财务数据和关键指标变化 - 2025年第二季度，公司合并收入达数十亿美元，毛利率约28.7%，归属于母公司股东的净利润为新台币89亿，普通股每股收益为新台币0.71 [7] - 第二季度晶圆出货量增至95.7万片，环比增长约6.3%，利用率从第一季度的59%提升至76%，收入环比增长约1.6% [7][8] - 上半年收入增长4.7%，毛利率达27.7%，归属于母公司股东的净利润为数十亿美元，每股收益为新台币1.34，2025年底现金超数十亿美元，达110亿，公司总股本约37337.04亿美元 [10] - 第二季度ASP略有上升，主要因产品组合优化 [11] 各条业务线数据和关键指标变化 - 按地区划分，欧洲收入占比升至8%，亚洲达67%，ICM略升至19%；按应用划分，消费类占比降至33%，通信类升至41%，事件技术收入持续增加，40纳米以下收入占比超一半，达55%，22纳米和28纳米占比40% [11][12] - 22和28纳米产品组合收入持续增长，占总销售额40%，创历史新高 [15] 各个市场数据和关键指标变化 - 2025年公司预计可寻址市场将实现低个位数增长，公司增长前景不变 [34] - 目前计算机、消费和通信领域健康，汽车和工业领域仍处高位，DOI接近健康水平 [35] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司将继续通过技术和产品组合差异化，提升ASP韧性，扩大技术差距，增加特定节点收入贡献 [20] - 持续提供40和55纳米节点专业技术，降低该领域收入竞争压力 [21] - 开发2.5D中介层，利用3D晶圆堆叠和TSV提升专业技术竞争力，为云计算AI和边缘AI市场做准备 [31][32] - 应对宏观和地缘政治风险，积极管理外汇风险，保持财务灵活性 [16] - 定位为专业代工厂，专注低泄漏、低功耗逻辑、高电压、BCD和非华为内存、RF SOI解决方案，减少与中国代工厂竞争 [67] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 2025年增长前景略好于可寻址市场，预计全年增长前景不变，但2026年及以后需与客户密切合作并监测DOI情况 [34] - 目前DOI接近健康水平，计算机、消费和通信领域健康，汽车和工业领域仍处高位，宏观经济和DOI监测下，市场上行可见度低 [35][36] - 库存情况总体健康，部分主要领域库存较少，汽车和工业领域较高，Q4不做指引，2025年全年展望不变 [51][52] 其他重要信息 - 2025年资本支出预算维持在18亿美元不变 [12][17] - 新加坡Fab12i新三期设施计划2026年投产，提升供应链弹性 [15] - 与英特尔12纳米合作项目进展顺利，预计2026年6月为首批客户准备好早期PDK，2027年客户产品开始量产 [22] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1: 2026年ASP趋势展望 - 公司通常不提供2025年后指引，ASP战略是通过技术和产品组合差异化提升韧性，近中期ASP受22/28纳米产品组合影响，Q3产品组合不变，ASP将保持稳定 [20][21] 问题2: 14纳米及以下产品占比是否会增加，来自12纳米还是6纳米 - 12纳米尚远，与英特尔合作按里程碑推进，目前双方在验证试点线性能，预计2026年6月为首批客户准备好早期PDK，2027年有相关收入 [22] 问题3: 关税对客户行为和下半年季节性或前景的影响 - Q2和Q3需求部分受美国关税预期下的库存积累驱动，2025年市场受政策和宏观不确定性影响，季节性模式可能改变，公司和客户将密切监测终端市场 [28][29] 问题4: 先进封装业务发展及插层器产能利用和潜在应用 - 公司积极布局先进封装，为云计算AI和边缘AI市场增长做准备，开发2.5D中介层，当前插层器向下一代发展，预计后续量产；利用3D晶圆堆叠和TSV为5G和6G