【深圳商报讯】（首席记者 王海荣）"如果有购机计划的话，现在是好时机，明年手机价格会更 贵。"集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷在深圳参加11月27日的"MTS2026存储产业趋势研讨会"时指 出，本轮存储芯片价格的持续上涨，已经对消费电子供应链形成了冲击，明年消费电子产品的上涨预期 将增加。 "现在一天一个价格，有时候上午一个价格，下午一个价格。"深圳市铨兴科技有限公司一位市场人员告 诉记者，受到供应极度吃紧的心理影响，现货市场价格急速上扬，报价甚至呈现"每日一变"。 这场罕见的行业普涨正以前所未有的速度向下游传导，包括手机、笔记本电脑在内的电子产品厂商已感 受到来自成本上涨的压力。 2025年的存储芯片市场用 "暴涨"形容毫不为过。今年下半年以来，DDR5（DRAM行业成熟工艺制程的 最新产品）、DDR4等主流存储芯片价格单月涨幅突破100%，三星、SK、海力士等原厂暂停报价。进 入四季度后，涨势愈演愈烈。 集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告显示，DRAM方面，DDR4与DDR5颗粒的现货价格已经大 幅上涨。自9月初至今，DDR4 1Gx8颗粒价格环比上涨158%，DDR5 2Gx8颗粒现货价环比大涨30 ...

文章核心观点 - AI时代数据量激增和“以存代算”趋势推动存储需求从HDD转向SSD/DRAM，叠加先进制程产能向高阶产品倾斜，导致DRAM和NAND Flash供需偏紧，预计2025年第四季度价格将全面上涨，驱动存储行业进入上行周期，并带动相关设备资本开支提升 [1][3] 存储市场供需与价格展望 - 三大原厂优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，预计2025年第四季度整体一般型DRAM价格环比增长8%-13% [1] - HDD供给短缺与交期过长，促使云服务提供商将存储需求快速转向QLC eSSD，急单大量涌入造成市场波动，预计2025年第四季度NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5%-10% [1] - AI时代数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora 2等视频生成应用加速数据增长，海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，推动存储从HDD转向SSD/DRAM [1] - AI推理端“以存代算”成为核心，Prompt经Prefill转化为结构化的KVCache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进 [1] 存储技术演进 - CBA+HBF工艺创新旨在打破“内存墙”对算力发展的制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [2] - CBA技术显著提升单位面积存储密度并优化内部互连路径，已在DRAM和NAND下一代技术升级中全面应用，国产龙头厂商合肥长鑫和长江存储加紧追赶 [2] - HBF借鉴HBM封装设计但用闪存替换部分DRAM堆栈，相比HBM具备8-16倍存储容量和非易失性存储优势，能显著缓解AI数据中心热管理和能源成本压力 [2] 半导体设备市场机遇 - AI需求拉动和存储涨价使存储行业供需偏紧，原厂有望提高资本开支以满足增长需求，半导体设备行业受益 [3] - 根据SEMI预测，2025年全球NAND设备市场规模有望达到137亿美元，同比增长42.5%，2026年预计达到150亿美元，同比增长9.7% [3] - 4F2 DRAM和3D NAND等存储新架构的创新为刻蚀、沉积、键合设备带来新的发展机遇 [3] 相关投资标的 - 需求侧建议关注德明利(001309 SZ)、江波龙(301308 SZ)、香农芯创(300475 SZ)、兆易创新(603986 SH) [4] - CBA技术带来Logicdie代工需求，建议关注晶合集成(688249 SH)、华虹公司(688347 SH) [4] - 存储原厂资本开支提升，建议关注拓荆科技(688072 SH)、北方华创(002371 SZ)、中微公司(688012 SH)、华海清科(688120 SH)、精智达(688627 SH)、华峰测控(688200 SH)、长川科技(300604 SZ) [4]

