今日（1月8日），全球芯片巨头三星电子最新披露的业绩显示，2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元（约合人民币965亿元），同比大幅飙涨 208%，高于市场预期。分析指出，这一业绩主要受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮。 另外，台积电也传来利好催化。据最新消息，台积电3nm制程持续供不应求，有业内人士透露，台积电今年除调高3nm报价外，已暂时停 止3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的报告中，大幅上调了台积电的目标价。 四季度营业利润飙涨208% 1月8日，三星电子发布了2025年第四季度初步业绩，其中显示，公司2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元，较上年同期大幅增长 208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。 初步业绩报告显示，三星电子第四季度销售额同比增长23%，至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续两个季度突破80万亿韩元，2025 年第三季度的销售额为86万亿韩元。 有分析指出，三星电子炸裂的业绩背后是，供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。 里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，202 ...

这也是三星电子成立以来，单季度营业利润首次突破20万亿韩元里程碑。 21世纪经济报道记者 彭新 受益于AI服务器需求激增引发的存储芯片价格上涨，三星电子业绩表现强 劲。1月8日，三星发布的初步业绩显示，2025年第四季度公司营业利润同比暴增208.2%至20万亿韩元 （约合138亿美元），远超市场预期的17.8万亿韩元；销售额同比增长22.7%至93万亿韩元，亦高于预期 的90.6万亿韩元。 值得注意的是，这也是三星电子成立以来，单季度营业利润首次突破20万亿韩元里程碑。受存储芯片需 求的长期利好拉动，三星股价半年来累计上涨超128%。三星计划于1月29日公布详细业绩。 AI需求引爆业绩 同时，根据集邦咨询1月8日发布的最新调查结果显示，这一追赶进程正迎来关键变化。 集邦咨询称，受AI热潮刺激，英伟达前一代Blackwell产品需求优于预期，加之其近期将下代Rubin平台 的HBM4规格上修，致使三大供应商需重新设计，HBM4的量产时间点预计将延后至2026年第一季末至 第二季之间。但这为技术储备深厚的三星提供了追赶的窗口。 该机构还指出，相比于竞争对手，三星HBM4率先采用1Cnm制程，并在基础裸晶（Bas ...

英伟达Vera Rubin平台全面投产 - 在CES 2026展会现场，英伟达CEO黄仁勋正式宣布新一代AI超级计算平台Vera Rubin已进入全面投产阶段 [1] - Rubin GPU搭载第三代Transformer引擎，NVFP4推理/训练算力达到50/35 PFLOPS，达到前代Blackwell的5/3.5倍 [1] - Rubin GPU的HBM4带宽为22TB/s，为前代的2.8倍，晶体管数量达3360亿个，为Blackwell的1.6倍 [1] 存储架构重构以解决内存瓶颈 - Rubin平台重构HBM-DRAM-NAND三层存储架构，旨在解决Agentic AI时代因漫长对话历史和复杂上下文产生的巨大KV Cache所带来的“内存墙”困境 [1][2] - 平台推出由BlueField-4驱动的第三层推理上下文内存存储平台，使每秒处理的token数提升高达5倍 [2] - 新架构将LPDDR5X和HBM4视为单一的一致性内存池，减少数据移动开销，并支持KV缓存卸载和高效多模型执行 [4] HBM4成为核心计算组件 - Rubin GPU集成新一代高带宽内存HBM4，其接口宽度较HBM3e增加一倍 [3] - 每颗Rubin GPU的HBM4容量为288GB，带宽22TB/s，通过新内存控制器及深度协同设计，内存带宽几乎达到Blackwell的三倍 [1][3] - HBM4单价较HBM3e显著提升，有望明显带动内存原厂的毛利率提升 [1][3] DRAM市场迎来结构性涨价周期 - Vera CPU升级为LPDDR5X，与SCF结合提供高达1.5TB容量和1.2TB/s带宽，负责存放温热数据（KV缓存） [4] - 服务器端高端DRAM价格和盈利显著提升，消费端DRAM在被动挤压中承受成本压力和价格传导，形成“AI优先”的新一轮结构性涨价周期 [4] NAND需求与价格展望 - Vera Rubin在机架内部署BlueField-4处理器，专门管理KV Cache，其集成了64核Grace CPU、高带宽LPDDR5X内存及ConnectX-9网络 [5] - BlueField-4 DPU内存存储平台为每个GPU额外增加16TB内存，对于NVL72机架则增加1152TB内存 [5] - 受云服务商和AI应用需求增长驱动，行业预计2026年全年NAND价格将出现两位数百分比上涨 [1][5] 投资建议关注标的 - 看好存储产业链叙事升级逻辑，建议关注海外龙头：海力士、三星、美光(MU.US)、闪迪(SNDK.US)、铠侠(KIOX.US)等 [6] - 同时建议关注国内标的：香农芯创(300475.SZ)、德明利(001309.SZ)、兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、同有科技(00302.SZ)等 [6]

