市场表现 - 12月24日A股存储芯片板块普遍上涨，华海诚科涨12.88%，德明利涨超9%，中芯国际、香农芯创、北京君正、江波龙、佰维存储、普冉股份、恒烁股份均录得上涨 [2] - 港股中芯国际、华虹半导体同日亦表现不俗 [2] 价格上涨与供需驱动 - 三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20% [3] - 供应端因厂商加大HBM4产能投入，导致HBM3E产能遭到积压 [3] - 需求端除英伟达外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加 [3] - 在供需两端驱动下，存储芯片领域的涨价潮持续蔓延，三星与SK海力士正加快内存生产以应对AI需求 [3] - 业内人士指出本轮存储产品涨价潮或超出市场预期 [3] 行业前景与市场预测 - 存储芯片在AI时代重要性提升，大模型参数规模指数级增长推动对高性能存储需求，HBM作为AI服务器关键组件正迎来爆发式增长 [3] - 摩根士丹利预测鉴于明年存储领域可能出现供需失衡，内存芯片行业将迎来“超级周期” [3] - 市场需求高企背景下，存储芯片行业出现供不应求、涨价、转变订货模式等一系列连锁反应 [3] 公司动态与市场数据 - 美光科技透露其2026年（日历年）全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄 [4] - 美光预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年达到1000亿美元（2025年为350亿美元） [4] - 美光预计2026年资本支出将达200亿元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供应 [4] 国内产业链机遇 - 在全球存储市场高景气度背景下，国内存储芯片产业链公司正迎来“价格回升”与“国产替代”的双重历史性机遇 [4] - 随着产品价格进入上升通道，相关公司盈利能力有望显著改善，这是近期国内存储芯片概念股反复活跃的重要原因 [4]

三星电子DDR4产能策略调整 - 公司原计划大幅削减DDR4/LPDDR4X产能，仅维持对长期特定客户的供应，导致其他应用市场供应急剧收缩甚至停产 [2] - 由于DDR4 16Gb现货价格飙升，公司内部策略发生转变，计划在2024年第四季度放缓DDR4的停产速度 [2] - 公司计划在2026年第一季度与特定客户签订NCNR长期供货合约，以确保产能调度获得最大利润，主要供应服务器等级订单 [2] - NCNR合约意味着“不得取消或更改”，通常在客户预期长期缺货且价格大涨时签订，供应商以此换取稳定的长期供货承诺 [2] SK海力士HBM4研发与交付进展 - 公司采用改进型电路的HBM4晶圆预计将于2024年11月底完成晶圆制造，并计划于2025年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品 [4] - 为满足英伟达紧迫的开发进度，公司在2024年9月提供首批客户样品时，跳过了内部预发布评审流程 [4] - 在后续的认证流程中，系统级封装测试暴露了速度和可靠性问题，问题根源在于为提升速度而进行的电路线路设计修改 [4] - 公司通过与英伟达、台积电进行三方合作，共享缺陷数据，已查明导致缺陷的具体机制，该缺陷未对工艺良率造成重大影响 [4] - 公司计划按原计划推进HBM4大规模量产，若2025年1月初能提交优化后的样品且质量测试迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升将在第二季度启动 [4]

文章核心观点 - 人工智能驱动的需求激增导致高带宽内存（HBM）供应持续短缺，预计将持续数年，并引发存储芯片行业的结构性转变 [1][2][4] - HBM3E价格因需求远超供应而罕见上涨约20%，且主要存储制造商将产能优先分配给利润更高的HBM及企业级产品，导致消费电子领域面临内存短缺和成本压力 [2][3][11][12] - 存储芯片行业正经历前所未有的繁荣，美光、三星电子和SK海力士等主要厂商的财务表现和未来预期大幅上调，行业竞争格局和增长逻辑发生根本性变化 [4][5][7][16][17] HBM市场供需与价格动态 - HBM3E供应价格已上调近20%，此轮涨价实属罕见，因通常在下一代产品发布前价格会下降 [2] - 价格上涨主因是需求超出预期且供应受限：英伟达H200 AI芯片获准出口中国，谷歌、亚马逊等大型科技公司明年将发布搭载HBM3E的AI加速器，订单激增 [2][3] - 供应受限因三星电子和SK海力士等内存半导体公司正集中精力扩大下一代HBM4的产能，难以满足HBM3E的当前需求 [2][3][4] - 英伟达计划利用现有库存处理首批H200芯片订单，预计总出货量为5000至10000个芯片模块（约40000至80000片芯片） [3] - 谷歌第七代TPU每个设备可搭载8个HBM3E单元，亚马逊Trainium3可搭载4个，与上一代相比HBM容量提升近20%至30% [3] - 