行业投资评级 - 报告对存储行业给出“推荐”评级 [7] 核心观点 - 存储行业迎来“景气周期”，AI需求拉动存储价格持续看涨，驱动行业供需偏紧 [1][9][15] - AI时代数据量从MB级向EB/ZB级跃迁，推动存储需求激增，并加速存储介质从HDD向SSD/DRAM演进 [2][18][21][22] - 推理端“以存代算”成为核心，KV Cache等结构化数据驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD分层架构演进 [2][36] - 供给侧CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [3][40][50] - 存储上行周期带动原厂资本开支提升，半导体设备市场受益于扩产及新架构创新 [3][56][61][64] 存储周期分析 - 2024年至今进入新一轮上行周期，由AI带动服务器/PC高端存储需求增长驱动 [9] - 25Q4一般型DRAM价格预计环比增长8-13%，若加计HBM，涨幅扩大至13-18% [1][15] - 25Q4 NAND Flash合约价预计全面上涨，平均涨幅达5-10% [1][15] - 存储原厂毛利率提升至35%以上时，资本开支增加概率放大，当前行业处于供需偏紧状态 [56] 需求侧分析 - AI生成内容从文本向视频等多模态跃迁，数据量急剧扩大：Sora 2等应用推动2028年数据生成量预计达394 ZB [18][21][22] - 2035年温数据占比有望超70%，数据存储结构从“热-温-冷”三层演变为“热温-温冷”两层，推动SSD替代HDD [26] - HDD交期延长至52周以上，加速CSP将存储需求转向QLC eSSD，2024-2028年eSSD出货量CAGR达24% [28][30][32] - AI推理阶段KV Cache成为核心数据形态，支撑高并发、低延迟Decode，驱动存储分层架构演进 [36] 供给侧创新 - CBA技术通过逻辑芯片与存储芯片键合集成，提升存储密度和性能，预计带来DRAM位密度提升30% [3][40][43] - 长江存储Xtacking架构、合肥长鑫18纳米DRAM等国产技术加快追赶 [3][49] - HBF技术借鉴HBM封装设计，提供8-16倍存储容量和非易失性优势，首代技术可提供4TB VRAM容量，目标2026年下半年送样 [3][50][52][54] - 4F² DRAM、3D NAND等新架构创新依赖刻蚀、沉积、键合设备，推动存储密度持续突破 [64][68][71] 设备市场展望 - 2025年全球NAND设备市场规模预计达137亿美元，同比增长42.5%；2026年达150亿美元，同比增长9.7% [3][61] - DRAM设备销售额2024年增长40.2%至195亿美元，2025年和2026年预计分别增长6.4%和12.1% [61][62] - 刻蚀与沉积设备是存储三维化演进的核心，键合设备成为3D集成技术关键设备 [64][68][71] 投资建议 - 需求侧关注德明利、江波龙、香农芯创、兆易创新 [4][72] - CBA技术带动Logic die代工需求，关注晶合集成、华虹公司 [4][73] - 存储原厂Capex提升利好半导体设备商，关注拓荆科技、北方华创、中微公司、华海清科、精智达、华峰测控、长川科技 [4][73]

公司股东减持 - 公司第二大股东上海志颀计划通过询价转让方式减持558.32万股，占总股本的3.77% [2] - 减持后，该股东持股比例将从18.37%下降 [3] - 公司实际控制人及财务负责人兼董事会秘书通过该股东间接持有的股份不参与此次转让 [3] 公司股价表现 - 公司股价在两个月内（9月3日至11月3日）从74.18元/股上涨至146.14元/股，区间涨幅达97%，接近翻倍 [4] - 股价上涨主要受存储行业涨价潮推动 [4] 存储行业市场动态 - 存储行业出现全面涨价潮，NAND和DRAM供应全面收紧，部分产品报价涨幅超出客户预期 [4] - 涨价源头为人工智能需求，预计2025年HBM需求量年增达130%以上，2026年仍将有70%以上的年成长 [4] - 资源端持续控货导致NAND、DDR颗粒价格全面大幅拉涨，贸易商哄抬报价，动辄翻倍 [8] 新兴技术趋势 - “以存代算”作为颠覆性技术范式兴起，旨在突破AI推理的算力瓶颈 [5] - 在此趋势下，SSD不再是单纯的数据存储载体，而是深度参与AI推理的核心组件 [5] 公司财务业绩 - 公司2025年前三季度营业收入为14.33亿元，同比增长4.89%；利润总额为0.47亿元，同比下降79.98% [7] - 第三季度营业收入为5.27亿元，同比增长11.94%；利润总额为0.11亿元，同比下降87.95% [7] - 第三季度毛利率同比减少4.51个百分点，且资产减值损失同比增加4476.08万元，主要因公司采取积极供应链策略导致库存水平较高 [7] 公司业务定位 - 公司存储产品主要面向利基市场，而非主流存储市场 [6]