行业动态：HBM4规格调整与量产延期 - NVIDIA于2025年第三季调整了其Rubin平台的HBM4规格，将Speed per Pin的要求上修至高于11Gbps [1] - 规格调整导致三大HBM供应商需要修正其设计 [1] - AI热潮刺激了NVIDIA前一代Blackwell产品的需求，表现优于预期 [1] - NVIDIA顺势调整了Rubin平台的量产时程 [1] - 上述两项因素共同导致HBM4的放量时间点延后 [1] - 预期HBM4最快将于2026年第一季末进入量产 [1]

英伟达HBM4规格调整与量产延迟 - 英伟达于2025年第三季调整其Rubin平台的HBM4规格，将Speed per Pin的要求上修至高于11Gbps，导致三大HBM供应商需修正设计 [1] - 由于AI热潮刺激前一代Blackwell产品需求优于预期，英伟达同步调整了Rubin平台量产时程表 [1] - 上述两项因素导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产 [1] HBM供应商动态与竞争格局 - 三大HBM供应商SK海力士、三星、美光均已重新送样其HBM4产品，并持续调整设计以符合更严格的规格要求 [1] - 三星的HBM4率先采用1Cnm制程，其base die采用自家晶圆代工厂的先进制程，未来将支持相对高速的传输规格，有望成为第一个通过验证的供应商，并在后续Rubin高规格产品供给上占据优势 [1] - SK海力士因HBM合约已经谈妥，预期在2026年的供应位元上仍占有绝对优势 [1] 英伟达产品策略与需求影响 - AI带动2026年上半年Blackwell系列产品需求大幅成长，英伟达上调了上半年B300/GB300出货目标并上修HBM3e订单 [2] - 英伟达对Blackwell产品需求的上调及对Rubin平台量产时程的调整，为三大HBM供应商提供了额外调整HBM4产品的时间 [2] - 根据目前验证情形，预计各家HBM4量产的时间点最快将落于2026年第一季末至第二季之间 [2]

人民财讯1月8日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA(英伟达)于2025年第三季调整Rubin平 台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外， AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导 致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。 ...

根 据 Tr e n dFo r c e 集 邦 咨 询 最 新 调 查 ， NVIDIA （ 英 伟 达 ） 于 2 0 2 5 年 第 三 季 调 整 Ru b i n 平 台 的 HBM4规格，上修对Sp e e d p e r Pi n的要求至高于11Gb p s，致使三大HBM供应商需修正设计。 此 外 ， AI 热 潮 刺 激 NVIDIA 前 一 代 Bl a c kwe ll 产 品 需 求 优 于 预 期 ， Ru b i n 平 台 量 产 时 程 顺 势 调 整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2 0 2 6年第一季末进入量产。 Jan. 8, 2026 产业洞察 近期文章精选 TrendForce Tr e n dFo r c e集邦咨询表示，SK h y n i x（SK海力士）、Sams u n g（三星）、Mi c r o n（美光）皆 已重新送样其HBM4产品，并持续调整设计，以回应NVIDIA更严格的规格要求。与竞争对手相 比，Sams u n g的HBM4率先采用1Cnm制程，在b a s e d i e更采用自家晶圆代工厂的先进制程，未 来将能支持相对高速 ...