预计2025年HBM市场规模约350亿美元，到2028年将以约40%的复合年增长率增长至约1000亿美元，届时将超过2024年整个DRAM市场的规模 [6] - 预计2026年内存产能（包括HBM4）已售罄，美光预测HBM需求将持续强劲 [6] 主要存储芯片公司业绩与展望 - **美光科技**：截至11月27日的季度营收为136.4亿美元，同比增长56.6%；GAAP利润为52.4亿美元，同比增长231%；利润率从上一季度的28.3%上升至38.4% [5] - 美光计划扩大产能以满足HBM需求，包括调整爱达荷州和纽约晶圆厂建设时间表，以及在新加坡建设HBM先进封装工厂 [5][6] - **三星电子**：市场对其明年全年营业利润预期从三个月前的44.1092万亿韩元大幅上调94%至85.4387万亿韩元，有预测可能超过100万亿韩元 [4][7] - **SK海力士**：市场对其明年营业利润预期在三个月内上调66%，从45.9060万亿韩元增至76.1434万亿韩元 [4][8] - 业绩预期上调主要驱动力是DRAM价格上涨以及AI需求推动HBM出货量增加 [7][8] - 存储芯片制造商当前净利润总额已超过不久前的营收水平，财务实力达到前所未有的高度 [17] 存储行业结构性转变与消费电子挑战 - 内存短缺被描述为“前所未有的拐点”，是结构性而非周期性短缺，因制造商将硅晶圆产能从消费电子产品永久性、战略性地重新分配给AI数据中心使用的内存 [11][12] - 分配给英伟达GPU的HBM堆叠的每一片晶圆，都意味着中端智能手机或消费级笔记本电脑缺少一片晶圆，这是一场零和博弈 [12][13] - 预计2026年DRAM和NAND的供应增长将低于历史平均水平，同比分别仅增长16%和17% [13] - 消费电子设备制造商面临挑战：美光已停止直接向消费者销售内存以保障AI和数据中心供应 [9] - 智能手机行业受影响显著：内存成本占中端机型物料清单总成本的15%到20%，高端机型为10%到15% [13] - 成本上涨将挤压TCL、传音、Realme、小米等低利润厂商的利润空间，迫使其提价或降低配置 [14] - 高端市场如苹果和三星拥有结构性优势，能提前锁定供应，但2026年新款旗舰机型可能不会升级内存配置 [14] 行业竞争格局与历史周期对比 - 存储芯片行业传统上具有剧烈的繁荣与萧条周期，产品同质化（大宗商品）及产能建设滞后导致供过于求与价格暴跌 [16] - 目前仅剩四家主要内存芯片制造商，竞争集中 [16] - 当前繁荣被认为与历史不同，AI计算领域的巨额支出带来了复利效应，创造了前所未有的需求，且供应因技术难度高而持续受限 [17] - 三星在满足AI设备制造商需求方面反应迟缓，其以往通过快速提高产量来影响市场的策略此次未能奏效，这有助于维持价格高位 [18] - 考虑到工厂建设周期长，除非AI需求崩溃，否则2026年不太可能出现内存芯片过剩 [18] - 行业形势瞬息万变，就在2023年，SK海力士和美光两家公司合计净亏损超过100亿美元 [18]

全球半导体行业新增长阶段 - 全球半导体行业预计将进入以人工智能为中心的新增长阶段 [1] - 存储器半导体市场预计将继续保持由供应商驱动的超级周期 [1] - 系统半导体市场预计将围绕AI加速器和先进工艺进行重组 [1] 存储器半导体市场动态 - 人工智能服务器所需的高容量、高性能DRAM和NAND闪存需求激增，促使供应商将产能集中于这些领域 [1] - 供应商优先投资改造现有生产线，而非新建晶圆厂，并且对快速扩张产能持谨慎态度 [1] - 美光科技已决定停止面向消费级市场的DRAM和NAND闪存出货，重心转向人工智能数据中心的内存产品 [2] - 三星电子和SK海力士已将其大部分DRAM产能分配给服务器和数据中心的HBM [2] HBM市场前景 - 预计明年对HBM的需求将保持强劲 [2] - 新年伊始，HBM市场仍将面临供应短缺，存储器制造商已经敲定了明年大部分HBM供应合同 [2] - 预计HBM3E的出货量将因市场对NVIDIA"Blackwell"系列产品的需求而增长 [2] - HBM4预计将从明年下半年开始实现显著增长，其输入/输出端口数量较前几代产品翻了一番，预计将被定位为高附加值产品 [2] - 三星电子和SK海力士正集中精力进行样品测试和工艺验证，以确保HBM4及时实现商业化 [2] 韩国半导体行业机遇 - 韩国半导体行业有望摆脱其在存储器领域的垄断地位，并在AI系统半导体和代工领域探索新的增长引擎 [1] - 在系统半导体领域，预计韩国人工智能半导体产业将从新年开始出现显著增长 [2] - 韩国企业正在人工智能数据中心、服务器和边缘加速器等领域快速验证和展示其技术 [2] - 包括Rebellions和Furiosa AI在内的韩国人工智能半导体初创公司正积极推进商业化进程，重点研发面向数据中心的人工智能加速器和NPU [3] - 新的一年有望成为韩国人工智能半导体企业获得市场认可的转折点 [3] 系统半导体与代工生态 - 三星电子的晶圆代工业务被认为是人工智能半导体增长的关键驱动力 [3] - 三星电子正积极争取高性能半导体订单，重点发展超精细工艺，例如2纳米 [3] - 人工智能半导体需要大规模芯片设计、复杂工艺流程和先进封装技术 [3] - 三星电子正利用其涵盖晶圆代工和封装的综合半导体制造能力，拓展与韩国人工智能半导体企业的合作机会 [3] - 新的一年是韩国人工智能半导体设计-代工-封装生态系统真正开始运转的起点 [3] 行业核心观点总结 - 半导体市场将围绕人工智能同时重组存储器和系统半导体 [4] - 在存储器方面，通过HBM实现的超高市场差距将得到加强 [4] - 在系统半导体方面，韩国的人工智能半导体和代工厂可能会成为新的增长引擎 [4]

