12月24日，A股的存储芯片板块卷土重来，华海诚科（688535.SH）涨12.88%，德明利（001309.SZ）涨超9%，中芯国际 （688981.SH）、香农芯创（300475.SZ）、北京君正（300223.SZ）、江波龙（301308.SZ）、佰维存储（688525.SH）、普 冉股份（688766.SH）、恒烁股份（688416.SH）均录得上涨。港股方面，中芯国际(00981.HK)、华虹半导体(01347.HK)亦 表现不俗。 消息面，据韩国《朝鲜日报》消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。 供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。需求 方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。 业内人士指出，本轮存储产品的涨价潮或超出市场预期。相关存储芯片产商的未来业绩有望大幅抬升，股价表现有望再超 预期。 摩根士丹利预测，鉴于明年存储领域可能出现供需失衡，内存芯片行业将迎来 "超级周期"。市场需求高企的背景下，存储 芯片行业也开始出现供不应求、涨价、转变订货模式等一系列连锁 ...

三星电子DDR4产能策略调整 - 公司原计划大幅削减DDR4/LPDDR4X产能，仅维持对长期特定客户的供应，导致其他应用市场供应急剧收缩甚至停产 [2] - 由于DDR4 16Gb现货价格飙升，公司内部策略发生转变，计划在2024年第四季度放缓DDR4的停产速度 [2] - 公司计划在2026年第一季度与特定客户签订NCNR长期供货合约，以确保产能调度获得最大利润，主要供应服务器等级订单 [2] - NCNR合约意味着“不得取消或更改”，通常在客户预期长期缺货且价格大涨时签订，供应商以此换取稳定的长期供货承诺 [2] SK海力士HBM4研发与交付进展 - 公司采用改进型电路的HBM4晶圆预计将于2024年11月底完成晶圆制造，并计划于2025年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品 [4] - 为满足英伟达紧迫的开发进度，公司在2024年9月提供首批客户样品时，跳过了内部预发布评审流程 [4] - 在后续的认证流程中，系统级封装测试暴露了速度和可靠性问题，问题根源在于为提升速度而进行的电路线路设计修改 [4] - 公司通过与英伟达、台积电进行三方合作，共享缺陷数据，已查明导致缺陷的具体机制，该缺陷未对工艺良率造成重大影响 [4] - 公司计划按原计划推进HBM4大规模量产，若2025年1月初能提交优化后的样品且质量测试迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升将在第二季度启动 [4]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 今天，Maingear 首席执行官 Wallace Santos 在与媒体的电话会议上表示："就目前我们看到的内存 短缺情况而言，起初我基本上被告知这只是两到五个月的问题，生产线正在逐步恢复，一切都会好起 来的"。 "作为一家原始设备制造商的老板，我做好了准备，我们在没有库存的情况下尽一切努力，做好了准 备。但根据我们目前掌握的情况来看，内存短缺问题将持续数年。"Santos接着说。 尤其是在韩媒报道HBM将涨价之后，存储的情况持续告急。 HBM3E价格，上涨约20% 据 韩 媒 报 道 ， 随 着 英 伟 达 预 计 将 开 始 正 式 向 中 国 出 口 搭 载 第 五 代 高 带 宽 内 存 （ HBM ） HBM3E 的 H200人工智能（AI）芯片，三星电子和SK海力士等内存半导体公司已提高了明年HBM3E的供应价 格。包括英伟达、谷歌和亚马逊在内的众多自主研发AI加速器的公司纷纷下单，订单量激增。 "此次价格上涨还受到内存半导体公司集中精力扩大第六代HBM（HBM4）产能的影响，预计明年 HBM4的需求将大幅增长，导致这些公司产能有限，难以满足HBM ...

