文章核心观点 - AI时代数据量激增和“以存代算”趋势推动存储需求从HDD转向SSD/DRAM，叠加先进制程产能向高阶产品倾斜，导致DRAM和NAND Flash供需偏紧，预计2025年第四季度价格将全面上涨，驱动存储行业进入上行周期，并带动相关设备资本开支提升 [1][3] 存储市场供需与价格展望 - 三大原厂优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，预计2025年第四季度整体一般型DRAM价格环比增长8%-13% [1] - HDD供给短缺与交期过长，促使云服务提供商将存储需求快速转向QLC eSSD，急单大量涌入造成市场波动，预计2025年第四季度NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5%-10% [1] - AI时代数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora 2等视频生成应用加速数据增长，海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，推动存储从HDD转向SSD/DRAM [1] - AI推理端“以存代算”成为核心，Prompt经Prefill转化为结构化的KVCache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进 [1] 存储技术演进 - CBA+HBF工艺创新旨在打破“内存墙”对算力发展的制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [2] - CBA技术显著提升单位面积存储密度并优化内部互连路径，已在DRAM和NAND下一代技术升级中全面应用，国产龙头厂商合肥长鑫和长江存储加紧追赶 [2] - HBF借鉴HBM封装设计但用闪存替换部分DRAM堆栈，相比HBM具备8-16倍存储容量和非易失性存储优势，能显著缓解AI数据中心热管理和能源成本压力 [2] 半导体设备市场机遇 - AI需求拉动和存储涨价使存储行业供需偏紧，原厂有望提高资本开支以满足增长需求，半导体设备行业受益 [3] - 根据SEMI预测，2025年全球NAND设备市场规模有望达到137亿美元，同比增长42.5%，2026年预计达到150亿美元，同比增长9.7% [3] - 4F2 DRAM和3D NAND等存储新架构的创新为刻蚀、沉积、键合设备带来新的发展机遇 [3] 相关投资标的 - 需求侧建议关注德明利(001309 SZ)、江波龙(301308 SZ)、香农芯创(300475 SZ)、兆易创新(603986 SH) [4] - CBA技术带来Logicdie代工需求，建议关注晶合集成(688249 SH)、华虹公司(688347 SH) [4] - 存储原厂资本开支提升，建议关注拓荆科技(688072 SH)、北方华创(002371 SZ)、中微公司(688012 SH)、华海清科(688120 SH)、精智达(688627 SH)、华峰测控(688200 SH)、长川科技(300604 SZ) [4]