公司股价与交易表现 - 截至发稿，ASMPT早盘股价上涨4.03%，报77.35港元，成交额达3157.47万港元 [1] 核心订单与财务影响 - SK海力士向ASMPT订购了7套热压键合机系统，每套系统配备两个键合头 [1] - 每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为300亿韩元，约合1.5亿人民币 [1] 行业竞争与市场机会 - SK海力士此决策源于韩国本土设备供应商韩美半导体与韩华半导体因专利纠纷陷入内耗 [1] - SK海力士计划于2026年3月再订购100套用于HBM4生产的TC键合机，以配合清州M15X晶圆厂的扩产 [1] - 届时ASMPT、韩美、韩华三方将展开更激烈的订单争夺 [1] - 若韩系厂商无法尽快解决专利纷争，ASMPT或将进一步扩大市场份额，甚至主导HBM4设备供应 [1]

报告投资评级 - 行业投资评级：强于大市（维持）[1] 报告核心观点 - 存储行业正迎来强劲上行周期，AI持续拉动需求，行业供应紧张情况将持续至2026年，推动存储产品量价齐升 [5][6] - 美光科技（Micron）FY26Q1业绩超预期，数据中心需求强劲，高端产品如HBM、高容量SSD推进顺利，公司对未来季度业绩给出强劲指引 [6] - 报告认为本轮存储周期从强度和持续性方面都将超过上一轮，相关产业链企业有望迎来盈利水平明显提升 [7] 业绩表现与指引 - **FY26Q1业绩超预期**：Non-GAAP营收达136.4亿美元，同比增长57%，环比增长21%，Non-GAAP净利润达54.8亿美元，同比增长169%，环比增长58% [3][6] - **毛利率大幅提升**：FY26Q1单季度毛利率达56.8%，同比提升17个百分点，环比提升11个百分点 [6] - **FY26Q2业绩指引强劲**：预计营收区间为183-191亿美元，以中值187亿美元计算，将同比增长132%，环比增长37%，预计毛利率区间为67%-69%，以中值68%计算，同比提升30.1个百分点，环比提升11.2个百分点 [6] 业务部门表现 - **云数据业务创纪录**：收入达53亿美元，创历史记录，毛利率同比提升15个百分点 [6] - **各业务部门收入**：核心数据中心业务部门收入24亿美元，移动及客户端业务部门收入43亿美元，汽车及嵌入式业务部门收入17亿美元 [6] - **DRAM业务**：FY26Q1营收108亿美元，同比增长69%，占公司整体营收79%，DRAM位元出货量环比略增，但产品平均售价（ASP）环比增长20% [5][6] - **NAND业务**：FY26Q1营收27亿美元，同比增长22%，占公司整体营收20%，位元出货量实现中高个位数环比增长，产品ASP环比增长达两位数 [7] 数据中心与高端产品进展 - **数据中心需求强劲**：AI高景气推动AI数据中心加速建设，带动高性能和高容量存储需求显著增长 [6] - **HBM产品**：2026年的HBM产品价格与数量已与客户达成协议，HBM4产品预计将于FY26Q2推出，速率高达11Gbps [6] - **LP DRAM产品**：已推出192GB LP SOCAMM2产品样片，可实现超过50TB的机架级LP DRAM密度 [6] - **数据中心NAND产品**：FY26Q1营收突破10亿美元，基于G9 NAND技术的SSD已收获大量客户需求，122TB和245TB容量的QLC SSD处于多家超大规模客户认证过程中 [5][6] - **PCIe Gen6 SSD**：推出了全球首款PCIe Gen6 SSD，产品处于加速认证中 [5] 技术与产能展望 - **DRAM技术节点**：1-gamma DRAM产品推进顺利，预计将成为公司2026财年DRAM位元出货增长的重要驱动力，同时积极开发1-delta和1-epsilon技术节点 [5][7] - **NAND技术节点**：正加速推进G9节点产品的量产，在数据中心和cSSD方面取得不错的良率提升，预计2026财年G9节点将成为公司NAND出货位元增长的主要推手 [7] - **行业供应紧张**：由于AI数据中心加速建设不断催生存储需求，未来存储行业供应总量将远低于市场需求，存储供应紧张情况将持续至2026年，存储产品呈现量价齐升态势 [5] 投资建议 - 报告建议关注相关产业链企业，包括：北方华创、中微公司、拓荆科技、京仪装备、华海清科、精智达、江波龙、香农芯创、德明利、兆易创新、佰维存储、北京君正 [7]