公司股东减持 - 公司第二大股东上海志颀计划通过询价转让方式减持公司股份558.32万股，占总股本的3.77% [1] - 股东减持原因为自身资金需求，公司实控人及财务负责人通过该股东间接持有的股份不参与此次转让 [2] - 此次转让不通过集中竞价或大宗交易进行，不属于二级市场减持，对受让方有定价能力和风险承受能力要求 [2] 公司股价与市场表现 - 公司股价在两个月内（9月3日至11月3日）从74.18元/股上涨至146.14元/股，区间涨幅达97%，接近翻倍 [2] - 公司股价上涨主要受存储行业涨价潮推动，NAND和DRAM供应全面收紧，产品报价大幅上涨且超出客户预期 [2] - 尽管行业景气度高，公司第三季度业绩并未充分受益于涨价潮，利润总额同比下降87.95%至0.11亿元 [3][4] 公司财务状况 - 公司2025年前三季度实现营业收入14.33亿元，同比增长4.89%，但利润总额为0.47亿元，同比下降79.98% [3] - 第三季度营业收入为5.27亿元，同比增长11.94%，毛利率同比减少4.51个百分点导致毛利润下降 [4] - 第三季度资产减值损失同比增加4476.08万元，主要因公司采取积极供应链策略增加存货库存，基于谨慎原则计提减值 [4] 存储行业动态 - 存储行业涨价潮源自AI需求，高阶AI芯片配套HBM，2025年HBM需求量年增达130%以上，2026年预计仍有70%以上增长 [3] - “以存代算”技术范式兴起，SSD深度参与AI推理，成为核心组件 [3] - 资源端持续控货近两个月，NAND、DDR颗粒价格全面大幅拉涨，贸易商哄抬报价，动辄翻倍，但流通资源稀少导致交易困难 [5][6] 公司市场定位 - 相较于主流存储市场，公司存储产品主要面向利基市场 [3]

存储技术趋势与需求驱动 - “以存代算”技术通过将AI推理数据迁移至SSD，显著优化成本与效率，带动SSD需求增长超越传统增速 [1] - 国际存储巨头转向HBM等高端产品，为国内厂商腾出利基市场的发展空间 [1] - 四季度国内存储公司受益于“价格回升+国产替代”双驱动，需求与开工率呈现稳健复苏 [1] 国内存储产业产能与份额 - 长江存储计划在2028年实现NAND产能30万片/月，目标占据全球15%的市场份额 [1] - 长鑫存储的DRAM产量预计将成为全球第四 [1] 科创芯片指数概况 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），该指数单日涨跌幅限制为20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及芯片材料、设计、制造、封装测试等全产业链环节的上市公司证券作为样本 [1] - 指数由50只代表性证券组成，旨在反映中国半导体行业相关上市公司证券的整体表现和发展趋势，具有较高的成长性和行业代表性 [1]

技术趋势与行业驱动 - "以存代算"技术通过将AI推理数据迁移至SSD，显著优化成本与效率，带动SSD需求超越传统增速 [1] - 四季度国内存储公司受益于"价格回升+国产替代"双驱动，需求与开工率呈现稳健复苏 [1] 国产替代与产能布局 - 长江存储计划2028年NAND产能达到30万片/月，占全球15%份额 [1] - 长鑫存储DRAM产量将成为全球第四 [1] - 国际巨头转向HBM等高端产品，为国内厂商腾出利基市场空间 [1] 投资工具与指数构成 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），单日涨跌幅限制为20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及芯片材料、设计、制造、封装测试等全产业链环节的50只代表性上市公司证券 [1] - 该指数旨在反映中国半导体行业相关上市公司证券的整体表现和发展趋势，具有较高的成长性和行业代表性 [1]

行业周期性质转变 - 当前AI驱动的存储超级周期本质是从“周期”到“结构”的转变，不同于以往由供给端减产引发的短期反弹 [1] - AI技术发展带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率提升，共同推动存储器技术创新与市场扩容 [1] 存储芯片价格动态 - NAND与DRAM价格普遍上涨，四季度存储价格持续上行 [2][3] - 1Tb Flash Wafer价格在一个半月内累计涨近15%，512Gb Flash Wafer价格涨超20% [3] - 行业SSD和内存条全面涨价，服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB3200报价涨66.67%至150.00美元 [3] - 预估第四季度整体一般型DRAM价格季增8-13%，加计HBM后涨幅扩大至13-18% [3] - 预估NAND Flash第四季各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5-10% [3] 市场竞争格局变化 - 国际巨头如三星、美光、海力士加速向HBM、DDR5、LPDDR5等高端产品迁移，放弃或减少利基型产品生产 [4] - 行业竞争格局变化为国内存储芯片厂商带来份额提升的机会，国产存储芯片从利基市场到主流应用均获全球客户青睐 [4] 国内厂商发展态势 - AI大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力，国产存储芯片在企业级市场快速渗透，如长江存储企业级SSD已用于阿里云、腾讯云等主流云服务商 [5] - 在消费级市场，国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额 [5] - 四季度国内存储公司有望受益于“价格回升+国产替代”双重驱动，需求、订单及开工情况预计呈现稳健复苏 [5] - 长江存储正推进三期扩产计划，目标2028年三期达产后总产能达30万片/月，占据全球15%的NAND市场份额 [5] - 长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，其二期工厂于2025年Q4试生产，新增产能8万片/月，聚焦15nm以下先进制程 [5] 技术范式革新 - “以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生，旨在突破算力瓶颈与“存储墙”制约 [6] - 该技术将AI推理过程中的矢量数据从DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质，实现存储层从内存向SSD的战略扩展 [6] - 其核心价值在于降低首Token时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本，带动SSD需求增速高于传统曲线 [6]