行业投资评级 - 行业投资评级为“强于大市”，且评级维持不变 [2] - 行业收盘点位为5469.82，52周最高点为5841.52，52周最低点为3966.07 [2] 核心观点 - 报告核心观点围绕英伟达新一代AI超级计算平台Vera Rubin全面投产展开，认为其重构了AI存储架构，将带动存储产业链叙事升级 [5][6] - 英伟达Vera Rubin平台通过重构HBM-DRAM-NAND三层存储金字塔，旨在解决Agentic AI时代的“内存墙”和上下文存储瓶颈问题 [6] - 报告看好存储产业链的投资机会，并给出了具体的海外龙头和国内标的建议 [8] 技术进展与产品规格 - **Vera Rubin平台全面投产**：在CES 2026上，英伟达宣布Vera Rubin AI超级计算平台进入全面投产阶段 [5] - **Rubin GPU性能大幅提升**：搭载第三代Transformer引擎，NVFP4推理算力达50 PFLOPS，训练算力达35 PFLOPS，分别为前代Blackwell的5倍和3.5倍；HBM4带宽22TB/s，为前代的2.8倍；晶体管数量3360亿个，为Blackwell的1.6倍 [5] - **存储架构重构**：推出由BlueField-4驱动的第三层推理上下文内存存储平台，使每秒处理的token数提升高达5倍，以解决巨大的KV Cache存储需求 [6] 存储层级分析 - **HBM4成为计算核心**：Rubin GPU集成HBM4，每颗容量288GB，带宽22TB/s，接口宽度较HBM3e增加一倍，内存带宽几乎是Blackwell的三倍；HBM4单价较HBM3e显著提升，有望带动原厂毛利率提升 [6] - **DRAM角色与价格变化**：Vera CPU升级为LPDDR5X，内存子系统高达1.5TB（Grace为480GB），带宽达1.2TB/s（Grace为512GB/s）；服务器端高端DRAM价格和盈利显著提升，消费端DRAM承受成本压力，形成“AI优先”的结构性涨价周期 [6] - **NAND成为通胀品**：BlueField-4 DPU内存存储平台为每个GPU额外增加16TB内存，对于NVL 72机架则增加1152TB内存；受云服务商和AI应用需求增长驱动，行业预计2026年全年NAND价格将出现两位数百分比上涨 [6][7] 投资建议 - 报告建议关注存储产业链，具体标的分为两类 [8] - **海外龙头**：包括海力士、三星、美光、闪迪、铠侠等 [8] - **国内标的**：包括香农芯创、德明利、兆易创新、普冉股份、同有科技等 [8]