报告投资评级 * 报告未明确给出对美光科技（MU）的具体投资评级（如“买入”、“持有”等）[1][7][8] 报告核心观点 * 美光科技FY2026Q1业绩全面超预期，营收、各业务部门及产品线营收均创历史记录，毛利率大幅超越指引上限，主要受益于AI驱动的强劲需求、行业供应紧张带来的价格上涨以及有效的成本控制和产品组合优化[2][12] * 公司对行业前景极为乐观，预计AI数据中心建设热潮将持续推动内存与存储需求急剧增长，而行业总供给在可预见的未来难以匹配需求增长节奏，供需紧张态势将延续至2026年及以后，行业景气度有望维持高位[5][13] * 公司给出FY26Q2强劲指引，预计营收环比增长37.1%至187亿美元，毛利率进一步提升至68.0%左右，显示其业绩增长势头强劲且盈利能力持续扩张[6][28] FY2026Q1业绩情况 * **总体业绩**：FY2026Q1实现营收136.43亿美元，环比增长20.6%，同比增长56.7%，高于指引中值（125亿美元）[2][12] Non-GAAP毛利率达56.8%，环比提升11.1个百分点，同比提升17.3个百分点，超过指引区间上限（51.5%±100基点）[2][12] 稀释后每股收益（Non-GAAP）为4.78美元[10] * **产品营收**：DRAM业务营收108亿美元，占总营收79%，环比增长20%，价格环比上涨约20%[16] NAND业务营收27亿美元，占总营收20%，环比增长22%，位元出货量环比增长中高个位数百分比，价格环比上涨十几个百分点[16] * **业务部门营收**：云内存业务部（CMBU）营收53亿美元，环比增长16%，占总营收39%[15] 核心数据中心业务部（CDBU）营收24亿美元，环比增长51%，占总营收17%[23] 移动和客户端业务部（MCBU）营收43亿美元，环比增长13%，占总营收31%[23] 汽车和嵌入式业务部（AEBU）营收17亿美元，环比增长20%，占总营收13%[23] * **供给能力提升**：公司将FY26资本支出计划提升至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设[11] 加速全球产能布局，包括爱达荷州、纽约州的新晶圆厂，以及日本、新加坡、印度工厂的扩建与新建，以构建长期供应支撑体系[11] 终端市场进展与展望 * **数据中心市场**：AI数据中心建设进入大规模扩张阶段，公司预计2025年服务器市场出货量增长率接近20%，且2026年增长势头延续[3][24] HBM4产品具备业界领先的11Gbps以上速度，预计2026Q2高良率量产[3] 数据中心NAND产品组合收入超10亿美元，全球首款PCIe Gen6 SSD认证订单快速增长[3][24] * **PC市场**：公司预计2026年PC市场出货量将实现高个位数增长，但内存供应限制可能制约部分出货[4] 公司已完成基于16Gb/s、1γ的DDR5及G9 PCIe Gen4 QLC SLD内存等多项OEM认证[4] * **手机市场**：公司预期2026年智能手机出货量保持低个位数百分比增长，AI推动内存容量需求提升，旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%，较去年同期翻倍[4] 公司推出1γ 16Gb LPDDR6样品，性能提升超50%[4] * **汽车与工业市场**：L2+及L3级技术普及推动存储需求，公司凭借差异化产品组合，其ASIL认证的LPDDR5X及UFS 4.1 NAND产品需求强劲，已斩获数十亿美元设计订单[4][28] 工业领域需求受自主系统普及推动持续增长[4][28] 行业供需预判 * **需求端**：AI数据中心建设热潮持续推动内存与存储需求急剧增长，公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位元需求增速预期均较此前提升，其中DRAM位元需求增长率预计达20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%[5][13] * **供给端**：行业供应端存在约束，全球洁净室建设交付周期延长，新增产能释放受限[13] 公司预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量均较2025年增长约20%，公司自身相关产品出货量也计划增长约20%，但仍难以全面满足客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位[5][13] FY2026Q2及未来业绩指引 * **营收指引**：预计FY26Q2营收为187亿美元，上下浮动4亿美元，环比增长37.1%，同比增长132.2%[6][28] * **毛利率指引**：预计FY26Q2毛利率在68.0%左右，上下浮动100基点，环比提升11.2个百分点，同比提升30.1个百分点[6][28] * **每股收益指引**：预计FY26Q2每股收益将达到创纪录的8.42美元，上下浮动0.20美元[34] * **未来展望**：公司认为毛利率在FY26Q2之后有进一步提升空间，但增长速度将比过去几个季度更为平缓[44] 2026年HBM产能已经售罄，公司已与客户完成2026日历年的销量和定价谈判[48] 其他关键信息（来自Q&A） * **HBM业务**：公司上调HBM总潜在市场预期，预计到2028年将达到1000亿美元，比之前预期提前两年[38][42] 