全球半导体行业新增长阶段 - 全球半导体行业预计将进入以人工智能为中心的新增长阶段 [1] - 存储器半导体市场预计将继续保持由供应商驱动的超级周期 [1] - 系统半导体市场预计将围绕AI加速器和先进工艺进行重组 [1] 存储器半导体市场动态 - 人工智能服务器所需的高容量、高性能DRAM和NAND闪存需求激增，促使供应商将产能集中于这些领域 [1] - 供应商优先投资改造现有生产线，而非新建晶圆厂，并且对快速扩张产能持谨慎态度 [1] - 美光科技已决定停止面向消费级市场的DRAM和NAND闪存出货，重心转向人工智能数据中心的内存产品 [2] - 三星电子和SK海力士已将其大部分DRAM产能分配给服务器和数据中心的HBM [2] HBM市场前景 - 预计明年对HBM的需求将保持强劲 [2] - 新年伊始，HBM市场仍将面临供应短缺，存储器制造商已经敲定了明年大部分HBM供应合同 [2] - 预计HBM3E的出货量将因市场对NVIDIA"Blackwell"系列产品的需求而增长 [2] - HBM4预计将从明年下半年开始实现显著增长，其输入/输出端口数量较前几代产品翻了一番，预计将被定位为高附加值产品 [2] - 三星电子和SK海力士正集中精力进行样品测试和工艺验证，以确保HBM4及时实现商业化 [2] 韩国半导体行业机遇 - 韩国半导体行业有望摆脱其在存储器领域的垄断地位，并在AI系统半导体和代工领域探索新的增长引擎 [1] - 在系统半导体领域，预计韩国人工智能半导体产业将从新年开始出现显著增长 [2] - 韩国企业正在人工智能数据中心、服务器和边缘加速器等领域快速验证和展示其技术 [2] - 包括Rebellions和Furiosa AI在内的韩国人工智能半导体初创公司正积极推进商业化进程，重点研发面向数据中心的人工智能加速器和NPU [3] - 新的一年有望成为韩国人工智能半导体企业获得市场认可的转折点 [3] 系统半导体与代工生态 - 三星电子的晶圆代工业务被认为是人工智能半导体增长的关键驱动力 [3] - 三星电子正积极争取高性能半导体订单，重点发展超精细工艺，例如2纳米 [3] - 人工智能半导体需要大规模芯片设计、复杂工艺流程和先进封装技术 [3] - 三星电子正利用其涵盖晶圆代工和封装的综合半导体制造能力，拓展与韩国人工智能半导体企业的合作机会 [3] - 新的一年是韩国人工智能半导体设计-代工-封装生态系统真正开始运转的起点 [3] 行业核心观点总结 - 半导体市场将围绕人工智能同时重组存储器和系统半导体 [4] - 在存储器方面，通过HBM实现的超高市场差距将得到加强 [4] - 在系统半导体方面，韩国的人工智能半导体和代工厂可能会成为新的增长引擎 [4]

值得注意的是，业内人士指出，SK海力士之所以作出这一决策，是由韩国本土设备供应商韩美半导体 与韩华半导体因专利纠纷陷入内耗所致。SK海力士计划于2026年3月再订购100套HBM4用TC键合机， 以配合清州M15X晶圆厂的扩产。届时ASMPT、韩美、韩华三方将展开更激烈的订单争夺。但若韩系厂 商无法尽快解决专利纷争，ASMPT或将进一步扩大份额，甚至主导HBM4设备供应。 ASMPT(00522)早盘涨超4%，截至发稿，涨4.03%，报77.35港元，成交额3157.47万港元。 消息面上，据报道，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持 HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。 每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为300亿韩元（约合1.5亿人民币）。 ...

