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环绕式栅极晶体管(GAAFET)架构
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台积电2nm,大跃进
半导体行业观察· 2025-05-05 12:22
台积电2纳米制程技术进展 - 2纳米制程缺陷密度(D0)表现已比肩5纳米家族,超越同期7纳米与3纳米,成为技术成熟度最高的先进节点之一 [1] - 2纳米首次采用环绕式栅极晶体管(GAAFET)架构,取代FinFET技术,通过立体堆叠纳米片结构提升晶体管密度与效能,降低漏电流与功耗 [1] - 2纳米需求被描述为"前所未有",远超3纳米需求 [1] 台积电2纳米产能规划 - 新竹宝山Fab 20厂(P1)2024年第四季启动工程线验证,月产能约3,000片,2025年第四季量产时月产能将提升至3万片 [2] - 高雄Fab 22厂2024年第四季进机,2026年首季量产,月产能达3万片 [2] - 2027年新竹与高雄总月产能计划扩增至12万~13万片,2025年底前可能达到5万片,进展顺利可达8万片 [2] - 美国亚利桑那州Fab 21厂区第三座(P3)将导入2纳米及A16(1.6纳米)制程,2028年量产 [2] 台积电2纳米客户与供应链 - 主要客户锁定苹果、英伟达、AMD、高通、联发科及博通等一线业者 [1] - AMD新一代EPYC处理器Venice为业界首款完成投片并采用2纳米制程的产品 [1] - 苹果iPhone 18系列机型预计采用2纳米处理器 [1] - 英伟达Rubin平台2026年下半年仍以3纳米为主,2纳米导入较谨慎 [1] - 供应链如中砂、升阳半等业者营收有望受2纳米进展带动 [1] 台积电2纳米投资布局 - 加速扩建新竹宝山4座厂及高雄楠梓3座厂,总投资额逾1.5兆元,打造全球最大半导体制造聚落 [2]