IPO进展与公司概况 - 长鑫科技IPO辅导状态于10月10日变更为“辅导验收” 历时三个月正式收官 公司有望成为A股“存储芯片第一股” [1] - 公司当前估值约1400亿元 辅导机构为中金公司与中信建投 辅导工作自2025年7月7日启动至9月底结束 [1][3] - 长鑫科技成立于2016年 是一家专注于DRAM设计、研发、生产及销售的一体化存储器制造企业 其全资子公司长鑫存储是国内规模最大、技术最先进的DRAM IDM企业 [3] 技术发展与产品矩阵 - 公司2018年成功研发出国内首个8Gb DDR4芯片 2019年实现与国际主流产品同步的8Gb DDR4量产 [3] - 2023年11月 公司推出面向中高端移动设备市场的LPDDR5系列产品 包括12Gb LPDDR5颗粒及芯片 丰富了产品矩阵 [3] - 长鑫存储在DDR5和LPDDR5产品的布局为其未来发展打开空间 HBM产品逐步进入量产阶段 [4] 市场前景与行业趋势 - AI算力革命重构存储芯片行业供需格局 “以存代算”技术加速落地 AI大模型训练与数据中心建设成为市场增长核心引擎 [4] - 2024年中国存储芯片市场规模达4600亿元人民币 预计2025年将突破5500亿元 全球存储芯片市场规模2025年有望突破2300亿美元 [4] - 市场机构预测2025年长鑫存储DRAM出货量将同比增长50% 市场份额有望从第一季度的6%提升至第四季度的8% [4]

AI时代存储芯片的战略地位转变 - 存储芯片已从配角跃升为AI算力的核心瓶颈与突破口，传统内存技术成为制约算力发挥的“内存墙”[1] - HBM凭借超高带宽、低功耗和小体积特性，正成为AI芯片的主流选择[1] HBM市场需求与行业动态 - 美光预计半导体芯片、特别是HBM的供不应求情况将会加剧，公司2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM水平[2] - 美光已与几乎所有客户就2026年绝大部分HBM3E产能达成定价协议，HBM4供应“非常紧张”[2] - 华为宣布自昇腾950PR开始，其昇腾AI芯片将采用自研的HBM[2] - SK海力士预测HBM能效每改善10%，可带来单机架2%的节能效果[4] HBM技术演进与价值重塑 - 定制化HBM已从被动元件转变为具备逻辑算力的主动部件，集成不同功能与逻辑Die设计成为性能差异化的关键[3] - 存储厂商开始提供覆盖HBM、逻辑die、LPDDR、PIM等的全栈解决方案，并与客户开展定制化HBM合作[4] - AI基建中存储的总体拥有成本不断上升[3] AI推理驱动的存储需求增长 - AI推理将迎来巨大增长，推理过程正演变为“先思考再作答”的动态生成，思考时间越长答案质量越高[5] - AI推理算力需求正迅速超越训练，成为成本与性能的关键瓶颈[5] - 超长上下文和多模态推理需求推动对高性能内存和分层存储的依赖，HBM、DRAM、SSD及HDD在其中发挥关键作用[5] - 轻量化模型部署推动存储容量需求快速攀升，预计未来整体需求将激增至数百EB级别[6] 存储技术替代路径：“以存代算” - “以存代算”技术通过将AI推理中的矢量数据从HBM/DRAM迁移至SSD，实现存储层战略扩展，核心价值在于降低时延、提升吞吐并优化成本[7] - QLC+PCIe/NVMe+CXL有望构筑下一代AI SSD基座，推动SSD升级为AI推理的“长期记忆”载体[7]