报告行业投资评级 - 买入评级：北方华创（SiC晶体生长炉）、天科合达（SiC衬底）、胜高（硅片）、信越化学（硅片）、三菱电机（SiC器件）、英飞凌（SiC器件）[2] 报告的核心观点 - 中国本地供应商在硅片和SiC衬底领域产能扩张，预计2024 - 2027E期间，12英寸硅片产能将以21%的复合年增长率扩张，SiC衬底产能（6英寸等效）将从250万片/年增长到750万片/年，本地产能覆盖率到2027E将达到87% [1][49] - 随着成本降低，SiC和GaN在高功率、高频应用中逐渐取代IGBT，预计到2030E，EV/铁路/电网的SiC渗透率将分别达到75%/38%/29%，中国GaN器件市场将从2024年的2.09亿美元增长到2030E的16亿美元 [52][53] - 全球硅片行业集中度高，技术壁垒高，中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限，未来300mm硅片需求将受AI服务器等因素驱动增长 [73][82][103] 各部分总结 中国硅片/ SiC衬底/ GaN市场规模（TAM） - 中国硅片市场规模预计从2021年的19.99亿美元增长到2030E的45.11亿美元，12英寸硅片需求增长显著 [37] - 中国SiC衬底市场规模预计从2021年的1.97亿美元增长到2030E的27.7亿美元，6英寸和8英寸衬底出货量均有增长 [39] - 中国GaN市场规模预计从2021年的6600万美元增长到2030E的16亿美元，快充、消费电子、EV和数据中心等领域需求推动增长 [42] 供应：中国本地供应商的产能扩张和全球Tier供应商的中国业务 - 中国本地硅片供应商产能扩张主要集中在12英寸，受逻辑和存储客户产能扩张及满足本地客户需求的驱动；SiC衬底产能扩张受SiC器件采用率上升驱动，尤其是在EV领域 [43] - 全球Tier供应商中，信越化学和胜高在中国的销售额已降至个位数水平，中国本地供应商的崛起对其影响有限 [96] 需求：SiC / GaN在高功率/高频应用中取代IGBT - SiC成本降低使其竞争力增强，在EV、铁路、电网等领域的渗透率不断提高，越来越多的EV车型开始采用SiC平台 [52] - GaN凭借高频和高电子迁移率的优势，应用场景从快充扩展到消费电子、EV、数据中心等领域 [53] 从全球硅片行业借鉴经验 - 全球硅片行业经历了整合，目前300mm硅片市场主要由信越化学、胜高、环球晶圆、世创和SK矽康等五家公司主导 [73] - 硅片行业技术壁垒高，包括大量资本支出、研发投入、长期技术积累和客户信任等，新制造商进入难度大 [82] - 中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限，半导体设备制造商不太可能大量采用中国本地晶圆制造商的产品 [96][101] 从全球半导体供应链借鉴经验 - 罗姆预计2026财年SiC亏损将有所缩小，目标在2028财年实现收支平衡，公司将降低资本支出并加速器件技术路线图 [119] - 英飞凌是全球领先的功率半导体供应商，依赖外部供应商提供晶圆，对中国晶圆质量评价较高，预计将受益于市场需求增长 [122][123] - 环球晶圆是全球排名前三的硅片供应商，继续投资SiC和GaN扩张，预计行业将从6英寸向8英寸SiC晶圆转变 [128] 定价：硅片和SiC衬底向大尺寸发展以支持综合平均销售价格（ASP） - 同类产品价格因竞争和本地供应商产能扩张而呈下降趋势，但产品向大尺寸、高端应用迁移可支持综合ASP [133] - 2024年EV IGBT ASP同比下降35%，6英寸SiC衬底价格两位数下降，预计2025E价格将更稳定 [133] 中国IGBT市场规模（TAM） - 中国IGBT市场规模预计从2021年的30.59亿美元下降到2030E的27.98亿美元，主要受EV和铁路领域SiC渗透率上升影响 [137] - 中国IGBT产能和产量预计将增长，2025E - 2026E的供应/需求比分别为128%/131% [137]