2025年第三季度，公司HBM市场份额已达到与其DRAM整体市场份额相当的水平[41] 2026年将同时供应HBM3E和HBM4，HBM4良率爬坡速度预计快于HBM3E[36] * **长期协议**：公司正与多家核心客户洽谈涉及DRAM和NAND产品的多年期合同，合同结构与以往的一年期合同不同，具有更严谨的结构和明确的承诺[31][47] * **供应状况**：中期来看，公司只能满足多家核心客户50%到三分之二的需求[35][47] 供应紧张环境预计将持续，非HBM DRAM的供应也将保持紧张[38] * **企业级SSD**：企业级SSD业务增长势头强劲，人工智能从训练向推理的快速演进正在推动企业级SSD的需求增长[39][40]

核心观点 - 美光科技2026财年第一季度业绩远超预期，并对第二财季给出强劲指引，主要受AI数据中心需求爆发和存储芯片供应紧张推动，公司股价应声大涨[1][3][6] - 公司管理层表示，AI驱动的需求正在加速增长，2026年高带宽内存（HBM）已全部售罄，且HBM市场总规模有望提前两年在2028年达到1000亿美元[10][12] - 尽管公司正在大力扩产，但HBM及存储芯片整体供需缺口巨大，仅能满足关键客户约50%至三分之二的需求，供应紧张预计将持续[1][11] - 与AI相关的需求是公司最大增长驱动力，不仅提升了AI产品利润率，也带动了非AI产品利润率，同时公司估值相对于行业仍处于低位[13][14] 财务业绩表现 - **第一财季营收**：达到136亿美元，环比增长20%，超过市场预期的129亿美元[3][4] - **第一财季毛利率**：GAAP毛利率为56.0%，Non-GAAP毛利率为56.8%，远超卖方及买方预期[4] - **第一财季盈利**：GAAP净收入为52.4亿美元，稀释后每股收益为4.60美元；Non-GAAP净收入为54.82亿美元，稀释后每股收益为4.78美元[4] - **第二财季指引**：预计营收为187亿美元（上下浮动4亿美元），远超市场预期的143亿美元；预计调整后每股收益为8.42美元，远超分析师预期的4.78美元[6] 业务部门表现 - **云存储业务部门**：销售额为52.84亿美元，同比增长近100%；毛利率为66%，营业利润率为55%[5] - **核心数据中心业务部门**：销售额为23.79亿美元，同比增长4%；毛利率为51%，营业利润率为37%[5] - **移动与客户端业务部门**：营收为42.55亿美元；毛利率为54%，营业利润率为47%[5] - **汽车与嵌入式业务部门**：营收为17.20亿美元；毛利率为45%，营业利润率为36%[5] 产品结构与定价 - **收入构成**：DRAM业务占总营收的79%，NAND占20%[10] - **销量变化**：DRAM销量环比小幅提升，NAND销量环比增长中高个位数百分比[10] - **平均售价变化**：DRAM平均售价环比提升约20%，NAND平均售价环比提升中双位数百分比[4][10] - **DRAM业务**：实现营收108亿美元，环比增长20%，主要由价格上涨驱动，销量仅略有增加[4][9] 高带宽内存（HBM）与市场需求 - **HBM供需状况**：2026年（日历年）的HBM供应已全部售罄，供需缺口巨大，仅能满足关键客户约50%至三分之二的需求[1][10][11] - **HBM市场前景**：预计HBM总潜在市场规模将在2028年达到1000亿美元（2025年为350亿美元），较此前预测提前两年[10][12] - **产品路线**：2026年将同时提供HBM3E和HBM4产品组合，与多家生态系统客户合作[12] - **需求来源**：AI GPU热潮及专用集成电路（ASIC）市场扩张共同驱动HBM需求，例如谷歌TPU和亚马逊Trainium芯片[15][16] 产能扩张与资本支出 - **产能扩张计划**：位于爱达荷州的两座新晶圆厂预计2027年年中投产；纽约新厂计划2026年初动工，产能形成需等到2030年[11] - **资本支出**：2026财年资本支出计划从180亿美元提升至约200亿美元，主要用于提升HBM产能及1-gamma产品供应能力[12] - **供应增长来源**：技术节点转型是2026财年供应增长的主要来源，公司正加速设备下单和工厂建设[11] 行业地位与估值 - **行业评价**：摩根士丹利评论美光业绩为“美国半导体史上最大的惊喜（不包括英伟达）”[1]；分析师认为公司是AI需求下的“行动派”和赢家之一[13] - **估值水平**：远期市盈率仅为12.61倍，远低于行业平均的24.35倍；远期企业价值营收比为4.49倍，略高于行业平均的3.38倍[14] - **增长驱动力**：AI相关需求是最大增长驱动力，不仅提升AI产品利润率，也因产能优先分配而带动非AI产品利润率[13]

