公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自semiengineering 。 要使高 NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进行全面改 变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代方 案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换掩模版 制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 193nm 浸没式和 EUV 光 刻的面积为 26 平方毫米，而由于变形镜头，高 NA 的光罩面积会缩小到该尺寸的一半。将中介层纳 入封装中允许晶圆厂将此类设计拆分为芯片，但中介层仍然必须适合标准场大小。该尺寸由光罩尺寸 （6×6 英寸）决定，光刻扫描仪会将其缩小 4 倍（最大为 676 平方毫米）。对于高 NA（0.55） EUV，该场要小一半，这也会使 EUV 工具的吞吐量减半。结果是每两次曝光的图案都必须拼接在一 起。 IBM研究员Christopher Bottoms 在最近的 SPIE 先进光刻与图案技术会议上表示 ...

高NA EUV光刻技术挑战 - 高NA EUV光刻技术面临电路拼接或掩模版尺寸增大的选择 拼接电路需要精确对准 而改用6×11英寸掩模版可消除拼接但需更换大部分掩模制造基础设施 [2] - 高NA EUV的变形镜头将标准6×6英寸光罩曝光范围减半 导致吞吐量下降50% 需两次曝光拼接图案 [2][3] - 2nm掩模间套刻误差会导致图案关键尺寸至少10%误差 良率面临严峻挑战 [3] 拼接技术对良率的影响 - 拼接边界附近光刻胶线宽会变化 接触孔可能出现重复或椭圆形 边界区域需避免放置关键特征 [6] - 黑色边框与未图案化空白区域导致应力松弛 扭曲邻近多层结构 影响空间图像质量 [6] - 辅助特征需精心放置以防相互干扰 跨越边界的晶圆特征需考虑线端重叠与边界相互作用 [5] 拼接感知设计优化 - 完全排除边界区域电路特征可避免问题 但会导致线路绕行 增加3%功耗并降低3%最大频率 [8] - 优化措施包括防止逻辑块分裂 集群化I/O端口 避免边界附近放置标准单元 使拼接面积损失<0.5% 性能下降约0.2% [9] - 特定区域设计规则可改善边界特征打印 但会破坏整体设计一致性 [9] 大尺寸掩模版方案 - 6×11英寸掩模版可解决拼接和吞吐量问题 ASML现有EUV平台可支持该尺寸无需改动光学元件 [11] - 掩模尺寸增大将影响14类设备 部分设备成本可能翻倍 但能避免高NA工具生产效率下降 [11][12] - EUV掩模版面积翻倍加剧应力管理和缺陷控制挑战 但可提升现有0.33 NA光刻机效率 [12] - 1nm技术节点可能是引入大尺寸掩模版的合适时机 因多数设备需升级 [12]

01 台积电强劲业绩 作者简介： 汤之上隆先生为日本精密加工研究所所长，曾长期在日本制造业的生产第一线从事半导体研发工作，2000年获 得京都大学工学博士学位，之后一直从事和半导体行业有关的教学、研究、顾问及新闻工作者等工作，曾撰写 《日本"半导体"的失败》 、 《"电机、半导体"溃败的教训》 、 《失去的制造业：日本制造业的败北》 等著 作。 背后的反常现象 根据台积电于4月17日公布的2025年第一季度财报，营收为255.3亿美元，同比增长41.6%；营 业利润为123.8亿美元，同比增长56.1%，这两项数字均创下了历年来第一季度（1月至3月）的 历史新高。 我是芯片超人花姐，入行20年，有50W+芯片行业粉丝。 有很多不方便公开发公众号的， 关于芯片买卖、关于资 源链接等， 我会分享在朋友圈 。 扫码加我本人微信 确实，从2015年以来的台积电业绩走势来看， 自2023年起，其营收与营业利润均呈持续增长态 势 ，一度下滑至40%出头的营业利润率，也从2024年第三季度开始恢复到接近50%的水平（图 1）。 资料来源：根据台积电财报由作 者绘制 图1：台积电季度营收、营业利润、营业利润率（截至2025年 ...

