拓扑材料研究突破 - 美国普林斯顿大学团队在KV3Sb5的Kagome晶格拓扑材料中首次直接观测到电荷密度波背后隐藏的手性对称破缺现象 [1] - 该发现解答了关于拓扑材料能否自发形成手性量子态的长期争论 [1] - 研究成果发表在最新一期《自然·通讯》杂志上 [1] 量子技术发展 - 这一发现为未来新型量子技术的发展提供了关键线索 [1] - 研究团队使用了新开发的扫描光电流显微镜进行观测 [1]

研究背景与意义 - 美国普林斯顿大学团队在KV3Sb5的Kagome晶格拓扑材料中首次直接观测到电荷密度波背后隐藏的手性对称破缺现象[1] - 该发现解答了拓扑材料能否自发形成手性量子态的长期争论[1] - 为未来新型量子技术发展提供关键线索[1] 实验方法与技术 - 团队设计并应用全新成像工具——扫描光电流显微镜，探测材料在圆偏振光照射下的非线性电磁响应[1] - 实验在超纯净KV3Sb5晶体上进行，环境温度接近绝对零度（4开尔文）[2] - 通过测量左旋和右旋圆偏振光照射下的光电流差异，揭示材料的手性特征[2] 关键发现 - 高温状态下材料对左右旋圆偏振光的光电流响应无差异[2] - 温度降至电荷密度波转变温度以下时，光电流表现出对特定方向圆偏振光的明显偏好[2] - 首次直接证实KV3Sb5材料中电荷有序态打破了镜像对称性和空间反演对称性[2] 潜在应用价值 - 深化对拓扑材料中量子行为的理解[2] - 为光电、光伏及量子信息处理技术提供新思路[2] - 标志着新一代量子科技发展的重要进展[2]