点击 最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 正文 02 AGENDA 大会议程 扫描上方二维码，立马报名 01 INTRODUCTION 大会概况 随着半导体工艺逼近物理极限，集成电路产业正加速向"超越摩尔"时代跃迁，芯片功率密度与发热量剧 增。5G、AI、HPC、数据中心等新兴领域对高效热管理技术提出迫切需求。先进封装与热管理技术成为突 破算力瓶颈、应对高功率密度挑战的核心引擎。 9月25-26日，启明产链Flink将于江苏苏州举办2025先进 封装及热管理大会 ，特设 " 先进封装产业创新大会&高算力热管理创新大会 "两大平行论坛 ， 目前已有 40家院校/企业确认演讲。 大会将聚焦高算力热管理挑战， 围绕 Chiplet与异质异构、TGV与玻璃基板、面板级封装、芯片热管理产 业关键技术、超高导热金刚石、液态金属与热界面材料，液冷技术与应用案例 等产业热点话题展开深入探 讨。 n Oil. 先进封装及高算力热管理大 2025 ADVANCED PACKAGING & HPC THERMAL MANAGEMENT CONFERENCE 9月25-26日 江 ...

中介层技术概述 - 中介层从幕后配角成为产业链争夺焦点 承载GPU和存储芯片并实现互联 材料公司 设备公司和台积电 英伟达等巨头均聚焦于此 [1] - 行业形成两条发展脉络 一是Resonac牵头27家全球材料 设备 EDA巨头组成JOINT3联盟开发面板级有机中介层 二是英伟达推动SiC中介层 台系厂商加码突破功耗与散热极限 [1] 中介层定义与功能 - 中介层是位于芯片与封装基板之间的中间层结构 在先进封装中扮演桥梁角色 连接逻辑芯片与存储芯片 负责高密度互连 供电分布和信号传输 [3] - 主要分为硅中介层和有机中介层两类 硅中介层亦称无机中介层 有机中介层也叫RDL再布线层 [5] 硅中介层发展历程 - 台积电在2000年代末至2010年初率先提出并量产CoWoS工艺 利用硅中介层加TSV硅通孔实现GPU与HBM高带宽互连 [6] - 2012年台积电为赛灵思生产的Virtex-7 FPGA商用上市 成为首个大规模应用硅中介层的产品 奠定其在高性能计算封装中的地位 [6] 有机中介层兴起背景 - 硅中介层制造成本高 良率有限 AI/HPC芯片面积增大导致硅圆片切割损耗严重 市场需要更经济的大规模量产方案 [6] - 有机中介层工艺相对简单 材料和设备成本低 生产成本显著低于硅中介层 但布线精细度不足 线宽线距较大 难以支撑极高密度互连 [6] JOINT3联盟战略布局 - Resonac瑞萨牵头成立27家成员组成的JOINT3联盟 覆盖半导体封装全产业链 包括应用材料 Lam TEL Synopsys 佳能 Ushio 3M AGC 古河电工等 [8] - 联盟在日本茨城县设立高级面板级中介层中心APLIC 计划2026年运营 重点开发515×510mm面板级有机中介层 [11] 面板级生产优势 - 300mm圆片面积约70,685mm² JOINT3面板级目标515×510mm约262,650mm² 单板面积为300mm圆片的3.7倍 有效构图面积显著更大 [12] - 面板级生产可显著提升产能利用率 降低成本 解决硅中介层因尺寸增大导致的几何损耗问题 边角浪费和步进曝光次数上升推高单位良品成本 [11] 市场驱动因素 - 2.5D/3D封装需求飙升 AI/HPC芯片加HBM堆叠成为主流 需要更大面积 更高互连密度的中介层 [15] - Resonac通过JOINT3搭建跨国跨环节的先进封装共研平台 产业协同成为关键 单一企业难以独立突破 需以联盟方式推动事实标准 [15] SiC中介层发展动态 - 英伟达下一代Rubin GPU评估将GPU与HBM互联基底从传统硅中介层换成SiC中介层 以进一步提升效能 [17] - 碳化硅中介层需使用高绝缘单晶碳化硅 与车用功率器件衬底不同 带来新的工艺挑战 [19] 硅中介层优劣分析 - 优势包括工艺成熟 技术路径清晰 是台积电CoWoS 英特尔EMIB等2.5D/3D封装主流方案 在亚10µm互连和多层TSV工艺上积累深厚 [22] - 劣势包括GPU加HBM封装面积增大导致硅晶圆几何损耗问题突出 产能利用率下降 成本急剧上升 硅导热性能有限成为高功耗AI芯片瓶颈 [22] 有机中介层优劣分析 - 优势包括可采用面板级生产PLP大幅提高产能利用率和单片尺寸利用率 显著降低成本 材料配方灵活 层数和布线可根据系统需求定制 [23] - 劣势包括材料热膨胀系数CTE与硅存在差异 翘曲与可靠性问题需长期验证 电性能相比硅存在一定差距 [23] SiC中介层优劣分析 - 优势包括导热性极佳甚至超过铜 能承受未来AI/HPC芯片极端电流与功耗需求 是突破散热瓶颈的关键材料 具备良好电绝缘性支持更紧密的GPU加HBM集成 [24] - 劣势包括制造难度极高 硬度接近钻石导致切割工艺复杂 必须实现≥12寸大尺寸晶圆兼容硅工艺 产业链尚在攻关中 产能和成本仍是巨大挑战 [24] SiC中介层技术挑战 - 碳化硅硬度接近钻石 传统切割方法容易出现波浪纹 日本DISCO正在研发专用激光切割机台 [25] - 为兼容硅工艺需达到12寸以上晶圆 但目前多数中国厂商仍停留在6/8寸阶段 量产能力有限 [25] 性能需求驱动 - 未来高性能芯片设计功耗可能突破1000V 特斯拉快充电压仅350V 极端电流对中介层承载力提出前所未有挑战 [25] - Si导热能力有限难以满足极端电流下的热管理需求 SiC导热系数超过铜能显著缓解芯片运行高热压力 [25] - Rubin依赖NVLink技术要求GPU与HBM紧密耦合实现最大带宽和最低延迟 SiC因优越绝缘性和散热性成为几乎唯一解决方案 [25] 技术发展时间线 - 短期1-2年硅中介层仍是市场主流 支撑AI/HPC量产 中期3-5年有机中介层凭成本与规模优势在HPC与AI训练芯片中大规模落地 [26] - 长期5年以上碳化硅中介层一旦突破量产瓶颈 或将成为最尖端AI/HPC封装的标准配置 [26] 产业竞争格局 - 日本JOINT3代表合作造标准路径 英伟达推动SiC中介层是应用驱动新材料典型 两条路线殊途同归 中介层将决定未来AI芯片性能极限 [28] - 硅 有机 碳化硅中介层各有优劣 未来十年大概率形成分工互补格局 [28]