报告公司投资评级 - 投资评级为买入 [1] 报告的核心观点 - 公司在精密光学领域取得突破性进展，占据核心卡位，此次签署合同占2024年收入的39.84%，拓展未来发展空间 [3] - 大股东长光所是国内极紫外EUV光刻领域核心力量，承担关键项目，奥普光电在光学加工领域能力提升，有望与长光所深入合作 [4][5][6] - 子公司禹衡光学是国内唯一能量产高端光栅尺的生产商，产品稀缺，受益国产替代，虽2024年业绩下滑但未来批产后规模和价值量将提升 [7] - 参股公司长光辰芯CMOS图像传感器需求持续，2024年收入和净利润同比增长，预计持续为公司业绩提供支撑 [9] - 子公司长光宇航碳纤维复材深度受益商业航天、导弹领域需求爆发，2024年营收和净利增长，完成业绩承诺 [10][11] - 考虑下游需求释放节奏不确定，调整2025年盈利预测并新增2026 - 2027年预测，维持“买入”评级 [12] 相关目录总结 事件概述 - 公司5月6日公告与客户签订2.97亿元某型光学系统研制合同，2024年营业收入7.45亿元，同比下滑3.62%，归母净利0.66亿元，同比下滑23.33%；25Q1营业收入1.66亿元，同比下滑3.63%，归母净利0.14亿元，同比下滑19.31% [2] 分析判断 精密光学领域进展 - 此次签署合同验证公司发展战略，拓展发展空间，此前采购设备，精密光学制造中心预计年内投产 [3] 大股东长光所情况 - 长光所是国内光学领域核心力量，孵化众多企业，2024年重点企业销售收入突破40亿元，业务和产品广泛 [4] - 长光所承担极紫外EUV光刻关键项目，奥普光电在光学加工领域能力提升，控股公司禹衡光学产品对光刻机有重要作用，奥普获长光所技术使用权 [5][6] 子公司禹衡光学情况 - 禹衡光学是国内唯一能量产高端光栅尺的生产商，2024年营收1.67亿元，同比下滑1.8%，净利润808.8万元，同比下滑37.9%，业绩下滑因研发投入增加 [7] - 在半导体领域，增量式反射尺实现1μm最高精度，部分产品通过试行和小批量供货；在数控机床领域，产品价格低，覆盖多家客户，大行程封闭式钢带尺实现国产替代；在机器人领域，多款编码器有应用，与人形机器人主流厂家接触 [8] 参股公司长光辰芯情况 - 长光辰芯是国内CMOS图像传感器龙头企业，2024年实现收入6.73亿元，同比增长11.28%，净利润1.97亿元，同比增长15.98%，预计持续为公司业绩提供支撑，25年1月撤回科创板上市申请 [9] 子公司长光宇航情况 - 长光宇航是国内航天复材领域重要供应商，24年营收2.97亿元，同比增长2.7%，净利0.75亿元，同比增长18.2%，完成业绩承诺，积极开拓新市场 [10][11] 投资建议 - 预计2025 - 2027年公司营业收入分别为9.72/12.10/14.48亿元，归母净利润1.22/1.56/2.02亿元，EPS分别0.51/0.65/0.84元，对应2025年5月12日收盘价，PE分别为99/78/60倍，维持“买入”评级 [12] 盈利预测与估值 |指标|2023A|2024A|2025E|2026E|2027E| |----|----|----|----|----|----| |营业收入(百万元)|773|745|972|1,210|1,448| |YoY（%）|23.3%|-3.6%|30.3%|24.5%|19.6%| |归母净利润(百万元)|87|66|122|156|202| |YoY（%）|5.9%|-23.3%|83.6%|27.8%|29.3%| |毛利率（%）|34.9%|34.5%|34.9%|34.5%|34.5%| |每股收益（元）|0.36|0.28|0.51|0.65|0.84| |ROE|7.0%|5.0%|8.4%|9.7%|11.2%| |市盈率|140.28|180.36|99.36|77.75|60.12|[14] 财务报表和主要财务比率 - 利润表、现金流量表、资产负债表展示了2024A - 2027E的相关数据，包括营业总收入、营业成本、净利润等 [16] - 主要财务指标涵盖成长能力、盈利能力、偿债能力、经营效率、每股指标、估值分析等方面的数据 [16]