美光科技2026财年第一季度业绩 - 公司HBM业务增长的核心驱动力是AI需求 [2] - 2026年的HBM3E与新一代HBM4产能已被客户提前预订 公司正在加速向客户交付 [2] - 为巩固市场地位并应对行业长期供不应求的局面 公司正积极扩大产能 并在先进封装等领域加大投资 [2] 中信建投期货2026年度宏观金融与量化策略 - 海外宏观周期对标70/80年代债务周期 [5] - 国内经济呈U型走势 国债行情可期 [5] - 策略会将深度拆解股指套利策略 金融期权策略及CTA复苏展望 [5] 《财经》年会2026：预测与战略暨全球财富管理论坛 - 多位权威专家将围绕“十五五”开局之年的经济走势展开深度对话 [9] - 重点探讨议题包括：机制创新激发企业活力 宏观政策与改革双轮驱动 收入分配与经济增长 碳中和产业变革 [9] 国信证券AI投资研究分享 - 分享内容涵盖金融垂类大模型辅助投资研究的案例 [12] - 分享内容涵盖通用大模型辅助投资研究的案例 [12] - 分享内容涵盖近期海外AI+投资的案例 [12] 东吴证券环保公用事业2026年年度策略 - 红利主线关注要素市场化 具体看好垃圾发电领域 驱动因素包括炉渣涨价 供热提效及出海 预计将推动ROE和分红双增长 [15] - 成长主线关注龙净环保第二曲线 美埃科技与景津装备的下游成长 以及AI赋能环卫电动化 [15] - 双碳主线关注非电可再生考核及欧盟碳关税实施在即带来的机遇 具体领域包括生物油 绿醇及危废资源化 [15]

财务数据和关键指标变化 - 公司2026财年第一季度业绩远超指引上限，营收、毛利率和每股收益均创纪录 [4] - 第一季度总营收为136亿美元，环比增长21%，同比增长57%，连续第三个季度创下季度纪录 [21] - 第一季度DRAM营收为108亿美元，同比增长69%，占总营收79%，环比增长20% [21] - 第一季度NAND营收为27亿美元，同比增长22%，占总营收20%，环比增长22% [21] - 第一季度综合毛利率为56.8%，环比提升11个百分点，主要受价格上涨、成本控制和有利的产品组合驱动 [22] - 第一季度营业利润为64亿美元，营业利润率为47%，环比提升12个百分点，同比提升20个百分点 [24] - 第一季度非GAAP摊薄后每股收益为4.78美元，环比增长58%，同比增长167% [24] - 第一季度运营现金流为84亿美元，资本支出为45亿美元，自由现金流为39亿美元，创下季度纪录 [25] - 第一季度末库存为82亿美元，环比减少1.5亿美元，库存天数为126天，DRAM库存天数保持在120天以下 [25] - 第一季度末现金及投资为120亿美元，总流动性（含未动用信贷额度）为155亿美元，偿还债务27亿美元后，净现金余额超过2.5亿美元 [25][26] - 公司预计第二季度营收将再创纪录，达到187亿美元（±4亿美元），毛利率约为68%（±100个基点），每股收益预计为8.42美元（±0.20美元） [29][30] 各条业务线数据和关键指标变化 - 云存储业务部营收创纪录，达53亿美元，占总营收39%，环比增长16%，毛利率为66%，环比提升620个基点 [22][23] - 核心数据中心业务部营收创纪录，达24亿美元，占总营收17%，环比增长51%，毛利率为51%，环比提升990个基点 [23] - 移动与客户端业务部营收创纪录，达43亿美元，占总营收31%，环比增长13%，毛利率为54%，环比提升17个百分点 [23] - 汽车与嵌入式业务部营收创纪录，达17亿美元，占总营收13%，环比增长20%，毛利率为45%，环比提升14个百分点 [23] - 数据中心NAND产品组合营收在第一季度超过10亿美元，数据中心SSD产品组合势头强劲 [11] - 第一季度QLC NAND（包括G9 QLC）的占比达到历史新高 [8] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心市场：AI数据中心容量增长推动高性能、高容量内存和存储需求显著增加 [9] 服务器需求显著增强，预计2025年服务器单位增长率为高十位数百分比范围，高于此前预期的10% [10] 预计2026年服务器需求将继续保持强劲 [10] - PC市场：Windows 10生命周期结束和AI PC推动需求，预计2025年PC单位销量将实现高个位数百分比增长，高于此前预期的中个位数增长 [12] 预计2026年需求驱动因素将持续，但内存供应紧张可能影响部分PC出货量 [12] - 移动市场：预计2025年智能手机单位销量将实现低个位数百分比增长 [13] AI推动内存容量增长，2025年第三季度配备12GB DRAM的旗舰智能手机出货占比增至59%，是一年前的两倍多 [14] - 汽车与工业市场：L2+和L3级自动驾驶的采用推动当前强劲需求，客户路线图显示全自动驾驶汽车的内存容量将显著提高 [14] 工业领域需求持续走强，受工厂自动化、航空航天与国防、人形机器人等应用推动 [15] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司认为其处于历史上最佳竞争地位，是半导体行业最大的AI赋能者之一 [7] - 技术领先是核心竞争优势，在DRAM上已连续四个技术节点领先，在NAND上连续三个节点领先，且每个节点的良率爬坡速度都在加快 [8] - 1-gamma DRAM节点进展顺利，将成为2026年DRAM位元增长的主要驱动力，并在2026年下半年成为位元产出的主体 [8] 1-delta和1-epsilon节点正在开发中 [8] - NAND方面，G9节点正在爬坡，技术向G9过渡将成为2026年NAND位元增长的主要驱动力，并预计在2026财年晚些时候成为最大的NAND节点 [9] - 2025年是公司在内部和客户质量指标上的创纪录之年，作为内存行业的质量领导者，这成为重要的差异化因素 [9] - 公司计划将2026财年资本支出从之前估计的180亿美元增加到约200亿美元，主要用于支持HBM供应能力和1-gamma节点在2026年的供应 [17][28] - 正在全球制造基地进行投资以增加长期供应，包括将首座爱达荷州晶圆厂的首次晶圆产出时间提前至2027年中，第二座爱达荷州晶圆厂将于2026年开始建设，纽约州首座晶圆厂计划于2026年初动工 [18][19] - 在新加坡的HBM先进封装工厂预计将在2027年为HBM供应做出重要贡献 [19] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI驱动的需求正在加速，公司正以史上最佳竞争地位抓住这些机遇 [31] - 预计第二季度和整个2026财年将在营收、毛利率、每股收益和自由现金流方面再创多项新纪录 [7] - 持续强劲的行业需求以及供应限制导致市场环境紧张，预计这种状况将持续到2026年之后 [7][16] - 整个行业的总供应量在可预见的未来将大幅低于需求 [16] HBM需求的急剧增长因与DDR5存在3:1的产能置换比而进一步加剧供应环境挑战，且该置换比在未来HBM世代中只会增加 [16] - 预计2025年DRAM位元需求增长率为低20%范围（此前为高十位数百分比），NAND位元需求增长率为高十位数百分比范围（此前为低至中十位数百分比） [17] - 预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量增长将受到供应限制，两者均将比2025年增长约20% [17] 公司预计其2026年DRAM和NAND位元出货量也将增长约20% [17] - 尽管付出巨大努力，公司仍无法满足所有细分市场的客户需求，在中期内仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求 [17][60] - 公司预计2026财年自由现金流将同比显著增长 [28] 其他重要信息 - 公司已完成整个2026日历年HBM供应（包括行业领先的HBM4）的价格和数量协议 [4] - 预计HBM市场规模将以约40%的年复合增长率增长，从2025年的约350亿美元增至2028年的约1000亿美元，这一里程碑比之前的预测提前了两年 [4] - HBM4按计划将于2026年第二季度以高良率开始爬坡，与客户产品爬坡计划一致 [10] HBM4采用先进的CMOS和金属化工艺技术，性能领先，速度超过11Gb/s [10] - 公司已开始向领先的OEM和生态系统合作伙伴送样突破性的1-gamma 16Gb LPDDR6产品 [14] - 在汽车和先进机器人领域优化的ASIL级LPDDR5X和UFS 4.1 NAND产品已获得数十亿美元的设计订单 [15] - 公司内部超过80%的专业人员积极使用生成式AI，自去年以来总使用量增长了十倍，AI在制造、研发和业务职能中提升了生产效率和决策速度 [27] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于与客户的多年度长期协议的性质和期限 [33] - 回答: 公司正在与多个关键客户讨论涉及DRAM和NAND的多年度合同，这些合同与以往的长期协议非常不同，包含具体的承诺和更强的合同结构，但无法透露具体细节 [34][35] 问题: 关于资本支出强度低于通常35%的指标，是否因洁净室空间限制，以及2027财年资本支出是否会接近该水平 [37] - 回答: 资本支出增加主要支持DRAM，特别是HBM和1-gamma节点的爬坡，从2025年到2026年，实体建筑相关的资本支出计划大约翻倍，预计2027年资本支出会增加，但公司将保持纪律性，使供应与需求保持一致，资本强度在市场环境向好时会下降 [51] 问题: 关于资本支出增长相对保守，是否因洁净室空间不足且未显著提前建设时间，以及背后的策略考量 [55] - 回答: 供应问题已持续几个季度，节点转换是2026财年供应增长的主要来源，HBM增长进一步加剧供应压力，洁净室建设需要时间，整个行业预计将供不应求，公司正在现有产能和近期扩张范围内尽一切努力加速工具安装和建设以提供供应，2026年的位元增长数据是受供应限制的 [56][57] 补充: 公司继续在现有产能上进行技术节点转换投资，1-gamma节点将是2026年供应增长的主要驱动力，同时也在进行绿地产能投资和提升日本现有洁净室的技术生产能力，需求基本面非常强劲，供应严重短缺 [58][59][60] 问题: 关于2026日历年DRAM和NAND的成本下降展望，以及从HBM3E向HBM4过渡时是否存在因良率等问题导致的暂时性成本上升 [61] - 回答: 公司在DRAM和NAND上的成本执行一直很好，获得了规模效益，支出控制良好，良率表现不错，2026年下半年至2027年会有新晶圆厂建设的启动成本，但对利润率影响相对较小，1-gamma