专利技术突破 - 中芯国际旗下三家公司联合申请半导体结构专利公开号CN120527324A 申请日期为2024年2月 专利涉及焊垫转角采用弧形垫角设计 通过曲面分散应力以提升器件性能和可靠性 [1] 公司资本规模 - 中芯国际天津公司注册资本129亿元人民币 中芯北方北京公司注册资本48亿美元 中芯国际上海公司注册资本24.4亿美元 [1][2] 企业运营活动 - 中芯国际天津公司参与招投标104次 拥有387条专利和291项行政许可 [1] - 中芯北方北京公司参与招投标51次 拥有137条专利和448项行政许可 [2] - 中芯国际上海公司参与招投标127次 拥有5000条专利和446项行政许可 另对外投资4家企业及150条商标信息 [2] 成立时间与地域分布 - 中芯国际上海公司成立于2000年 天津公司成立于2003年 北京公司成立于2013年 三地均聚焦计算机、通信及其他电子设备制造业 [1][2]

公司专利技术进展 - 公司申请沟槽型MOSFET器件制备方法专利 公开号CN120529608A 申请日期2025年07月 [1] - 专利涉及双栅介质层与双栅极层堆叠结构 通过两次沉积工艺实现厚度阈值控制 [1] - 技术方案包含沟槽形成、栅极层选择性去除及表面平整化工艺 [1] 公司基础信息 - 公司成立于2015年 注册资本200613.5157万人民币 位于合肥市 [2] - 主营业务为计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 对外投资9家企业 参与招投标项目630次 [2] 公司知识产权布局 - 累计拥有专利信息1200条 商标信息41条 行政许可21个 [2] - 最新专利涉及功率半导体器件制造领域 体现技术研发持续投入 [1][2]

专利技术 - 公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120456589A，申请日期为2024年02月 [1] - 专利涉及半导体结构包括衬底、鳍部、隔离层、栅介质层和栅极层等关键组件 [1] - 技术特点包括第一区和第二区不同工作电压设计，以及不同高度的有效鳍部结构 [1] - 第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度，显示公司在半导体制造工艺上的创新 [1] 公司概况 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可451个 [2]

公司专利技术 - 江苏微导纳米科技股份有限公司申请了一项名为"一种半导体生产设备及其控制方法、控制装置"的专利 公开号为CN120443149A 申请日期为2025年05月 [1] - 专利技术涉及半导体生产设备的控制方法 通过获取基片的实测膜层厚度d和设计膜层厚度d0的差值 得到实测膜层厚度差△d [1] - 方法还包括获取反应腔室内的实测温度T 计算实测温度T和设计温度T0的差值 得到实测温差△T [1] - 根据实测温差△T计算受温度影响而产生的第一膜层厚度差△d1 并进一步计算第二膜层厚度差△d2 [1] - 最终根据第二膜层厚度差△d2计算下一生产周期中工艺气体的流量调节值△Q1 [1] 公司基本情况 - 江苏微导纳米科技股份有限公司成立于2015年 位于无锡市 是一家以从事专用设备制造业为主的企业 [2] - 公司注册资本为45767.8129万人民币 [2] - 公司共对外投资了2家企业 参与招投标项目47次 [2] - 公司拥有商标信息89条 专利信息527条 行政许可68个 [2]

专利技术 - 中芯国际北京和上海公司联合申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利 公开号CN120413548A 申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构的两部分同步制作工艺 包括第一部(含第一金属层/介质层/第一电互连结构)和第二部(含器件结构/第二金属层/第二电互连结构)的键合连接 [1] - 技术优势包括：通过分离制作释放介质层热应力 避免影响器件结构 同时允许加厚电容隔离器节点层以提升耐压性能 [1] 公司概况 - 中芯国际北京公司成立于2002年 注册资本10亿美元 对外投资1家企业 参与招投标52次 持有专利5000项 行政许可226项 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年 注册资本24.4亿美元 对外投资4家企业 参与招投标127次 持有专利5000项 商标150个 行政许可451项 [2] 研发能力 - 两家公司合计持有专利数量达10000项 显示强大的技术积累 [2] - 新专利技术聚焦半导体制造工艺优化 体现公司在先进制程领域的持续创新 [1]

专利技术 - 公司申请名为"存储单元结构及存储单元结构的形成方法"的专利 公开号CN120379260A 申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及存储单元结构 包括衬底、位线结构、源线结构、擦除栅结构、浮栅结构、控制栅结构和字线栅结构 [1] - 该技术实现纵向电子传输沟道 减少存储单元结构横向尺寸 [1] 公司背景 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年 注册资本100000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 北京公司对外投资1家企业 参与招投标52次 拥有专利5000条 行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年 注册资本244000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业 参与招投标127次 拥有专利5000条 商标150条 行政许可451个 [2]

专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"存储器结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120379259A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术采用过渡金属硫化物作为沟道材料，石墨烯材料作为浮栅，可减小短沟道效应和漏电问题，提升存储器性能并降低存储面积 [1] - 存储器结构包括衬底、沟道结构、擦除栅、浮栅、控制栅结构、字线栅和位线等组件 [1] 公司背景 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，同样从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条，商标150条，行政许可451个 [2]

公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"半导体结构的形成方法"的专利，公开号CN120261287A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利涉及一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底、形成硅层、金属层、热处理和酸洗处理等步骤，旨在提升金属硅化物的生长质量和产品良率 [1] - 该技术通过优化工艺流程，减少对环境指标的依赖，解决了当前金属硅化物工艺对杂质污染敏感的问题 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本100000万美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利信息5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本244000万美元，同样从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可442个 [2]

公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利，公开号CN120261440A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及反熔丝结构，包括第一晶体管结构、第二晶体管结构和电容结构，通过控制第二晶体管结构工作在饱和区，提升反熔丝结构的编程效果和可靠性 [1] - 专利摘要详细描述了反熔丝结构的具体组成和工作原理，包括第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极等关键部件 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本为244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可442个 [2]

专利技术 - 中芯国际旗下天津、北京、上海三家公司联合申请名为"测试装置及测试方法"的专利，公开号CN119959588A，申请日期为2023年11月 [1] - 专利技术涉及IGBT晶圆测试装置，包含卡盘、接地模块和绝缘探针卡，可直接进行晶圆级测试 [1] - 该技术能提高测试效率，减少泄露电流概率，提升测试准确度和IGBT晶圆可靠性 [1] 公司背景 - 中芯国际天津公司成立于2003年，注册资本12.9亿美元，拥有385项专利、287个行政许可，参与104次招投标 [2] - 中芯北方北京公司成立于2013年，注册资本48亿美元，拥有133项专利、450个行政许可，参与45次招投标 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，拥有5000项专利、443个行政许可，参与127次招投标并对外投资4家企业 [2] 行业动态 - 三家中芯国际子公司均专注于计算机、通信及电子设备制造领域 [2] - 专利技术聚焦半导体制造中的IGBT测试环节，反映公司在功率半导体领域的研发投入 [1]