报告公司投资评级 - 评级为买入 [1] 报告的核心观点 - 公司在精密光学领域取得突破性进展，占据核心卡位，此次签署合同占2024年收入的39.84%，拓展未来发展空间 [3] - 大股东长光所是国内极紫外EUV光刻领域核心力量，承担关键项目，奥普光电在光学加工领域能力提升，有望与长光所深入合作 [4][5][6] - 子公司禹衡光学是国内唯一能量产的高端光栅尺生产商，产品稀缺，受益国产替代，在多领域有布局和进展 [7][8] - 参股公司长光辰芯CMOS图像传感器需求持续，有望为公司业绩提供重要支撑 [9] - 子公司长光宇航碳纤维复材深度受益商业航天、导弹领域需求爆发 [10][11] - 考虑下游需求释放节奏不确定，调整公司2025年盈利预测，新增2026 - 2027年预测，维持“买入”评级 [12] 根据相关目录分别进行总结 事件概述 - 5月6日公司公告与客户签订2.97亿元某型光学系统研制合同；2024年营业收入7.45亿元，同比下滑3.62%，归母净利0.66亿元，同比下滑23.33%；25Q1营业收入1.66亿元，同比下滑3.63%，归母净利0.14亿元，同比下滑19.31% [2] 分析判断 - 公司在精密光学领域取得进展，4月采购设备，精密光学制造中心预计年内投产使用 [3] - 大股东长光所是国内光学领域重要研究所，近年成果转化设立多家企业，承担极紫外EUV光刻关键项目，奥普光电光学加工能力提升，获长光所技术使用权 [4][5][6] - 子公司禹衡光学是国内唯一量产高端光栅尺生产商，2024年业绩下滑因研发投入增加，在半导体、数控机床、机器人领域有布局和进展 [7][8] - 参股公司长光辰芯是国内CMOS图像传感器龙头，2024年收入6.73亿元，同比增长11.28%，净利润1.97亿元，同比增长15.98%，撤回科创板上市申请 [9] - 子公司长光宇航是国内航天复材领域重要供应商，24年营收2.97亿元，同比增长2.7%，净利0.75亿元，同比增长18.2%，商业航天和导弹领域需求有望带动其发展 [10][11] 投资建议 - 调整公司2025 - 2027年盈利预测，预计营业收入分别为9.72/12.10/14.48亿元，归母净利润1.22/1.56/2.02亿元，EPS分别0.51/0.65/0.84元，对应2025年5月12日收盘价，PE分别为99/78/60倍，维持“买入”评级 [12] 盈利预测与估值 |指标|2023A|2024A|2025E|2026E|2027E| |----|----|----|----|----|----| |营业收入(百万元)|773|745|972|1,210|1,448| |YoY（%）|23.3%|-3.6%|30.3%|24.5%|19.6%| |归母净利润(百万元)|87|66|122|156|202| |YoY（%）|5.9%|-23.3%|83.6%|27.8%|29.3%| |毛利率（%）|34.9%|34.5%|34.9%|34.5%|34.5%| |每股收益（元）|0.36|0.28|0.51|0.65|0.84| |ROE|7.0%|5.0%|8.4%|9.7%|11.2%| |市盈率|140.28|180.36|99.36|77.75|60.12| [13] 财务报表和主要财务比率 - 利润表、现金流量表、资产负债表展示了2024A - 2027E的相关数据，包括营业总收入、营业成本、净利润等 [16] - 主要财务指标涵盖成长能力、盈利能力、偿债能力、经营效率、每股指标、估值分析等方面的数据 [16]