报告投资评级 - 行业投资评级：强于大市（维持）[1] 报告核心观点 - 存储行业正迎来强劲上行周期，AI持续拉动需求，行业供应紧张情况将持续至2026年，推动存储产品量价齐升 [5][6] - 美光科技（Micron）FY26Q1业绩超预期，数据中心需求强劲，高端产品如HBM、高容量SSD推进顺利，公司对未来季度业绩给出强劲指引 [6] - 报告认为本轮存储周期从强度和持续性方面都将超过上一轮，相关产业链企业有望迎来盈利水平明显提升 [7] 业绩表现与指引 - **FY26Q1业绩超预期**：Non-GAAP营收达136.4亿美元，同比增长57%，环比增长21%，Non-GAAP净利润达54.8亿美元，同比增长169%，环比增长58% [3][6] - **毛利率大幅提升**：FY26Q1单季度毛利率达56.8%，同比提升17个百分点，环比提升11个百分点 [6] - **FY26Q2业绩指引强劲**：预计营收区间为183-191亿美元，以中值187亿美元计算，将同比增长132%，环比增长37%，预计毛利率区间为67%-69%，以中值68%计算，同比提升30.1个百分点，环比提升11.2个百分点 [6] 业务部门表现 - **云数据业务创纪录**：收入达53亿美元，创历史记录，毛利率同比提升15个百分点 [6] - **各业务部门收入**：核心数据中心业务部门收入24亿美元，移动及客户端业务部门收入43亿美元，汽车及嵌入式业务部门收入17亿美元 [6] - **DRAM业务**：FY26Q1营收108亿美元，同比增长69%，占公司整体营收79%，DRAM位元出货量环比略增，但产品平均售价（ASP）环比增长20% [5][6] - **NAND业务**：FY26Q1营收27亿美元，同比增长22%，占公司整体营收20%，位元出货量实现中高个位数环比增长，产品ASP环比增长达两位数 [7] 数据中心与高端产品进展 - **数据中心需求强劲**：AI高景气推动AI数据中心加速建设，带动高性能和高容量存储需求显著增长 [6] - **HBM产品**：2026年的HBM产品价格与数量已与客户达成协议，HBM4产品预计将于FY26Q2推出，速率高达11Gbps [6] - **LP DRAM产品**：已推出192GB LP SOCAMM2产品样片，可实现超过50TB的机架级LP DRAM密度 [6] - **数据中心NAND产品**：FY26Q1营收突破10亿美元，基于G9 NAND技术的SSD已收获大量客户需求，122TB和245TB容量的QLC SSD处于多家超大规模客户认证过程中 [5][6] - **PCIe Gen6 SSD**：推出了全球首款PCIe Gen6 SSD，产品处于加速认证中 [5] 技术与产能展望 - **DRAM技术节点**：1-gamma DRAM产品推进顺利，预计将成为公司2026财年DRAM位元出货增长的重要驱动力，同时积极开发1-delta和1-epsilon技术节点 [5][7] - **NAND技术节点**：正加速推进G9节点产品的量产，在数据中心和cSSD方面取得不错的良率提升，预计2026财年G9节点将成为公司NAND出货位元增长的主要推手 [7] - **行业供应紧张**：由于AI数据中心加速建设不断催生存储需求，未来存储行业供应总量将远低于市场需求，存储供应紧张情况将持续至2026年，存储产品呈现量价齐升态势 [5] 投资建议 - 报告建议关注相关产业链企业，包括：北方华创、中微公司、拓荆科技、京仪装备、华海清科、精智达、江波龙、香农芯创、德明利、兆易创新、佰维存储、北京君正 [7]

报告投资评级 * 报告未明确给出对美光科技（MU）的具体投资评级（如“买入”、“持有”等）[1][7][8] 报告核心观点 * 美光科技FY2026Q1业绩全面超预期，营收、各业务部门及产品线营收均创历史记录，毛利率大幅超越指引上限，主要受益于AI驱动的强劲需求、行业供应紧张带来的价格上涨以及有效的成本控制和产品组合优化[2][12] * 公司对行业前景极为乐观，预计AI数据中心建设热潮将持续推动内存与存储需求急剧增长，而行业总供给在可预见的未来难以匹配需求增长节奏，供需紧张态势将延续至2026年及以后，行业景气度有望维持高位[5][13] * 公司给出FY26Q2强劲指引，预计营收环比增长37.1%至187亿美元，毛利率进一步提升至68.0%左右，显示其业绩增长势头强劲且盈利能力持续扩张[6][28] FY2026Q1业绩情况 * **总体业绩**：FY2026Q1实现营收136.43亿美元，环比增长20.6%，同比增长56.7%，高于指引中值（125亿美元）[2][12] Non-GAAP毛利率达56.8%，环比提升11.1个百分点，同比提升17.3个百分点，超过指引区间上限（51.5%±100基点）[2][12] 