受益标的 [3][23] * 报告列出了部分重点公司的估值与财务分析，包括澜起科技、聚辰股份、兆易创新、中微公司、拓荆科技、北方华创，并对这些公司给出了“买入”评级及相应的合理价值预测 [4]

央广网北京1月25日消息（记者 冀文超）近日，中国证券监督管理委员（以下简称"中国证监会"）发布关于同意深圳大普微电子股份有限公司 （下称"大普微"）首次公开发行股票注册的批复，标志着创业板首家未盈利企业IPO注册获批。 大普微成立于2016年4月15日，注册资本3.93亿元，主要从事数据中心企业级SSD产品的研发和销售。报告期内，公司企业级SSD累计出货量达 4900PB以上，其中搭载自研主控芯片的出货比例达75%以上。根据IDC数据，最近三年国内企业级SSD市场中公司占有率稳居市场前列，国际 厂商仍占据主导地位。 据招股书，大普微目前已覆盖的下游客户和最终使用方包括：字节跳动、腾讯、阿里巴巴、京东、百度、美团、快手、Deepseek、小红书、滴 滴等互联网、云计算和AI企业，新华三、超聚变、中兴、华鲲振宇、联想等服务器厂商，中国电信、中国移动、中国联通等通信运营商，金 融、电力及其他行业知名企业。同时，公司还是中国极少数已实现向Google等海外客户供货的企业级SSD厂商。2025年，公司已通过Nvidia、 xAI两家全球AI头部前沿公司测试导入，后续有望逐步放量，形成明显的客户资源优势。 根据招股书， ...

2026年1月23日，证监会正式批准大普微首发上市。 | 蒙 引 号 | bm56000001/2026-00000915 | 分 炎 | 注册结果;结果公示 | | --- | --- | --- | --- | | 发布机构 | | 发文日期 | 2026年01月23日 | | श्र 称 | 关于同意深圳大普微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复 | | | | 文 북 | 证监许可〔2026〕97号 | 主题词 | | 这事儿意义不小，不只是创业板迎来了第一家未盈利就上市的企业，更能看出资本市场对硬科技企业的支持力度，给国产企业级存储产业自主可控添了一 把力。 在数据中心存储领域摸爬滚打多年，大普微靠硬技术站稳了脚跟。作为国家级专精特新重点"小巨人"企业，公司在研发上一直舍得花钱，也因此在关键技 术上拿下不少突破——目前手握156项发明专利，近三年研发费用就有7.37亿元，占这三年总营收的36.15%，这个投入比例比行业平均水平高出不少。有 了扎实的技术积累，它的多款企业级SSD产品，在顺序读写、随机读写速度以及延迟这些核心指标上，已经达到了国际先进水平，还实现了SCM SSD和 可计算存储SS ...

来源：中国证券报-中证网 1月23日，证监会发布关于同意大普微首次公开发行股票注册的批复，标志着创业板首家未盈利企业 IPO注册获批。 通过提高制度弹性和包容性，创业板有效回应了"硬科技"企业研发周期长、研发投入大的现实特征，持 续放大资本市场对实体科技发展的支持效应。 在此过程中，依托创业板的制度实践，资本市场对创新规律的理解日益深化。通过强调技术研发能力、 关键赛道卡位和长期成长空间，创业板为科技企业跨越关键发展阶段提供稳定的资本支撑，也为新质生 产力培育奠定了坚实基础。 此次IPO注册获批的大普微深耕企业级存储核心环节，在主控芯片、固件算法与产品化能力上长期投 入、持续积累，产品服务于AI、数据中心、云计算等关键应用场景，具备鲜明的技术导向与产业属 性。 拓宽优质未盈利企业上市通道 资本市场服务实体经济 效能持续体现 作为我国多层次资本市场中，服务创新成长企业的核心板块，创业板始终围绕支持科技创新这一战略定 位，不断完善制度安排和审核标准，引导社会资本更多投向具备技术深度和产业价值的科技企业。 证监会主席吴清2025年6月18日宣布创业板正式启动第三套标准，支持优质未盈利创新企业上市。 业内人士认为，此 ...

