公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 自 20 世纪 80 年代末引入存储器市场以来，NAND 闪存从根本上改变了大量数据的存储和检索方 式。 这种专为高密度数据存储而设计的非易失性存储器几乎应用于电子市场的各个领域，从智能手机到数 据中心，无所不包。它被用于大多数可移动和便携式存储设备，例如 SD 卡和 U 盘。近年来，3D NAND 在人工智能的蓬勃发展中也扮演了重要角色，为训练人工智能模型所需的大量数据提供了高 效的存储方案。 随着数据存储需求的爆炸式增长，芯片公司正竞相提高NAND闪存的存储单元密度（以每平方毫米千 兆比特 (Gb/mm²) 为单位），同时降低每比特成本。十多年前，半导体行业从二维NAND过渡到三维 NAND，以克服传统存储器尺寸缩减的限制。近年来，各公司通过 增加每个芯片的存储单元层数和 每个单元的存储比特数（商用NAND闪存最高可达四比特）来提高存储密度。 其中一项最重要的进展是从浮栅晶体管向电荷陷阱单元的转变。浮栅技术将电荷存储在导体中，而电 荷陷阱单元则将电荷存储在绝缘体中。这降低了存储单元之间的静电耦合，从而提高了读写性能。此 外，由于电荷陷阱单元的制造尺寸比浮栅晶 ...