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【科技日报】“自刻蚀”新方法实现低维光伏材料精密制备
科技日报· 2026-01-16 11:31
研究突破核心 - 中国科学技术大学联合美国普渡大学、上海科技大学的研究团队首次在二维离子型软晶格材料中实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑 [1] - 该成果为低维光伏材料的集成化与器件化开辟了全新路径并于1月15日在线发表于国际学术期刊《自然》 [1] 技术挑战与解决方案 - 以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体晶体结构柔软且不稳定传统光刻加工等技术因反应剧烈易破坏材料结构难以实现高质量、可控外延的横向异质集成 [1] - 研究团队提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”新方法通过设计温和的配体—溶剂微环境选择性激活并利用内应力引导单晶在特定位置发生可控“自刻蚀”形成规则的方形孔洞结构 [1] - 团队随后通过快速外延生长技术将不同种类的半导体材料精准回填最终在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”异质结 [1] 方法创新与应用前景 - 该全新加工方法并非通过“拼接”不同材料而是在同一块完整晶体中引导其自身进行精密的“自我组装” [2] - 该方法意味着未来有可能在一块极薄的材料上直接“生长”出密集排列的、能发出不同颜色光的微小像素点为高性能发光与显示器件的发展提供全新的备选材料体系和设计思路 [2]
中国科大以“自刻蚀”实现材料精密制备
新浪财经· 2026-01-15 04:45
研究团队与成果发布 - 中国科学技术大学张树辰特任教授团队联合中外学者在新型半导体材料领域取得重要进展 [1] - 团队首次在二维离子型软晶格材料中实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑 [1] - 相关成果于北京时间1月15日在线发表于国际权威学术期刊《自然》 [1] 技术突破与核心方法 - 研究团队创新性地提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”新方法 [1] - 该方法将不同种类的半导体材料精准回填,在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量异质结 [1] - 该全新加工方法并非通过“拼接”不同材料,而是在同一块完整晶体中引导其自身进行精密的“自我组装” [2] 行业意义与应用前景 - 该成果为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径 [1] - 此项研究首次在二维离子型材料体系中实现了对横向异质结结构的高质量、可设计性构筑,突破了传统工艺的局限 [2] - 该技术意味着未来有可能在一块极薄的材料上直接“生长”出密集排列的、能发出不同颜色光的微小像素点 [2] - 该研究为未来的高性能发光与显示器件的发展提供了一种全新的备选材料体系和设计思路 [2] - 其展现出的新范式为研究理想化界面物理提供了全新平台,也为低维材料的集成化与器件化开辟了新的路径 [2] 行业背景与技术挑战 - 在半导体领域,能够在材料平面内横向精准构建异质结构是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键 [1] - 以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体,其晶体结构柔软且不稳定 [1] - 传统光刻加工等技术往往因反应过于剧烈而破坏材料结构,难以在此类材料中实现高质量的横向异质集成 [1]