公司专利技术 - 公司申请了一项名为"存储器及其形成方法"的专利，公开号CN119922914A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利涉及存储器结构，包括基底、浮栅结构、选择栅结构、第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区等组件 [1] - 技术特点在于多个选择晶体管并联设计，可提高写入时输入至第二漏区的电流值总和，便于区分浮栅结构在写入时的状态 [1] 公司基本信息 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目120次 [2] 公司知识产权 - 公司拥有商标信息149条，专利信息5000条 [2] - 公司拥有行政许可443个 [2]