技术突破核心 - 国际联合团队在微芯片制造领域取得关键突破，开发出新型材料与工艺，可生产更小、更快、更低成本的高性能芯片 [1] - 该研究结合实验与建模手段，为下一代芯片制造奠定了材料与工艺基础 [1] 新型材料与工艺细节 - 团队探索使用金属有机材料作为新型抗蚀剂，此类材料由金属离子（如锌）与有机配体（如咪唑）构成 [1] - 在B-EUV辐射下，新型材料能高效吸收光子并产生电子，从而引发化学变化，精确地在硅片上形成纳米级电路图案 [1] - 团队开发出名为“化学液体沉积”的新工艺，首次实现在溶液中的硅片上大面积沉积咪唑基金属有机抗蚀剂，并能以纳米级精度调控涂层厚度 [2] - 新工艺通过调节金属种类与有机分子的组合，灵活调整材料对特定波长辐射的响应效率 [2] 技术潜力与影响 - 研究显示至少有10种金属和数百种有机物可用于构建此类材料体系，为未来优化提供了广阔空间 [2] - 例如锌虽不适用于当前极紫外光刻，却在B-EUV波段表现出优异性能 [2] - 该技术有望在未来十年内投入工业应用 [2] 行业背景与挑战 - 随着电子产品对性能要求的持续提升，芯片制造商亟须在现有生产线上实现更精细电路的刻蚀 [1] - 尽管高功率“超越极紫外辐射”（B-EUV）技术已具备雏形，但传统光刻胶材料难以有效响应此类辐射，成为技术升级的主要瓶颈 [1] - 此前研究已证明金属有机材料潜力，但如何在晶圆尺度上均匀、可控地沉积此类材料仍是难题 [1]

技术突破 - 国际联合团队开发出新型金属有机材料与化学液体沉积工艺 实现更小更快更低成本的高性能芯片制造[1][2] - 新型抗蚀剂材料由金属离子（如锌）与有机配体（如咪唑）构成 在B-EUV辐射下高效吸收光子并产生电子 精确形成纳米级电路图案[1] - 化学液体沉积工艺首次实现溶液中硅片大面积沉积咪唑基金属有机抗蚀剂 并能以纳米级精度调控涂层厚度[2] 材料特性 - 至少有10种金属和数百种有机物可用于构建材料体系 通过调节金属种类与有机分子组合灵活调整对特定波长辐射的响应效率[2] - 锌金属在B-EUV波段表现出优异性能 虽不适用于当前极紫外光刻[2] 行业影响 - 突破解决了传统光刻胶材料难以响应高功率B-EUV辐射的技术瓶颈 为下一代芯片制造奠定材料与工艺基础[1] - 该技术有望在未来十年内投入工业应用 满足电子产品对性能持续提升的需求[1][2] 研究团队 - 美国约翰斯·霍普金斯大学 布鲁克海文国家实验室 劳伦斯伯克利国家实验室联合中国华东理工大学 苏州大学以及瑞士洛桑联邦理工学院共同展开研究[1]