RFIC等提供服务 [31][32] 问题5: 半导体行业未出现季节性复苏原因 - 2025年初预计公司增长前景略好于可寻址市场，可寻址市场将低个位数增长，目前公司增长前景不变；2026年及以后需与客户密切合作并监测DOI情况；DOI接近健康水平，计算机、消费和通信领域健康，汽车和工业领域仍处高位，市场上行可见度低 [34][35][36] 问题6: 外汇因素是否用于与客户协商明年定价 - 公司与客户密切沟通定价，但关键是通过技术差异化提升产品组合，增强ASP韧性 [37][38] 问题7: 新加坡fab 20/22纳米扩建进度、客户情况及相关价格情况 - 新加坡12i设施预计2026年1月开始量产爬坡，2026年实现高产量，主要应用于通信领域，22/28纳米高压解决方案有差异化，ASP健康 [42][43] 问题8: 实现中30%或低到中30%毛利率的现实途径及定价作用 - 公司目标是提升毛利率，通过技术开发、产品组合优化和合作，预计2026 - 2027年市场份额增加；折旧费用增长将在2026 - 2027年放缓，成本结构改善 [46][47][48] 问题9: 22纳米以下高压解决方案路线图及客户需求时间 - 22纳米高压解决方案在未来几年仍具竞争力，22纳米以下高压解决方案在路线图上，但与客户协商中，暂无具体时间框架 [49][50] 问题10: 部分消费类无晶圆厂公司Q3指引下调，公司Q3晶圆订单略升，Q4是否有波折 - 库存情况总体健康，部分主要领域库存较少，汽车和工业领域较高，Q4不做指引，2025年全年展望不变 [51][52] 问题11: Q2 28纳米收入增长驱动因素及2026年无线通信份额增长和其他产品情况 - Q2 22/28纳米收入增长主要来自通信领域，未来该业务将持续增长，受技术、客户需求和新加坡12i fab扩建支持，2026年将贡献收入 [56][57] 问题12: 新加坡晶圆能否因成本高定价更高及2026年高产量生产产能预期 - 定价基于技术和价值主张，需与客户沟通；不透露具体产能，22/28纳米产能整体利用率高于公司平均水平 [58][59] 问题13: 英特尔新管理层对合作及业务发展影响，是否考虑收购英特尔产能 - 与英特尔12纳米合作进展顺利，按里程碑推进，双方承诺度高，目前情况无变化 [61] 问题14: Q3外汇比率 - 新台币兑美元每升值1%，毛利率侵蚀0.4 - 0.5个百分点，Q3不做预测，指导使用当前汇率约29.8%，Q2加权平均汇率30.81% [65] 问题15: 中国竞争对手利用率高，成熟节点市场竞争及公司受益情况 - 公司定位专业代工厂，提供差异化技术，减少与中国代工厂竞争，在高端智能手机、OLED显示等领域有竞争力 [67] 问题16: 长期毛利率目标 - 通过提升产能利用率、优化成本结构、管理ASP和改善产品组合，公司有提升毛利率的路线图，折旧费用增长将在2025年后放缓 [74][75][76] 问题17: 今年及明年折旧成本增加情况 - 今年折旧费用同比低20%，明年预计增幅降至10%以下 [77] 问题18: 中国业务战略，IDM客户能否利用中国产能 - 公司多元化制造可满足不同客户需求，欢迎客户利用中国产能，将与客户密切合作 [78][79] 问题19: 通信领域竞争对手定价行为 - 产能充足时，定价受关注，定价行为取决于产能情况，不同地区产能不同，相关讨论常见 [83] 问题20: 英特尔裁员对合作影响及合作对2027 - 2028年毛利率中期展望影响 - 合作项目从研发向高产量生产准备阶段推进，涉及更多组织参与，从绝对金额看，合作对毛利率有积极影响 [86] 问题21: 中国业务利用率和价格压力情况及展望 - 中国12x设施满负荷运行，高于公司平均水平，公司业务管理集中，不同地点无定价差异 [91]