稀释后每股收益（Non-GAAP）为4.78美元[10] * **产品营收**：DRAM业务营收108亿美元，占总营收79%，环比增长20%，价格环比上涨约20%[16] NAND业务营收27亿美元，占总营收20%，环比增长22%，位元出货量环比增长中高个位数百分比，价格环比上涨十几个百分点[16] * **业务部门营收**：云内存业务部（CMBU）营收53亿美元，环比增长16%，占总营收39%[15] 核心数据中心业务部（CDBU）营收24亿美元，环比增长51%，占总营收17%[23] 移动和客户端业务部（MCBU）营收43亿美元，环比增长13%，占总营收31%[23] 汽车和嵌入式业务部（AEBU）营收17亿美元，环比增长20%，占总营收13%[23] * **供给能力提升**：公司将FY26资本支出计划提升至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设[11] 加速全球产能布局，包括爱达荷州、纽约州的新晶圆厂，以及日本、新加坡、印度工厂的扩建与新建，以构建长期供应支撑体系[11] 终端市场进展与展望 * **数据中心市场**：AI数据中心建设进入大规模扩张阶段，公司预计2025年服务器市场出货量增长率接近20%，且2026年增长势头延续[3][24] HBM4产品具备业界领先的11Gbps以上速度，预计2026Q2高良率量产[3] 数据中心NAND产品组合收入超10亿美元，全球首款PCIe Gen6 SSD认证订单快速增长[3][24] * **PC市场**：公司预计2026年PC市场出货量将实现高个位数增长，但内存供应限制可能制约部分出货[4] 公司已完成基于16Gb/s、1γ的DDR5及G9 PCIe Gen4 QLC SLD内存等多项OEM认证[4] * **手机市场**：公司预期2026年智能手机出货量保持低个位数百分比增长，AI推动内存容量需求提升，旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%，较去年同期翻倍[4] 公司推出1γ 16Gb LPDDR6样品，性能提升超50%[4] * **汽车与工业市场**：L2+及L3级技术普及推动存储需求，公司凭借差异化产品组合，其ASIL认证的LPDDR5X及UFS 4.1 NAND产品需求强劲，已斩获数十亿美元设计订单[4][28] 工业领域需求受自主系统普及推动持续增长[4][28] 行业供需预判 * **需求端**：AI数据中心建设热潮持续推动内存与存储需求急剧增长，公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位元需求增速预期均较此前提升，其中DRAM位元需求增长率预计达20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%[5][13] * **供给端**：行业供应端存在约束，全球洁净室建设交付周期延长，新增产能释放受限[13] 公司预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量均较2025年增长约20%，公司自身相关产品出货量也计划增长约20%，但仍难以全面满足客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位[5][13] FY2026Q2及未来业绩指引 * **营收指引**：预计FY26Q2营收为187亿美元，上下浮动4亿美元，环比增长37.1%，同比增长132.2%[6][28] * **毛利率指引**：预计FY26Q2毛利率在68.0%左右，上下浮动100基点，环比提升11.2个百分点，同比提升30.1个百分点[6][28] * **每股收益指引**：预计FY26Q2每股收益将达到创纪录的8.42美元，上下浮动0.20美元[34] * **未来展望**：公司认为毛利率在FY26Q2之后有进一步提升空间，但增长速度将比过去几个季度更为平缓[44] 2026年HBM产能已经售罄，公司已与客户完成2026日历年的销量和定价谈判[48] 其他关键信息（来自Q&A） * **HBM业务**：公司上调HBM总潜在市场预期，预计到2028年将达到1000亿美元，比之前预期提前两年[38][42] 2025年第三季度，公司HBM市场份额已达到与其DRAM整体市场份额相当的水平[41] 2026年将同时供应HBM3E和HBM4，HBM4良率爬坡速度预计快于HBM3E[36] * **长期协议**：公司正与多家核心客户洽谈涉及DRAM和NAND产品的多年期合同，合同结构与以往的一年期合同不同，具有更严谨的结构和明确的承诺[31][47] * **供应状况**：中期来看，公司只能满足多家核心客户50%到三分之二的需求[35][47] 供应紧张环境预计将持续，非HBM DRAM的供应也将保持紧张[38] * **企业级SSD**：企业级SSD业务增长势头强劲，人工智能从训练向推理的快速演进正在推动企业级SSD的需求增长[39][40]

