1 4nm晶圆代工行业竞争格局 - 全球晶圆代工行业已进入1 4nm制程竞争阶段 台积电 英特尔与三星构成三大主力玩家 但技术路线与战略重心出现显著分化 [1] - 1 4nm节点名称(如14A)更多是工艺代际标识 与实际晶体管物理尺寸脱钩 研发成本与技术门槛将摩尔定律推向极限 [1] 2 三星1 4nm战略调整 - 三星宣布1 4nm量产推迟至2029年 比原计划延后2年 测试线建设与投资计划同步推迟 落后台积电2028年目标1年 [2] - 延期主因晶圆代工部门持续亏损 2023年亏损4万亿韩元 2024年Q1达2万亿韩元 战略重心转向提升2nm成熟度与稼动率 [2][3] - 当前2nm良率仅40%(台积电达60%) 计划通过优化4nm/5nm/8nm成熟工艺维持盈利 并组建专项团队攻关Exynos 2600处理器量产 [3] 3 英特尔制程路线重构 - 英特尔考虑将代工重心从18A转向14A 可能削减RibbonFET/PowerVia等18A关键技术投入 因客户吸引力不足且财务压力显著 [5][7] - 14A采用第二代RibbonFET 2与PowerDirect技术 性能提升15-20% 密度增加30% 功耗降低25% 2027年风险试产 [10] - High NA EUV设备布局领先(已安装2台) 但每年400亿美元资本支出压力与光刻机良率问题构成主要挑战 [11][12] 4 台积电技术策略 - 台积电A14节点预计2028年量产 采用NanoFlex Pro架构 速度提升10-15% 功耗降25-30% 逻辑密度增1 2倍 良率进展超前 [13][14] - 坚持谨慎技术导入策略 暂缓High NA EUV在主流节点应用(成本达普通EUV 2 5倍) 通过分阶段技术升级平衡风险与交付 [16][18] - 差异化客户定位：A14主打消费电子性价比 A14P/A16聚焦服务器/AI等溢价市场 实现技术成熟度与商业价值最大化 [19] 5 三巨头技术路线对比 - 量产时间轴：英特尔14A(2027) > 台积电A14(2028) > 三星14A(2029) [21] - High NA EUV采用：英特尔激进布局 台积电分阶段导入 三星仍处评估阶段 [21] - 竞争维度从单纯技术指标转向良率控制 成本管理及客户需求响应能力的综合比拼 [17][20]

ASML高数值孔径EUV设备市场反应 - 荷兰ASML最新High-NA EUV设备单价高达4亿美元（约120亿新台币），是现有最昂贵晶圆厂设备价格的两倍[1] - 台积电表示目前"找不到非用不可的理由"，暂不计划在A14及后续制程中导入该设备[1] - 台积电技术开发资深副总经理张晓强强调，即便不使用High-NA EUV，A14制程仍可实现显著技术升级[1] 主要半导体厂商技术路线差异 - 英特尔计划在未来"14A"制程中使用High-NA EUV设备，试图借此提升晶圆代工竞争力[2] - 英特尔同时保留客户选择旧款验证技术的选项[2] - ASML已向英特尔、台积电和三星三家客户交付5台高NA设备[2] 行业技术发展时间表 - ASML执行长预计客户将在2026至2027年间进行高NA设备量产准备测试[2] - 高NA设备重达180公吨，体积如同双层巴士，是全球最昂贵半导体制造设备之一[2] - 台积电技术团队专注于延长现有Low-NA EUV设备使用寿命和开发微缩效益[1]