全球存储产业演进与中国企业的机遇 - 全球存储产业经历了从机械硬盘到闪存技术的长期演进，形成了以西部数据、希捷和东芝为代表的寡头格局，中国大陆厂商在此过程中长期缺席于全球核心技术与高端市场 [1] - 闪存技术自1984年发明后，历经U盘、SLC到3D NAND、SATA到PCIe接口的迭代，最终由英特尔在2016年推动企业级PCIe SSD规模化量产，标志着存储体系从HDD时代向SSD时代过渡 [1] - AI的快速发展放大了高性能存储的重要性，这一趋势本质上是存储技术代际过渡的延续，为中国存储产业，特别是以企业级SSD为代表的领域，提供了关键的发展窗口期 [1] 企业级SSD的技术门槛与核心地位 - 企业级SSD应用于数据中心、AI、云计算等场景，需满足7×24小时持续运行、高并发、低延迟、高可靠性与安全性等严苛要求，与消费级SSD在性能、可靠性和耐用性上存在巨大差异 [3][4] - 具体技术指标对比：企业级SSD主控芯片价格在25-100+美元，容量可达2TB-128TB，UBER（不可纠错率）低于10^-18，MTBF（平均无故障时间）达200-300万小时，远高于消费级产品 [4] - 企业级SSD的竞争力取决于从芯片设计到封装、板级、热设计、电源保护、验证、量产测试及质量追溯的一整套工程能力协同，任何环节的不足都会给客户系统带来风险 [4] - 企业级SSD承担着AI智算中心、金融系统、公共服务等社会关键系统的底层责任，其稳定运行关乎业务连续性、资产安全与社会信任，因此被明确界定为国家信息基础设施的关键核心部件 [5] - 极高的技术与工程门槛导致全球企业级SSD市场长期保持高度集中，即便在国产化加速背景下，能实现系统级能力并规模化出货的厂商仍然有限 [5] 大普微公司的技术实力与市场地位 - 大普微是业内领先、国内极少数具备企业级SSD“主控芯片+固件算法+模组”全栈自研能力并实现批量出货的半导体存储产品提供商 [6] - 公司自2016年成立即聚焦数据中心企业级SSD，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达57.66% [10] - 2020年，公司完成自研12nm Gen4主控芯片DP600流片，具备了企业级SSD最核心控制与数据路径的完全自主研发能力 [10] - 2021年，公司发布第二代SCM SSD产品Xlenstor2，是市面上少有的对标英特尔Optane的“存储级内存”产品 [10] - 2022年，公司作为首批全球厂商发布企业级PCIe 5.0 SSD系列产品，数据吞吐能力为上一代的两倍，在随机读写和时延等核心指标上业内领先 [10] - 2023年，公司自研PCIe 5.0主控芯片DP800流片成功，当年主营业务收入达到5.09亿元，国产企业级SSD开始同步参与新一代数据中心平台建设 [11] - 2024年，公司率先推出PCIe 4.0 QLC企业级SSD，实现国产厂商在该代际大容量QLC产品的首发，并进一步量产64TB超大容量产品，全年营业收入接近翻倍 [11] - 公司产品矩阵已覆盖“SCM + TLC SSD + QLC SSD”，满足AI大模型从数据采集到训练、推理、归档的全链条存储需求，并布局智能网卡和RAID卡等智能网联类产品，实现平台化延展 [12] - 2025年，公司实现对DeepSeek的批量销售，并通过Nvidia、xAI等全球头部AI企业的测试导入，表明其产品在性能、长期运行稳定性与工程一致性等关键指标上已达到国际一线数据中心应用水准 [12] 公司的运营数据与研发投入 - 2022年至2025年6月，公司企业级SSD累计出货量达4900PB以上，其中搭载自研主控芯片的出货比例达75%以上 [13] - 2022–2024年研发投入分别为19,387.13万元、26,867.72万元和27,436.03万元，累计研发投入占主营业务收入比例达40% [13] - 公司已承担2项国家级、4项省市级重大科研专项，参与多项行业标准制定，并获评国家级专精特新重点“小巨人”企业、国家知识产权优势企业等资质 [13] 行业前景与公司发展机遇 - 国家政策如《“十四五”数字经济发展规划》等将数据中心、算力基础设施及其关键部件纳入重点发展范围，为企业级存储提供了长期稳定的发展环境 [14] - 根据Forward Insights统计，预计到2027年全球企业级SSD市场规模将达到514.18亿美元，年复合增长率约为20.25%，其中PCIe接口产品占据主导且占比持续上升 [15] - 在上述背景下，公司预计2025年实现营业收入20.5-23.5亿元，同比增长113.06%-144.24% [18] IPO募资用途与未来战略 - 公司本次IPO拟募集资金约18.78亿元，重点投向下一代主控芯片及企业级SSD研发与产业化、企业级SSD模组量产测试基地建设及补充流动资金 [18] - 募投项目具体包括：下一代主控芯片及企业级SSD研发及产业化项目（投资总额95,828.37万元）、企业级SSD模组量产测试基地项目（21,956.86万元）、补充流动资金（70,000.00万元） [19] - 下一代PCIe 6.0主控芯片及企业级SSD研发与产业化项目，旨在保持公司在PCIe接口演进及新一代数据中心平台中的技术连续性，避免能力断层 [19] 产业转折与公司长期价值 - 中国存储产业正处在关键转折点，当竞争重心从介质制造转向系统架构、工程体系与长期可靠性时，产业获得了重新进入主赛道的窗口 [20] - 大普微形成了“主控芯片+固件算法+模组”全栈自研与批量出货能力，产品矩阵覆盖SCM、TLC与QLC等关键层级，能够匹配AI与云计算全链条存储需求，具备更高的技术壁垒和规模扩展空间 [20]

本报记者 李昱丞 2026年1月23日，证监会官网显示，深圳大普微电子股份有限公司（以下简称"大普微"）IPO注册获批，标志着大普微距离 登陆资本市场更近一步。 目前，国内多数存储类上市公司主要在消费级SSD、嵌入式存储方面进行业务布局，核心逻辑在于供应链的规模化与成本 优化。与之不同的是，数据中心所采用的企业级SSD更侧重于处理极端负载情况下的性能一致性与系统稳定性，对于读写速 率、时延、数据加密、平均无故障时间（MTBF）等指标要求严苛。叠加长达6－18个月的客户验证周期，使得企业级SSD竞争 门槛显著高于消费级市场。 大普微深耕企业级SSD，已形成主控芯片设计、固件算法、模组设计及验证测试四大核心技术体系。招股书显示，其搭载 自研芯片DP600、DP800的PCIe4.0及5.0SSD、超大容量QLCSSD、SCM（存储级内存）产品，核心参数已对标甚至部分优于 Solidigm（SK海力士旗下品牌）、三星等国际一线厂商同代产品。这些成果能够帮助企业建立起坚实的护城河，并反哺整个国 产半导体存储产业链。 据悉，大普微主要从事数据中心企业级SSD（固态硬盘）产品的研发销售，是业内领先、国内极少数具备企业级S ...

2026年1月23日，证监会官网显示，深圳大普微电子股份有限公司（以下简称"大普微"）IPO注册获批，标志着大普微距离登陆资本市场更近一步。 | 索 引 号 | bm56000001/2026-00000915 | | --- | --- | | 发布机构 | | | ম 不 | 关于同意深圳大普微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复 | | 文 름 | 证监许可〔2026〕97号 | 据悉，大普微主要从事数据中心企业级SSD（固态硬盘）产品的研发销售，是业内领先、国内极少数具备企业级SSD"主控芯片+固件算法+模组"全栈自研能 力并实现批量出货的半导体存储产品提供商。 国产稀缺企业级SSD赛道标的 正迎存储热潮 近期，受到下游AI商业化加速、服务器集群规模扩大等因素驱动，存储市场需求火热、产能紧俏，推动存储产品价格一路高涨。 目前，国内多数存储类上市公司主要在消费级SSD、嵌入式存储方面进行业务布局，核心逻辑在于供应链的规模化与成本优化。与之不同的是，数据中心所 采用的企业级SSD更侧重于处理极端负载情况下的性能一致性与系统稳定性，对于读写速率、时延、数据加密、平均无故障时间（MTBF）等指标要求严 ...

