关键要点 在 DRAM 芯片中，存储器阵列包含最密集的特征，但至少它们是规则排列的。在阵列外部，规则 性会消失，但在最困难的情况下，间距仍然可以与阵列内的间距相当，尽管通常更大。这些特征包 括外围最低的金属线，用于感测放大器 (SA) 和子字线驱动器 (SWD) 电路。 一个关键的挑战是这些线条在外观上是蜿蜒曲折的，并且间距在一定范围内变化；局部最大/最小 间距比范围可以从~1.4 到 2。这些间距具有不同的聚焦窗口，而在 EUV 光刻中，这些窗口之间的 距离可能大于光刻胶厚度。 如果将布局相应地分割为带拼接的双重图案，则可以在单次曝光内实现间距均匀性（图 1）。布局 被分割成交替颜色的条纹，每种颜色分配给两次曝光中的一次。特征可能会跨越条纹边界；在这种 情况下，两次曝光需要在边界处正确拼接。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 semiwiki，谢谢。 图 1. 分割金属布局以实现缝合双重图案化，从而获得更好的间距均匀性。 或者，某些特征（如对角线）可能被禁止拼接，从而导致不同的布局分割（图 2）。 图 2. 或者分割金属布局以进行缝合双重图案化，从而实现更好的间距均匀性，避免对角线特 ...