DRAM技术发展趋势 - DRAM制程微缩放缓，长远命题在于从2D转向3D架构，当前DRAM芯片工艺已突破10nm级别，面临工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等挑战 [1] - 混合键合方案改进了Micro bump的堆叠高度限制，代表3DDRAM未来技术路径，与现有HBM方案相比，混合键合不配置凸块，可容纳较多堆叠层数和较厚晶粒厚度，改善翘曲问题 [1] - 三大HBM原厂已确定于HBM520hi世代使用Hybrid Bonding技术，混合键合方案的芯片传输速度较快且散热效果较好 [1] AI端侧技术路径 - AI端侧推理速度的瓶颈在于内存带宽而非算力，3DDRAM通过混合键合技术可显著提升传输效率，例如800GB/s带宽下高通骁龙8GEN3的推理速度可从4.8 tokens/s跃升至57 tokens/s [1][3] - NPU作为协处理器的运用叠加3DDRAM极有可能是下一代的端侧技术趋势，中国大陆玩家兆易创新及其投资子公司青耘科技、光羽芯成，以及中国台湾存储IDM华邦电、手机AP龙头高通等均发力3DDRAM+NPU方案 [3] AI模型与硬件发展 - AI应用走向百花齐放而非高度范化的统一模型，硬件侧为应用落地酝酿新技术储备，小型MoE模型如Qwen3-30B-A3B激活参数数量是QwQ-32B的10%，表现更胜一筹，为端侧应用提供模型基础 [2] - 海外硬件大厂在储备能让AI"泛在"与"常开"的技术，NPU协处理器与3DDRAM结合是下一代端侧技术趋势 [2] 行业推荐 - 推荐兆易创新(603986 SH)，因其在3DDRAM+NPU技术趋势中的布局 [1]