扇出型晶圆级封装技术 - 扇出型晶圆级封装(WLP)通过切割和重组晶圆增加芯片表面积，从而允许更多外部触点 [1] - 该技术面临低温固化电介质的工艺挑战，需在200°C左右固化以兼容环氧成型材料 [1] - HD8900系列等新型低温固化电介质专为MRAM、RF等温度敏感应用开发 [1] FO-WLP工艺挑战 - 重构晶圆翘曲问题由硅环氧层与聚合物RDL层间的热膨胀系数不匹配导致 [2] - 芯片偏移问题影响重新分布层的图案化和对准，尤其在芯片堆叠时更明显 [2] - 需在面朝上和面朝下构建能力间选择以应对高形貌和非平面性 [2] - 铜RDL走线需可靠连接，损坏会导致电气故障 [2] 先进封装技术发展 - 系统级尺寸将减小，同时集成更大尺寸、更高I/O密度的芯片 [2] - 最小芯片尺寸将减至200µm，线宽/线距减至2µm/2µm以下 [2] - 15毫米长芯片集成时，芯片间距将减至150µm [2] - 步进式光刻机在多芯片解决方案中面临精确重构的局限性 [3] 无掩模曝光技术 - 无掩模光刻技术可解决步进式光刻机在先进封装中的限制 [3] - 负性PI和正性PBO可在不同波长下形成高分辨率通孔 [3] - PBO层厚度增加需要更大剂量，而PI分辨率对剂量依赖性较小 [3] - RDL材料在MLE技术中实现2µm底部开口尺寸，提升互连密度 [3] 高分辨率图案化技术 - 利用MLE技术实现小于2.0µm结构尺寸的高性能正性化学放大型光刻胶 [4] - 曝光波长(375nm和405nm)对图案化结构有显著影响 [4] - 数字光刻技术与不同CAR材料结合实现1.5µm L/S分辨率和1:7纵横比 [5] - 铜电镀工艺成功应用于1.5µm关键尺寸的铜结构 [5] 双镶嵌工艺创新 - MLE技术可将光刻步骤减少50% [5] - 多级曝光功能可同时生成清晰RDL结构和小于5微米通孔 [5] - 3D双图像图案化技术可替代传统双镶嵌工艺 [5] - 8µm厚通孔结构的最佳分辨率小于4µm [6] 行业活动 - 2025势银(第五届)光刻材料产业大会将于7月8-10日在合肥举办 [8] - 会议将探讨光刻材料供应链新趋势，搭建产学研交流平台 [8]