报告行业投资评级 - 买入评级：北方华创（SiC晶体生长炉）、天科合达（SiC衬底）、胜高（硅片）、信越化学（硅片）、三菱电机（SiC器件）、英飞凌（SiC器件）[2] 报告的核心观点 - 中国本地供应商在硅片和SiC衬底领域产能扩张，预计2024 - 2027E期间，12英寸硅片产能将以21%的复合年增长率扩张，SiC衬底产能（6英寸等效）将从250万片/年增长到750万片/年，本地产能覆盖率到2027E将达到87% [1][49] - 随着成本降低，SiC和GaN在高功率、高频应用中逐渐取代IGBT，预计到2030E，EV/铁路/电网的SiC渗透率将分别达到75%/38%/29%，中国GaN器件市场将从2024年的2.09亿美元增长到2030E的16亿美元 [52][53] - 全球硅片行业集中度高，技术壁垒高，中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限，未来300mm硅片需求将受AI服务器等因素驱动增长 [73][82][103] 各部分总结 中国硅片/ SiC衬底/ GaN市场规模（TAM） - 中国硅片市场规模预计从2021年的19.99亿美元增长到2030E的45.11亿美元，12英寸硅片需求增长显著 [37] - 中国SiC衬底市场规模预计从2021年的1.97亿美元增长到2030E的27.7亿美元，6英寸和8英寸衬底出货量均有增长 [39] - 中国GaN市场规模预计从2021年的6600万美元增长到2030E的16亿美元，快充、消费电子、EV和数据中心等领域需求推动增长 [42] 供应：中国本地供应商的产能扩张和全球Tier供应商的中国业务 - 中国本地硅片供应商产能扩张主要集中在12英寸，受逻辑和存储客户产能扩张及满足本地客户需求的驱动；SiC衬底产能扩张受SiC器件采用率上升驱动，尤其是在EV领域 [43] - 全球Tier供应商中，信越化学和胜高在中国的销售额已降至个位数水平，中国本地供应商的崛起对其影响有限 [96] 需求：SiC / GaN在高功率/高频应用中取代IGBT - SiC成本降低使其竞争力增强，在EV、铁路、电网等领域的渗透率不断提高，越来越多的EV车型开始采用SiC平台 [52] - GaN凭借高频和高电子迁移率的优势，应用场景从快充扩展到消费电子、EV、数据中心等领域 [53] 从全球硅片行业借鉴经验 - 全球硅片行业经历了整合，目前300mm硅片市场主要由信越化学、胜高、环球晶圆、世创和SK矽康等五家公司主导 [73] - 硅片行业技术壁垒高，包括大量资本支出、研发投入、长期技术积累和客户信任等，新制造商进入难度大 [82] - 中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限，半导体设备制造商不太可能大量采用中国本地晶圆制造商的产品 [96][101] 从全球半导体供应链借鉴经验 - 罗姆预计2026财年SiC亏损将有所缩小，目标在2028财年实现收支平衡，公司将降低资本支出并加速器件技术路线图 [119] - 英飞凌是全球领先的功率半导体供应商，依赖外部供应商提供晶圆，对中国晶圆质量评价较高，预计将受益于市场需求增长 [122][123] - 环球晶圆是全球排名前三的硅片供应商，继续投资SiC和GaN扩张，预计行业将从6英寸向8英寸SiC晶圆转变 [128] 定价：硅片和SiC衬底向大尺寸发展以支持综合平均销售价格（ASP） - 同类产品价格因竞争和本地供应商产能扩张而呈下降趋势，但产品向大尺寸、高端应用迁移可支持综合ASP [133] - 2024年EV IGBT ASP同比下降35%，6英寸SiC衬底价格两位数下降，预计2025E价格将更稳定 [133] 中国IGBT市场规模（TAM） - 中国IGBT市场规模预计从2021年的30.59亿美元下降到2030E的27.98亿美元，主要受EV和铁路领域SiC渗透率上升影响 [137] - 中国IGBT产能和产量预计将增长，2025E - 2026E的供应/需求比分别为128%/131% [137]