全球半导体先进封装材料供应链变化 - 台积电在先进封装领域的激进扩张导致低温光敏聚酰亚胺（PSPI）材料全球供应紧张[1] - 台积电计划将CoWoS产能提升100%，并在日本熊本建设新封装基地引入该技术[2] - 日本旭化成作为主要供应商优先保障台积电需求，自2025Q2起对中国封测企业实施限供[5] 低温PSPI材料技术特性 - 该材料具有低介电常数（≤3.0）、高耐热性（Tg≥320℃）和0.1μm级分辨率等关键性能指标[3][4] - 在先进封装中应用于硅中介层绝缘、RDL制备和TSV填充等核心工艺[3] - 未来需突破固化温度≤200℃、耐温性≥350℃和无氟配方等技术瓶颈[10] 中国封测行业应对措施 - 长电科技、通富微电等头部企业面临材料断供风险，被迫加速验证国产替代方案[5] - 明士新材料研发产品性能接近国际水平，但公司已进入破产重整阶段[5][6] - 艾森股份实现正性PSPI量产，但分辨率仅3μm，达不到高端封装要求[6][7] 国产替代进展 - 鼎龙股份开发出适配半导体封装的低温固化配方，解决边缘光刻清晰度问题[8] - 强力新材开发低吸湿性PSPI前驱体并通过通富微电验证，还从旭化成引进人才开发对标产品[8][9] - 预计3-5年内可实现低温PSPI规模化产业应用，支撑产业链自主可控[11] 技术发展趋势 - Chiplet技术和3D封装普及将进一步提升对材料性能要求[10] - 产业链协同成为关键，台积电扩产正在重塑全球材料供应链格局[11] - 市场需求意外爆发为国产材料提供重要发展窗口期[9]