报告行业投资评级 - 强于大市（维持）[2] 报告的核心观点 - AI驱动本轮存储高景气周期，区别于以往的库存周期，是结构性需求重构[4] - 存储芯片涨价趋势有望延续，DRAM和NAND均面临结构性供应紧张[4] - 存储行业高景气叠加自主可控趋势，大陆存储厂商扩产动力充足，看好国产存储产业链[4] 根据相关目录分别进行总结 一、 AI需求爆发驱动存储行业“超级周期” - 存储需求从传统的“容量驱动”转变为“容量+带宽+延迟”等性能驱动[9] - AI服务器对DRAM的需求量是普通服务器的8-10倍[9] - 根据TrendForce数据，2026年AI服务器出货量预计同比增长20.9%，占所有服务器比重提升至17.2%[9] - AI推理驱动云厂商资本开支提升，全球数据生成量2024-2029年复合增速约为25%[12] - HBM在DRAM市场销售额占比从2023年的8%提升至2025年的33%，2026年预计将突破41%[13] - 全球HBM收入预计从2024年的170亿美元提升至2030年的980亿美元，复合年增长率达到33%[24] - HBM在DRAM市场中的收益份额预计将从2024年的18%扩大到2030年的50%[24] 二、 结构性供应紧张驱动存储价格延续上涨 （一） DRAM：海外存储厂商产能向更先进制程倾斜，供给偏紧格局延续 - 三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，导致DDR4等旧制程产品供应趋紧[17] - 2024年全球出货的消费PC中，仍有60%配置DDR4内存[17] - 根据TrendForce最新数据，2026Q1一般型DRAM合约价格将环比上涨55%-60%[17] - 2026年三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂的晶圆总产出预计同比增长约5%达1800万片，但仍难以满足市场需求[54] - 三星2026年资本开支预计为200亿美元，同比增11%，主要用于HBM的1C制程渗透[19] - SK海力士2026年资本开支预计为205亿美元，同比增17%，用于应对HBM4产能扩张[19] - 美光科技2026年资本开支预计为135亿美元，同比增23%，专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置[19] - 存储涨价影响消费电子，智能手机中内存占比从10%-15%提升至20%以上，中低端机型内存成本占比超过34%[23] （二） NAND：供给调整+企业级需求旺盛，价格上涨有望延续 - 根据Yole数据，2024-2030年NAND市场需求量复合增速预计达到21%[36] - 数据中心对NAND需求近5年CAGR达到26%，其中超过50%由AI负载直接驱动[36] - 自2025年7月以来，NAND Flash Wafer价格快速提升，以1TB TLC为例，价格从2025年7月的5.6美元涨至2026年1月初的15美元，涨幅超过100%[38] - 渠道市场SSD 1TB PCIe 3.0价格从2025年7月15日的42美元涨至2026年1月13日的110美元，涨幅高达162%[38] - AI驱动下数据分层结构转变，热、温、冷三层数据比例有望从20%：30%：50%变化至30%：60%：10%[42] - HDD交付周期延长至52周以上，加速CSP对SSD的应用[50] - AI服务器有望快速增长，预计2024-2030年CAGR约为20%[53] - 未来AI服务器将长期消耗约1/3的企业级SSD出货量[53] 三、 国产化提速，看好国产存储产业链 （一） 自主可控+景气周期确定，大陆存储扩产动力充足 - 长鑫科技IPO拟募资295亿元，重点用于DRAM产线升级、技术研发与前沿布局[4][55] - 长鑫科技DDR5产品已完成量产，性能达国际先进水平[54] - 长鑫科技LPDDR5X产品最高速率较上一代提升约66%，功耗较LPDDR5降低30%[54] - 预计到2025年底，长鑫科技总产能将从2024年的20万片/月增至30万片/月，总产能占全球产能比重达15.60%[55] - 预计到2025年末，长鑫科技DDR5市场份额将从年初的1%提升至7%，LPDDR5市场份额将从0.50%提升至9%[58] - 长江存储重点推进3D