半导体制造工艺竞争 - 台积电正在从FinFET转向Nanosheet架构，并探索CFET（垂直堆叠NFET和PFET）作为器件微缩方案，2023年展示栅极间距48纳米的CFET晶体管，2024年推出最小CFET反相器[1][3][5] - 台积电在二维沟道材料取得突破，首次展示堆叠纳米片架构中单层沟道的电性能，开发出工作电压1V的反相器[5] - 台积电计划开发新型互连技术，包括铜互连新通孔方案、新型铜阻挡层，以及研究气隙金属材料和插层石墨烯以降低电阻[7] 英特尔14A工艺突破 - 英特尔14A节点（2027年风险生产）宣称功耗降低35%，性能功耗比提升15-20%，晶体管密度比18A提高1.3倍[8][9] - 采用PowerDirect背面供电网络和RibbonFET 2晶体管（四层堆叠纳米片），实现更快切换速度[9] - 推出Turbo Cell技术优化CPU/GPU关键路径，通过调整纳米带宽度和配置提升驱动电流，可在同一模块混合高速与节能单元[10][11][12] High NA EUV光刻技术路线 - 台积电放弃在A14节点使用High NA EUV（成本高2.5倍），采用0.33 NA EUV配合多重曝光保持设计复杂度，计划在A14P节点引入[13][14] - 英特尔坚持在14A节点部分层使用High NA EUV（已安装2台设备），但保留Low NA EUV备用方案，两种方案良率持平且设计规则兼容[15][16][17] - High NA EUV可减少40个工艺步骤降低成本，但需两次曝光完成全光罩，而Low NA EUV需三重曝光[18] 技术战略差异 - 台积电侧重成本控制和技术成熟度，延迟High NA EUV应用[13][14] - 英特尔通过High NA EUV寻求技术领先，但吸取10nm节点教训采用双轨开发策略降低风险[19] - 两家公司在背面供电（英特尔PowerDirect）和晶体管架构（台积电CFET/英特尔RibbonFET）上形成差异化竞争[9][3][19]

中国EUV光刻光源技术突破 - 中国科学院上海光机所林楠团队成功开发出LPP-EUV光源，使用固体激光器技术绕过二氧化碳激光，达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义 [2] - 该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE） [2] - 林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，达到商用光源5.5%转化效率的一半 [4] - 光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究 [4] EUV光刻技术背景 - EUV指的是波长13.5nm的极紫外光，比当前主流光刻机用的193nm光源小十五分之一，能在硅片上刻下更小的沟道 [5] - 荷兰ASML是目前世界上唯一使用EUV的光刻机制造商，保持100%的市场份额 [5] - ASML的NXE:3400C和NXE:3400D支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，后者的生产效率相比前者提高了15%至20% [5] - 由于美国商务部对华实施出口管制，ASML等芯片公司自2019年以来被禁止向中国出售其最先进EUV光刻型号 [5] 林楠团队研究成果 - 林楠团队提出了一种基于空间束缚激光锡等离子体的宽带极紫外光高效产生方案，获得了高达52.5%的转换效率，是极紫外波段最高转换效率 [9] - 固体脉冲激光器近十年来取得快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上 [9] - 结果显示，当激光峰值功率密度逐渐升高时，实现了高达3.42%的CE，处于国际靠前水平 [10] - 相关研究为固体激光驱动等离子体EUV光刻光源及量测光源的国产化研发提供了技术支撑 [10] ASML市场表现 - 2024年ASML实现净销售额282.63亿欧元，同比增长2.55%，创下历史新高 [10] - 净利润为75.71亿欧元，较2023年降低了3.4% [10] - 中国成为ASML第一大市场，销售额达到101.95亿欧元，占其全球总营收的36.1% [10] - ASML首席财务官预计2025年中国区销售额占总收入比重将略高于25% [13] 行业竞争格局 - ASML总裁认为由于美国禁止出口EUV设备，中国芯片技术将落后美国等西方国家10年至15年 [11] - ASML首席财务官表示中国确实有可能制造出EUV光源，但相信中国依然需要很多年才能造出一台先进EUV光刻设备 [10]

中国EUV光源技术突破 - 中国研究人员建立运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台 该平台对自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研发工作具有重要意义[1] - 研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所 由前ASML光源技术负责人林楠领导[1][4] - 团队开发出LPP-EUV光源 这是光刻机的核心部件 可能成为中国半导体行业的重大突破[7] 技术细节与性能 - 团队建立的实验平台基于固体激光器技术 与ASML采用的二氧化碳激光驱动技术不同[8] - 团队获得的最大转换效率为3.42% 处于国际靠前水平 超过商业化二氧化碳激光驱动EUV光刻光源效率的一半[10][11] - 理论最大转换效率可能接近6% 团队计划进一步研究以优化结果[2][11] 国际比较与行业背景 - 商用二氧化碳激光驱动的EUV光源转换效率约为5.5%[11] - 团队效率超过荷兰ARCNL在2019年记录的3.2%和瑞士苏黎世联邦理工学院在2021年记录的1.8%[11] - 但落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%和日本宇都宫大学去年的4.7%[11] 行业影响与市场动态 - EUV光刻机已成为高端芯片大规模量产不可或缺的设备 目前仅ASML能够制造但对中国禁售[13] - ASML 2024年净销售额282.63亿欧元 同比增长2.55% 净利润75.71亿欧元 同比降低3.4%[16] - 中国大陆首次成为ASML第一大市场 销售额101.95亿欧元 占其全球总营收约36.1%[16] - ASML计划2025年在北京建立新的回收与维修中心[15]