周三（ 12月17日）美股盘后，在AI数据中心需求爆发、存储芯片供应持续趋紧的背景下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期 的2026财年第一季度（截至11月27日的三个月）营收和利润，并对当前财季业绩给出了强劲的指引。 美光科技第一财 季度营收 136亿美元，环比增长20%，好于市场预期（129亿美元）， 本季度收入增长主要来自于 DRAM和NAND业 务的双重带动。 | Quarterly Financial Results | | | | | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | (in millions, except per share | | GAAP(1) | | | Non-GAAP(2) | | | amounts) | FQ1-26 | FQ4-25 | FQ1-25 | FQ1-26 | FQ4-25 | FQ1-25 | | Revenue | દ 13,643 ક | 11,315 દ | 8.709 | ક 13,643 | દ 11,315 ક | 8.709 | | Gross margin | 7.646 | 5 ...

美光科技2026财年第一季度业绩 - 公司HBM业务增长的核心驱动力是AI需求 [2] - 2026年的HBM3E与新一代HBM4产能已被客户提前预订 公司正在加速向客户交付 [2] - 为巩固市场地位并应对行业长期供不应求的局面 公司正积极扩大产能 并在先进封装等领域加大投资 [2] 中信建投期货2026年度宏观金融与量化策略 - 海外宏观周期对标70/80年代债务周期 [5] - 国内经济呈U型走势 国债行情可期 [5] - 策略会将深度拆解股指套利策略 金融期权策略及CTA复苏展望 [5] 《财经》年会2026：预测与战略暨全球财富管理论坛 - 多位权威专家将围绕“十五五”开局之年的经济走势展开深度对话 [9] - 重点探讨议题包括：机制创新激发企业活力 宏观政策与改革双轮驱动 收入分配与经济增长 碳中和产业变革 [9] 国信证券AI投资研究分享 - 分享内容涵盖金融垂类大模型辅助投资研究的案例 [12] - 分享内容涵盖通用大模型辅助投资研究的案例 [12] - 分享内容涵盖近期海外AI+投资的案例 [12] 东吴证券环保公用事业2026年年度策略 - 红利主线关注要素市场化 具体看好垃圾发电领域 驱动因素包括炉渣涨价 供热提效及出海 预计将推动ROE和分红双增长 [15] - 成长主线关注龙净环保第二曲线 美埃科技与景津装备的下游成长 以及AI赋能环卫电动化 [15] - 双碳主线关注非电可再生考核及欧盟碳关税实施在即带来的机遇 具体领域包括生物油 绿醇及危废资源化 [15]

Micron Technology (NasdaqGS:MU) Q1 2026 Earnings Call December 17, 2025 04:30 PM ET Company ParticipantsMark Murphy - CFOSatya Kumar - Head of Investor RelationsSanjay Mehrotra - CEOConference Call ParticipantsTom O'Malley - Research AnalystVivek Arya - AnalystChris Danely - Managing Direct and Semiconductor AnalystC.J. Muse - Senior Managing Director and AnalystKrish Sankar - AnalystHarlan Sur - AnalystTimothy Arcuri - AnalystOperatorAs a reminder, today's program is being recorded. And now I'd like to int ...