公司业绩与财务表现 - 截至12月的三个月内 三星电子初步营业利润为20万亿韩元 约合138亿美元 同比增长208% 超出分析师平均预期 [1] - 同期营收增长23%至93万亿韩元 创下历史新高 [1] - 2025年第四季度初步营业利润率达到21.5% [7] - DRAM的营业利润率在第四季度可能超过50% 并有望在2026年第一季度进一步提升 [7] 市场反应与股价表现 - 公司股价周四早盘在首尔一度上涨2.5% 延续了年初以来20%的涨势 [1] - 竞争对手SK海力士的股价上涨了6.2% [1] - 三星股价在2025年的价值已翻了一番多 本月再次飙升 [4] - 仅上周 10多位分析师就上调了三星的目标价 [4] 行业需求与市场动态 - 全球对人工智能服务器的需求大幅推高了内存芯片价格 [1] - 包括人形机器人和无人驾驶汽车在内的新兴领域需要内存 标榜人工智能功能的设备也推动了对DRAM和NAND的需求飙升 [4] - 消费电子产品的价格已经开始上涨 半导体供应方面将会出现问题 [7] - Counterpoint Research预测 本季度DDR5的价格将比前三个月上涨40% 第二季度还将再上涨20% [7] 产品结构与技术进展 - 公司受益于市场对传统DRAM 高带宽内存HBM以及NAND闪存芯片的强劲需求 [7] - 传统DRAM为公司贡献了较高的营收 [7] - 公司在全球NAND闪存芯片市场占据领先地位 有助于其在2026年实现利润增长 [7] - 公司去年向英伟达交付了其先进的HBM4样品进行认证测试 有望在今年上半年开始量产HBM4 以支持英伟达即将推出的Rubin处理器 [7] - 分析师预计 随着HBM4进入商业供应阶段 公司的HBM总出货量将在2026年增长两倍 [7]

公司Q4业绩指引 - 公司发布2025年第四季度初步业绩指引，营业利润预计高达20万亿韩元（约138亿美元），创下历史纪录 [1][2] - 该营业利润指引同比大幅增长208%（翻三倍），环比激增64%，远超分析师平均预期的17.8万亿韩元 [1][2][4] - 第四季度销售额预计达到93万亿韩元的历史高位，同比增长约23%，环比增长约8% [1][2][4] 业绩驱动因素：AI驱动的存储芯片市场 - 业绩增长并非需求全面复苏，而是由AI浪潮驱动的供给侧结构性变化 [5] - 为满足AI巨头对高带宽内存（HBM）和企业级SSD的强劲需求，存储制造商将产能转向高端芯片，导致标准存储芯片出现严重短缺 [5] - 第四季度DRAM平均售价环比跳涨30%以上，NAND价格环比上涨约20% [5] - 据TrendForce数据，某类DRAM芯片合约价格在第四季度同比暴涨313% [5] - 市场此前低估了超大规模云服务商为抢夺DRAM资源而支付溢价的意愿，以及供应危机的严重程度 [5] 华尔街对未来的预期 - 华尔街押注存储芯片价格将“失控式”上涨，市场将进入极其剧烈的卖方市场 [7] - 花旗警告2026年全球将面临存储芯片“严重供应短缺”，并预测2026年服务器DRAM平均售价将同比暴涨144%，企业级SSD价格预计上涨87% [7] - 基于此，花旗预计公司2026年营业利润将飙升至155万亿韩元，同比激增253% [7] - CLSA分析师指出，超大规模云服务商愿意支付溢价抢货，价格强势将贯穿2026年全年，甚至可能持续到2027年上半年 [8] 公司在HBM领域的进展 - 在AI驱动的HBM领域，公司此前一度落后于竞争对手SK海力士和美光科技 [9] - 公司已于去年向英伟达交付了尖端的HBM4样品进行资格测试，市场预期其有望在今年上半年开始大规模生产 [9] - CLSA预计，随着HBM4进入商业供应阶段，公司的HBM总出货量将在2026年增加两倍 [9] - 若顺利通过验证并量产，公司估值逻辑将从周期涨价受益者，转变为AI核心供应链的关键玩家 [9] 涨价对下游的影响 - 存储芯片价格上涨对下游硬件成本造成剧烈通胀，影响不可避免 [10] - 公司移动、电视和家电业务联席CEO承认，不排除提高产品价格的可能性 [10] - DB Securities分析师预测，由于组件成本上升，公司移动业务第四季度利润可能同比下降 [10] - Counterpoint Research预测，用于计算机和服务器的DDR5内存价格在本季度将再上涨40%，并在第二季度继续上涨20% [10] - 公司半导体部门盈利强劲的同时，其消费电子部门及苹果等客户正面临严峻的利润率挤压 [10]