NAND Flash市场展望 - NAND Flash合同价预计25Q2开始上涨，涨价趋势将持续至25年底[2] - 25年下半年供需结构显著改善，原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应推动需求回升[2] - 中国政府24Q4推出的以旧换新政策刺激智能手机销量，加速NAND Flash库存去化[2] - 智能手机品牌厂可能在25Q2扩大低价库存采购，带动需求增长[2] DRAM市场动态 - 25Q1消费级DRAM价格小幅下跌3-5%，企业级产品价格保持平稳[3] - 25Q2 AI芯片缺货缓解带动HBM配套DRAM需求，价格环比上涨5-8%[3] - 25Q3传统消费电子旺季备货启动叠加手机厂商采购LPDDR6，价格涨幅扩大至10-12%[3] - 25Q4供需趋于平衡，价格高位震荡，全年综合涨幅预计15-18%[3] - D3、D4现货供应充足，价格大幅上涨可能性低，D5现货颗粒价格短期波动有限[3] 存储技术进展 - 三星发布9100 Pro PCIe 5.0 SSD，提供1TB-8TB容量，采用PCIe 5.0 x4接口[4] - 美光开始出货基于1γ节点的16Gb DDR5内存，速度达9200MT/s，较上一代提升15%[4] - 三星与长江存储签署混合键合技术专利协议，用于第10代V10 NAND Flash（430层）生产[5] - 长江存储在混合键合技术领域全球领先，三星评估认为无法规避其专利影响[5]