二维硒化铟半导体晶圆制造技术突破 - 北京大学刘开辉教授团队创新性提出"固–液–固"二维InSe半导体制备策略，成功攻克晶圆级InSe材料高质量生长的关键难题 [3] - 该技术通过在晶圆周围使用液态铟密封创建富铟液态界面，驱动非晶InSe转变为结晶InSe，最终制备出厚度均匀、相结构单一的2英寸InSe晶圆 [3] - 制备的InSe晶圆展现出优异电学性能：晶体管阵列迁移率平均值达287 cm²V⁻¹s⁻¹，亚阈值摆幅平均值低至67 mV/dec [3] 二维硒化铟半导体性能优势 - InSe因其低电子有效质量、高热速度及合适带隙等特性，被广泛认为是突破硅极限的有力竞争者 [3] - InSe理论性能显著优于硅材料，并超过其他二维半导体材料，已在原型器件中得到初步验证 [3] - 该材料超短沟道（10nm以下）器件的关键参数全面优于目前最先进的英特尔3nm节点技术 [3] 技术应用前景 - 该研究实现了晶圆级高质量二维半导体的制备，推动高性能、低功耗的下一代计算和通信技术发展 [3] - 该技术有望在人工智能、自动驾驶、智能终端等前沿领域发挥关键作用 [3] - 研究成果于2025年7月18日在线发表于《科学》（Science）期刊 [2]