DRAM和G9 NAND的爬坡进展顺利，将成为成本方面的有利因素，HBM4计划在第二季度开始爬坡以符合客户需求，进展极好，拥有行业领先的超过11Gb/s的性能，预计其良率爬坡将快于HBM3E，2026年的产品组合将基于客户需求包含HBM3E和HBM4 [62][63][64] 问题: 关于ASIC AI XPU（如Google TPU， AWS Trainium）出货量上修是否推动了HBM3E订单，以及如何管理2026年已签约的HBM3E需求与强劲的HBM4需求 [67] - 回答: 2026年将是HBM3E和HBM4的混合，公司与整个HBM客户生态系统的多个客户都有合作，他们都将贡献2026年HBM收入的强劲同比增长，公司将根据客户需求管理两者的组合，2026年HBM供应将紧张，非HBM DRAM也将紧张，公司上调了HBM市场规模预测，预计2028年达到1000亿美元，比之前展望提前两年，客户架构和平台的演进需要越来越多的HBM [68][69][70] 问题: 关于企业SSD业务强劲增长后，是否也与客户签订长期供应协议，以及SSD需求是否更与推理工作负载相关，存储强度是否在推理中高于训练 [70] - 回答: 企业SSD是数据中心业务组合的重要组成部分，公司预计将通过强大的SSD路线图和客户参与继续关注份额增长，正在与多个关键客户讨论的多年度合同中也包含数据中心SSD，这些合同不仅涉及数据中心客户，也涉及多个市场细分领域的客户，在数据中心AI应用中，随着生成式AI向更多视频发展，也推动了对更多SSD的需求，AI从训练到推理的快速演进以及AI模型和应用的快速发展都在推动企业SSD的增长 [71][72] 问题: 关于HBM目前占DRAM业务收入的百分比，以及面对竞争对手在HBM3E上可能更积极，公司对2026年的竞争定位和战略决策的看法 [75][76][77] - 回答: 公司对其竞争地位感觉非常好，HBM4产品拥有行业领先的超过11Gb/s的性能和最佳规格，在功耗方面也保持领先势头（HBM3E比竞争对手低30%），公司对未来的HBM4及更远路线图感觉良好，团队在过去几个季度成功提升了HBM3E的生产能力，在第三季度使HBM份额与DRAM份额保持一致，在供应紧张的环境下，公司将基于战略客户关系、盈利目标和增长目标来管理HBM与非HBM的组合，HBM正在增长，公司也将增长其HBM业务，目前所有DRAM（包括HBM）的供需缺口是前所未见的 [78][79][80][81] 问题: 关于HBM在11月和2月季度的贡献细节 [84] - 回答: 公司不提供具体的细分数据，仅指出第一季度HBM收入创纪录，并预计2026年HBM收入将实现强劲的同比增长 [84] 问题: 关于毛利率在2月季度之后的可持续性和走势 [90] - 回答: 公司不提供第二季度之后的毛利率指引，但指出业务将在年内持续走强，因此相信毛利率可以上升，DRAM和NAND的毛利率都会上升，但在当前高毛利率水平下，相同的价格上涨对毛利率百分比的提升作用会减弱，因此预计第二季度之后的毛利率扩张将比前两个季度更为渐进 [91][92] 补充: 公司预计有利的市场环境将在年内持续，同时成本执行良好，并将位元产品部署到最有价值的市场部分 [94] 问题: 关于在2028年1000亿美元HBM市场规模中，美光的HBM市场份额展望 [96] - 回答: 公司不会具体说明份额，就像管理产品组合中的任何其他产品一样，公司将基于战略原因和客户关系来管理HBM与非HBM的组合，在当前行业基本面持久的有利环境下，公司凭借产品组合的顺风处于非常有利的地位 [97][98][99] 问题: 关于长期客户合同的更多细节，例如预计签署时间和阻碍，以及AI公司是否可能为新建晶圆厂提供资金 [102] - 回答: 公司不会透露与客户合同讨论的具体细节，但指出客户对长期获得充足内存的担忧正在促成与多个关键客户及跨市场领域的建设性对话，讨论中的合同结构与以往任何合同都不同，它们是多年期合同，包含具体的承诺，且合同结构更强有力，在管理合同讨论时，必须考虑公司的总体供应情况，因为中期内仅能满足部分关键客户50%至三分之二的需求 [103][104][105] 问题: 关于HBM定价是否在2026年已售罄的情况下锁定，还是可以像DDR5一样有一定浮动 [106] - 回答: 公司很高兴其产品定位和与客户合作的能力，2026年HBM在数量和价格上的谈判已经完成，HBM具有强大的盈利能力，非HBM业务也表现出健康的盈利能力 [106] 问题: 关于内存价格上涨在多大程度上会影响电子产品（除数据中心和AI市场外）的需求，以及对2026年消费类和传统企业产品需求及内存定价走势的影响 [112] - 回答: 公司已在准备好的发言中指出，在一些消费市场，单位需求可能会受到半导体和内存价格的影响，客户可能会调整产品组合以应对可用供应，这些已计入公司的预测中，即便如此，供应环境仍然非常紧张，需求与供应之间存在巨大缺口，AI体验从数据中心到边缘设备都需要更多内存，没有足够的内存，边缘设备的AI功能和体验就会受到影响，因此AI正在全面推动内存容量的增加和需求，这也是客户与公司就长期多年计划进行供应合作的原因 [112][113][114]