大基金概况 - 大基金一期2014年成立 注册资本987亿元 实际到账约1200亿元[3] - 大基金二期2019年成立 注册资本2042亿元 实际到账约2200亿元[3] - 一二期资金重点投向晶圆制造环节 包括中芯国际、华虹华力、燕东微、士兰微、长江存储、长鑫存储等企业[3] 投资策略 - 投资方式包括直接投资和组建合资公司 在多个城市落地产线或投资子公司/产线[3] - 中芯国际上市主体吸收合并中芯北方部分目的是帮助大基金退出[4] - 封装环节投资企业包括通富微电、长电科技、华天科技[5] - 2014和2019年中国半导体行业多个环节基础薄弱 设备材料零部件国产化率极低[6] - 投资策略聚焦补最大短板（制造环节）和投资最大长板（芯片设计环节）[7] - 除制造环节外 还布局芯片设计、IP、EDA及半导体设备材料零部件[6] 基金管理架构 - 管理人华芯投资2014年专门为管理大基金设立 第一大股东国开金融隶属国开行[9] - 大基金一期财政部出资占比36%为国开行22% 二期财政部占11.02%国开行占10.78%[9] - 管理人同时担任重要LP 与市场化基金1%或0.5%的管理人出资比例形成对比[10] - 大基金一期担任十余个市场化半导体基金LP 包括华登国际、芯动能、中芯聚源等机构[10] - 二期投资能力成熟 2200亿元资金完全由华芯单独管理 未设立子基金[10] 管理演变与影响 - 一期通过合作市场化基金防控风险 共同挖掘项目并分担责任[10] - 二期出现严重腐败问题 牵连已投企业 导致三期推出周期延长[11] - 三期设置更严格风控措施和差异化出资人及管理人构成[11]

