【文/观察者网 心智研究所】 技术路线的分岔：同一个问题，两种解法 要理解这场技术路线分岔的深意，需要回到二十世纪末的那场危机。 1999年，美国国防部高级研究计划局（DARPA）资助了一个雄心勃勃的研究项目，目标是探索CMOS 技术如何突破25纳米的物理极限。彼时，整个半导体行业笼罩在一片悲观情绪之中。根据当时的技术预 测，当晶体管的栅极长度逼近20纳米时，传统的平面结构将彻底失效——电子会像不听话的孩子一样四 处乱窜，漏电问题将使芯片变成一块发热的废铁。 领导这个研究项目的，是加州大学伯克利分校的胡正明教授。这位后来被誉为"摩尔定律续命人"的华人 科学家，带领团队提出了两种截然不同的解决方案。 用一个通俗的比喻来理解：想象你手中握着一根越来越细的水管，水流变得越来越难以控制，总是从指 缝间漏出去。怎么办？ 第一种办法是把水管竖起来——你的手指可以从三面包裹住水管，接触面积大了，控制力自然就强了。 这就是FinFET的核心思想：将原本平躺的晶体管沟道竖起来，形成一个像鱼鳍一样的三维结构，让栅 极能够从三面包裹住沟道，大幅增强对电流的控制能力（如下图）。 2014年前后，法国SOI衬底材料龙头Soitec正经 ...

【文/观察者网 心智研究所】 2014年前后，法国SOI衬底材料龙头Soitec正经历着公司历史上最艰难的时刻。由于FD-SOI市场迟迟未 能起量，这家掌握着独门Smart-Cut技术的法国公司一度面临资金链断裂的危机，需要依靠法国政府的 贷款才能维持运营。 与此同时，中国的国家集成电路产业投资基金（"大基金"）刚刚成立，正在全球范围内寻找投资标的。 据芯原股份创始人戴伟民博士回忆，当时大基金的考察团曾有机会投资Soitec，考察团中有人说了一句 后来广为流传的话： "做FinFET是等死，做FD-SOI是找死。" 这句话深刻反映了当时国内产业界对FD-SOI的普遍认知——在FinFET当时已经成为绝对主流，而且形 成技术有序迭代的情况下，中国大陆半导体如果追者FinFET技术路线跑，可能会永远棋差一步，当时 普遍有这种焦虑："为啥我们投入的钱越来越多，和西方的差距反而不见缩小？"然而，另一条路——逆 势押注FD-SOI似乎是一条看不到出路的死胡同。 十年之后的今天，当全球半导体产业格局因地缘政治而剧烈重构，当中国芯片产业在先进制程领域遭 遇"卡脖子"困境，这条曾被主流产业抛弃的技术路线，正在以一种出人意料的 ...