NAND芯片产能爬坡，计划通过三期项目将总产能提升至15万片/月，力争2026年占据全球NAND闪存市场15%份额[58] - 长江存储自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，产能设备国产化率达45%[58] （二） 产业链：涨价周期叠加扩产周期共振，关键环节有望受益 - **设计环节**：海外巨头收缩成熟制程产能，利基型DRAM市场供不应求，兆易创新、东芯股份等有望受益[61] - **设计环节**：澜起科技MXC芯片已被三星、SK海力士采用，用于其最新的CXL内存产品[61] - **设备环节**：DRAM产业资本支出在2025年预计达537亿美元，2026年预计进一步成长至613亿美元，年增14%[64] - **设备环节**：NAND Flash资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%[64] - **设备环节**：3D NAND存储晶圆制造设备市场规模预计由2019的102亿美元增长至2025年的175亿美元，年复合增长率9%[67] - **模组环节**：江波龙2025H1企业级存储业务收入同比增长138.66%至6.93亿元[75] - **模组环节**：江波龙2025年12月拟定向增发37亿用于AI高端存储器研发、半导体存储主控芯片研发、半导体存储高端封测建设等项目[75][77] - **封测环节**：HBM/3D NAND需求增长，硅通孔（TSV）、混合键合等先进封装技术导入，单位封测价值提升[77] 四、 投资建议 - 看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺技术进步带来的价值量提升[82] - 建议关注相关ETF如国联安半导体ETF、华夏国证半导体芯片ETF、嘉实上证科创板芯片ETF等[4][82]

每经AI快讯，1月23日，东芯股份(688110.SH)发布2025年度业绩预告，预计归属于母公司所有者的净亏 损1.74亿元~2.14亿元。报告期内，公司营业收入同比增长约43.75%，毛利率大幅提升，存储板块已实 现盈利。公司于2024年通过自有资金2亿元战略投资上海砺算。公司2025年对其追加投资约2.11亿元， 持续深度布局高性能GPU赛道。公司对上述投资以权益法核算，2025年度确认的投资亏损约16,600万 元。 ...

报告行业投资评级 - 给予存储行业 **强于大市** 的评级 [2] 报告的核心观点 - AI与数据扩张推动存储进入新周期，供需紧张导致价格持续上涨，HBM等新技术迭代需求旺盛，国产存储加速发展机遇显现 [2] - 数据扩张与AI扩散共同驱动存储新周期加速到来，AI端侧存储需求增速显著高于其他市场，成为全球存储市场扩张的关键动力 [7] - 存储全系产品价格在2025年已出现较大幅度上涨，2026年或进一步上涨，本轮价格上涨由AI服务器和通用服务器共同驱动，且存在结构性产能转换和多维度需求竞争，短缺和涨价可能持续更长时间 [7] - 2026年资本支出重点转向制程技术升级与先进工艺导入，位元供给增长有限，供不应求的市场状态或将持续全年 [7] - 国产存储龙头生产经营稳中向好，推动建设意志坚定不移，有望为产业链带来诸多机会 [7] 根据相关目录分别进行总结 综述：数据扩张+AI扩散，存储新周期加速到来 - **数据生成量高速增长**：根据IDC预计，2025年全球将产生213.56ZB数据，到2029年将增长一倍以上达到527.47ZB；其中中国市场2025年将产生51.78ZB数据，到2029年增长至136.12ZB，CAGR将达到26.9% [14] - **云端数据生成占比提升**：2029年约有43%的数据直接在云端生成，高于2024年的24%，从2024到2029年的复合年增长率达到40.9% [17] - **大模型驱动数据量激增**：以谷歌为例，2025年10月，谷歌月均处理的Tokens数量已突破千万亿级大关，达到1.3千万亿；OpenAI、字节跳动、百度等公司亦达到日均万亿Tokens的处理量级 [17] - **资本支出持续高增**：TrendForce将2025年全球八大主要CSPs资本支出总额年增率从61%上修至65%；2026年CSPs合计资本支出将进一步推升至6000亿美元以上，同比增长约40% [23] - **存储占数据中心成本重要部分**：典型数据中心的资本支出中存储占比约为12%，伴随AI基础设施投入及技术迭代，其占比有望提升 [26] - **现货价格大幅上涨**：从现货价格看，上游Flash Wafer、DDR以及下游SSD、内存条均出现大幅上涨；25Q4现货512Gb及以上容量的NAND资源价格累计涨幅环比普遍超一倍 [30] - **全球存储市场规模稳健增长**：2020年全球市场规模为1499亿美元，2024年达到1928亿美元，CAGR为6.5%；预计将从2025年的2633亿美元增长至2029年的4071亿美元，CAGR达11.5% [41] - **AI端侧存储需求增速领先**：2020年至2024年间，AI端侧存储市场CAGR高达99.5%，2024年市场规模达179亿美元；2025年至2029年期间，其CAGR将保持在36.4%的较高水平 [41] - **服务器存储需求保持高增速**：服务器存储市场规模从2020年的268亿美元提升至2024年的594亿美元，CAGR为22.0%；到2029年或将进一步扩大至1458亿美元 [42] 供给端：结构性供给受限持续，原厂竞逐新技术蓝海 - **资本支出转向技术升级**：2026年DRAM与NAND Flash产业投资重心从扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加值产品，位元产出成长助力有限 [67] - **DRAM资本支出情况**：美光2026年资本支出预计135亿美元，年增23%；SK海力士预计205亿美元，同比增17%；三星预计200亿美元，同比增11% [70] - **产能扩张存在结构性制约**：目前无尘室资源紧张，仅三星与SK海力士具备小幅扩产空间；美光需待2027年新厂投产后才能实现产能提升 [70] - **NAND Flash资本支出分化**：铠侠/闪迪2026年资本支出预计45亿美元，同比增41%；美光计划小幅提升产能，资本支出年增幅高达63%；三星与SK海力士/Solidigm则计划缩减或限制NAND Flash资本支出 [71] - **NAND Flash供给增长有限**：2026年资本支出重点转向技术升级与先进工艺导入，而非规模性扩产，NAND Flash位元供给增长幅度有限，供不应求状态或将持续全年 [71] - **HBM供应高速增长**：根据TrendForce预测，2025年全球DRAM供应中HBM同比增长88.1%，2026年增长幅度为38.2% [73] - **HBM技术持续迭代**：根据技术路线图，从HBM4到HBM8，带宽预计从2TB/s增长到64TB/s，数据传输速率从8GT/s提高到32GT/s [76] - **后HBM时代与HBF技术**：随着AI推理市场增长，存储行业步入“后HBM时代”；HBF（高带宽闪存）通过堆叠NAND闪存制成，提供约10倍于DRAM的容量，首批样品预计2026年下半年出现 [79] 需求端：AI产业链健康度打开远期需求空间 - **AI存储需求激发HDD替代**：AI推理应用推升实时存取需求，传统Nearline HDD出现供应短缺，交期已从数周急剧延长至52周以上，加速扩大CSP存储缺口 [83] - **QLC SSD成本优势显现**：随着堆栈层数迈向200层以上，晶圆储存位元密度提升；预期2026年2Tb QLC芯片产出将逐步放量，成为降低Nearline SSD成本的主力 [84] - **高端DRAM需求旺盛**：英伟达预计于2027年下半年推出Rubin Ultra NVL576，单机柜预计搭载365TB的HBM4e，是GB300 NVL72的8倍；谷歌第七代TPU配备192GB HBM，带宽高达7.4TB/s [86] - **LPDDR5X需求激增**：根据TrendForce，2025年市场对于LPDDR5X的需求同比增长558%，2026年还将继续增长169%，2025-2030年CAGR高达51% [92] - **智能手机加速转向LPDDR5(X)**：由于上游原厂逐步停止LPDDR4供应，手机厂商加速转向先进制程；预计配备LPDDR5(X)的智能手机占比将从2025年的37%提升至2026年的51% [92] - **KV Cache催生NAND新需求**：AI智能体需要记住漫长的对话历史和复杂上下文，产生巨大的KV Cache；传统HBM容量有限且昂贵，存在“显存墙” [96] - **英伟达推出新存储架构**：基于BlueField-4 