公司动态 - 前英特尔CEO帕特·基辛格加入EUV光源初创公司xLight担任执行董事长 [1] - xLight计划在2028年前推出基于粒子加速器的EUV光源技术 [3] - 公司正在构建功能齐全的原型，预计2028年可连接ASML扫描仪并运行晶圆 [8] 技术革新 - xLight采用自由电子激光器(FEL)技术，功率是现有LPP光源的4倍 [7][13] - 新技术可将每片晶圆成本降低约50%，资本和运营支出减少3倍以上 [7][13] - 单个xLight系统可支持多达20个ASML系统，使用寿命达30年 [13] - FEL系统具备可编程光特性，支持更短波长光刻技术 [15][17] 行业现状 - 当前EUV光刻采用激光等离子体(LPP)技术，1.5兆瓦电力仅产生500瓦光 [1][5] - ASML现有光源额定功率500瓦，未来需要1千瓦以上功率 [21] - LPP技术已接近物理极限，无法完全支持ASML未来版本扫描仪 [5] 技术对比 - FEL利用粒子加速器产生电子束，通过波荡器产生高强度光束 [10][21] - LPP技术采用二氧化碳激光器将锡液滴喷射成等离子体 [20] - FEL系统比LPP更易于维护且高度可靠 [10] - 日本KEK团队的cERL技术目前仅能产生红外光脉冲 [22] 市场前景 - 每个EUV光源蕴藏数十亿美元市场机遇 [6][8] - 新技术可为每台扫描仪带来数十亿美元额外年收入 [7][13] - 该技术有望延续摩尔定律数十年 [18] - 除半导体外，FEL还可应用于计量、检测、国家安全和生物技术领域 [8]

全球DRAM市场格局变化 - SK海力士首次超越三星电子成为全球DRAM市场冠军，占据36%的市场份额，三星电子以34%位居第二，美光科技以25%排名第三 [1][2][4] - SK海力士的成功主要归功于其在HBM领域的主导地位，占据70%的市场份额 [2][4][6] - 这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位，打破了三星电子长达30多年的统治 [4] HBM技术驱动增长 - HBM产品占SK海力士第四季度DRAM总销售额的40%以上 [7] - SK海力士独家供应12层HBM3E芯片给英伟达的AI加速器 [7] - 公司预计到2027年HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长 [7] - SK海力士计划在2025年将HBM销量翻一番 [7] - 公司预计HBM3E将在2024年上半年占HBM产品的一半以上，并计划在2026年推出12层HBM4作为旗舰产品 [8] 技术研发与制程优势 - SK海力士新的1c DRAM良率达到80%，开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM [10] - 1c工艺约等于11-12纳米，是目前最先进的DRAM技术 [10] - SK海力士在DRAM技术领域暂时超越三星电子 [11] - 三星电子在1c DRAM模块开发中遇到良率问题，正在重新评估以提高良率 [11][12] - SK海力士计划将1c技术应用于HBM4，可能推出性能更强大的HBM4E [10] 行业技术发展趋势 - 三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化 [13] - 两家公司在采用EUV光刻技术方面处于领先地位 [13] - 高K金属栅极(HKMG)技术正在普及，三星、美光和SK海力士都在不同产品中集成该技术 [13] - 预计2026-2027年将推出10纳米级DRAM器件(D1d或D1δ节点) [14] - 到2030年DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点 [14] 市场竞争格局 - 中国厂商如长鑫存储、长江存储等正在技术进步，竞争格局可能发生变化 [16] - 传统DRAM需求减弱，价格下降，推动SK海力士凭借HBM优势进一步领先 [8] - 地缘政治和人工智能崛起加剧了行业竞争 [16] - DRAM技术正处于变革关键期，可能催生新的行业巨头 [16]