3D芯片堆叠技术
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三星、美光、英特尔分食英伟达大单:三星代工LPU,美光量产HBM4
华尔街见闻· 2026-03-17 14:10
英伟达GTC 2026大会核心观点 - 英伟达GTC 2026大会不仅是产品发布,更是对AI芯片供应链格局的一次重要重塑,涉及代工、存储和CPU等多个关键环节的合作伙伴关系调整[1] AI加速器与处理器 - **Vera Rubin平台**:采用台积电3nm工艺和CoWoS封装,其NVL72系统整合72颗GPU和36颗CPU,能效比大幅提升,推理每瓦性能提升高达10倍,每token成本降至十分之一[2] - **Groq 3 LPU**:由三星晶圆代工厂生产,计划于2026年下半年开始出货,每颗芯片内置500MB SRAM,带宽高达约150TB/s,专为高速推理设计[1][2][3] - **Feynman GPU**:计划于2028年推出,采用台积电1.6nm工艺,首次引入3D芯片堆叠技术,并将使用定制化HBM,英特尔可能参与其封装生产[1][2][5] - **CPU合作**:英特尔Xeon 6处理器确认为英伟达DGX Rubin NVL8系统提供算力支撑,其内存带宽较上一代提升2.3倍[1][5] 存储芯片(HBM)市场动态 - **美光HBM4量产**:美光宣布其36GB 12层堆叠HBM4已于2026年第一季度进入量产阶段,引脚速率超过11 Gb/s,带宽超过2.8 TB/s,较HBM3E提升2.3倍,功耗效率提升逾20%[1][4] - **美光样品进展**:美光已开始向客户发送48GB 16层堆叠HBM4样品,单颗容量较12层版本提升33%[4] - **市场竞争影响**:美光HBM4的量产将降低供应商集中度,对SK海力士的垄断溢价构成压力,并将行业竞争焦点从“能否量产”转向“实际采用规模”,对三星构成新挑战[4] 供应链与代工格局 - **三星角色拓展**:三星不仅作为HBM4供应商,还通过获得Groq 3 LPU的代工订单,将其在英伟达供应链中的角色从存储扩展至逻辑芯片代工领域[1][3] - **英特尔代工合作**:除提供Xeon 6 CPU外,英特尔有望以晶圆代工身份,利用其先进封装技术(如EMIB)为英伟达2028年的Feynman GPU提供封装支持[1][5] - **台积电主导制造**:台积电在3nm和未来的1.6nm工艺节点上,仍是英伟达Vera和Feynman平台GPU芯片制造的核心合作伙伴[2]