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超越极紫外辐射(B-EUV)
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一种微芯片制造的新方法
半导体芯闻· 2025-09-12 18:12
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来 源 :内容来自 semiconductor-digest 。 约翰霍普金斯大学的研究人员发现了一种新材料和一种新工艺,这可能会推动在制造更小、更快、 更经济的微芯片方面的持续竞争。这些微芯片被用于现代电子产品中的方方面面——从手机到汽 车,从家电到飞机。 该科学家团队发现了一种既精确又经济的制造工艺,可以创造出肉眼不可见的微小电路。 这项发现今天发表在《自然化学工程》(Nature Chemical Engineering)杂志上。 然而,需要更高功率的辐射光束才能在芯片上刻出更小的细节,但这些光束与传统光刻胶的相互作 用不够强烈。 此 前 , 察 帕 特 西 斯 实 验 室 和 约 翰 霍 普 金 斯 大 学 费 尔 布 拉 瑟 研 究 小 组 ( Fairbrother Research Group)的研究人员发现,由一类新型金属有机物制成的光刻胶可以适应这种更高功率的辐射工 艺,即"超越极紫外辐射"(B-EUV)。该技术有潜力制造出比目前标准尺寸10纳米更小的细节。 锌等金属能吸收B-EUV光,并产生电子,从而引发必要的化学转化,将电路图案印刻在一种名为 咪 ...