DPU构建推理上下文内存存储平台，为每个GPU在原有1TB内存基础上额外增加16TB的“思考空间”，通过高达200Gb/s带宽连接 [97] - **服务器存储需求快速增长**：通用服务器方面，2025年DRAM需求同比增19%，2026年增20%；NAND Flash需求2025年增30%，2026年增19% [104] - **AI服务器存储需求更高**：AI服务器方面，2025年LPDDR需求同比增67%，RDIMM增31%；2026年LPDDR增15%，RDIMM增21%；NAND Flash需求2025年增超60%，2026年增超70% [104] - **消费端需求可能受抑制**：存储芯片价格上涨将迫使PC和智能手机提价，可能抑制客户需求；2026年笔记本电脑出货量预计下降3%，智能手机出货量预计下降2% [104] 国产侧：原厂端奔赴全球标准+产业链自主，产品端锚定平台化+品类升级 - **长鑫存储推出LPDDR5X**：已正式推出LPDDR5X产品，最高速率达10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，功耗降低30%，达到国际主流水平 [108] - **长鑫存储产能扩张**：2024年DDR4全球市占约5%，2025年底预计升至8%；2025年DRAM晶圆产量预计增长68% [109] - **长江存储推进设备国产化**：在美制裁后加速供应链国产化，设备国产化率从制裁前较低水平升至2024年约45%；2023年推出232层TLC芯片X4-9070，性能比肩国际巨头 [110] - **长江存储三期工厂目标**：三期工厂明确“100%使用国产半导体设备”目标，计划2026年投产后将总产能提升至30万片/月，全球市场份额有望从12%增至约15% [110] - **CBA+4F2技术或成弯道超车路径**：当DRAM制程节点面临挑战时，向4F²布局过渡及采用CMOS键合阵列（CBA）架构成为延续缩放的关键解决方案 [114] - **长鑫存储布局4F²技术**：于2023年底公开基于垂直沟道晶体管的4F²布局方案，用于18纳米节点DRAM开发，反映其在制程节点追赶压力下更为激进的架构转型 [120] - **CBA技术优势**：将存储单元阵列与外围线路分别在两个独立晶圆上制造，然后通过混合键合连接，可以使用各自最佳的制造工艺，最大化发挥性能 [121] - **CBA-DRAM量产时间表**：主要DRAM供应商将在2026年左右开始CBA-DRAM风险生产，全面大规模生产或于2027年开始 [125] - **利基存储市场温和起涨**：2025年12月，台股三大利基存储厂商旺宏、华邦电、南亚科合计营收244.20亿新台币，同比+134.94%，环比+14.96%；南亚科技25Q4 DRAM ASP环比增长超三成 [128] - **NOR Flash价格调涨**：从25Q4开始，各区域市场或将全面反映价格上调，单季涨幅可能达到双位数百分比；存储器封测厂商南茂表示25Q3起已调涨存储器相关封测报价5%至18% [130] - **利基DRAM持续涨价**：据兆易创新判断，利基DRAM产品涨价目前还在持续，紧缺预计持续全年；公司有信心未来5年在国内利基型DRAM市场取得约三分之一份额 [131] - **定制化存储逐步发力**：AI时代传统HBM已受限，3D DRAM被视为下一代内存技术突破带宽瓶颈的关键方向；例如紫光国芯SeDRAM®技术通过Wafer-to-Wafer 3D堆叠实现高带宽大容量 [133] 投资建议 - **建议关注三大细分方向**： 1. **受益于周期价格波动的经销商及模组产品制造商**：香农芯创、江波龙、佰维存储、德明利、开普云 [4] 2. **专注于利基市场及存储产品配套芯片的IC设计公司**：【利基存储】：兆易创新、东芯股份、普冉股份、聚辰股份、北京君正；【配套芯片】：澜起科技、联芸科技 [4] 3. **国产半导体存储器供应链**：【设备】：北方华创、中微公司、拓荆科技、迈为股份、精智达、微导纳米、长川科技；【材料】：华海诚科、联瑞新材、深南电路、兴森科技、广钢气体、雅克科技、兴福电子；【CBA DRAM】：晶合集成、汇成股份；【封装】：深科技 [4] - **此外建议对未来有望上市的国产半导体存储器制造商给予高度关注** [138]