财务表现 - 上半年营收2.10亿元 同比增长32.91% [1] - 净利润1087.64万元 同比增长562.05% [1] - 毛利率较高的智能卡一站式服务订单占比提升 [1] 主营业务发展 - 智能卡业务稳健增长 产品外销占比长期超过60% [1] - 全球智能卡市场存在结构性增长机遇 东南亚/中东/非洲地区潜力显著 [1] - 与国际头部企业THALES、IDEMIA建立长期合作关系 [1] 新兴业务进展 - 半导体封装材料订单同比增长145.28% [2] - 铜针式散热底板完成技术研发与产线建设 [2] - 产品结构向IGBT与SiC功率模块封装材料升级 应用于新能源汽车/充电桩/AI领域 [2] 技术研发突破 - 液冷板在结构一体化/导热效率/耐压性能方面具竞争优势 [2] - 热管理产品面向AI服务器/高性能计算等高散热需求场景 [2] - 相关产品通过多轮技术验证并获部分客户样品测试认证 [2] 产业链布局 - 实现芯片应用研发至终端应用的全产业链覆盖 [1] - 实施延伸产业链、拓展新领域发展战略 [2] - 半导体封装与数字能源热管理业务成为新增长动力 [2]

核心业绩表现 - 2025年上半年营业收入达2.10亿元，同比增长32.91% [3] - 归属于上市公司股东的净利润为1087.64万元，同比大幅上升562.05% [3] - 扣非后净利润实现扭亏为盈，同比增长387.93% [3] - 业绩增长主要得益于产品结构持续优化与销售规模扩大 [3] 智能卡业务 - 公司实现从芯片应用研发、模块封测、智能卡产销研到终端应用全产业链覆盖，成为业内首家一站式服务商 [4] - 毛利率较高的智能卡一站式服务订单占比提升 [4] - 深化与四大运营商战略合作，拓展超级SIM卡创新应用场景 [4] - 产品外销长期占比超过60%，与THALES、IDEMIA等国际头部企业建立长期合作关系 [4] - 全球智能卡市场在东南亚、中东、非洲等地区具备较大增长潜力 [4] 新兴业务发展 - 半导体封装材料订单同比增长145.28%，市场需求持续旺盛 [5] - 铜针式散热底板技术完成研发与产线建设，产品结构向IGBT与SiC功率模块封装材料升级 [5] - 液冷板产品在结构一体化、导热效率和耐压性能方面具备竞争优势，主要面向AI服务器、高性能计算等高散热需求场景 [5] - 新兴业务已通过多轮技术验证并获得部分客户样品测试认证，正加速首批样品交付并推进量产准备 [5] 财务与现金流状况 - 期末货币资金余额1.27亿元，较上年末增长3.57% [7] - 经营活动产生的现金流量净额同比增长2.88% [7] 研发与战略布局 - 上半年研发投入同比增长9.59% [8] - 实施新一期员工持股计划，完善长效激励机制 [8] - 全球半导体市场持续扩张，AI推动算力需求爆发，液冷服务器市场年复合增长率预计达46.8% [8] - 公司形成智能卡与高科技领域"双轮驱动"格局 [8]

行业趋势与市场前景 - AI服务器、智能汽车等高算力场景发展推动先进封装市场需求持续放量，Chiplet、2.5D/3D等高集成封装技术加速渗透 [1][2] - 2024年全球先进封装市场规模预计达450亿美元（占整体封装市场55%），2030年有望升至800亿美元，2024-2030年复合增长率达9.4% [2] - 2.5D/3D封装占比将从2023年27%增长至2029年40%，营收年复合增速18.05%，显著高于行业平均水平 [2] - 中国先进封装市场2024年规模预计698亿元，2020-2024年复合增速18.7%，但渗透率仅40%（低于全球55%），存在显著提升空间 [3] 技术发展与竞争格局 - 先进封装通过小型化、高密度、低功耗和异构集成能力突破传统工艺的"功耗墙、内存墙、成本墙"三重瓶颈 [1] - 台积电通过CoWoS、InFO、SoIC构建3DFabric平台占据AI算力封装制高点，CoWoS成为AI加速芯片主流方案并绑定NVIDIA等客户 [4] - Intel采用EMIB+Foveros架构强化IDM封装能力，三星通过I-Cube与X-Cube突破混合键合技术瓶颈 [4] - 大陆厂商全面布局：长电科技覆盖WLCSP/Fan-Out/2.5D/3D技术并实现产业化；通富微电携手AMD推动Chiplet与2.5D平台建设；华天科技构建"HMatrix"平台对标CoWoS [4] 国产替代与产业机遇 - 半导体产业链国产替代加速，台积电CoWoS产能紧张导致中长尾订单外溢，为国产平台创造客户导入验证窗口期 [3][4] - 政策与资本协同扶持先进封装平台建设，国内平台型厂商迎来高端工艺突破与份额提升战略起点 [3] - 本土芯片设计产业演进推动封装平台迭代动力释放，甬矽电子、盛合晶微、晶方科技分别在Fan-out/2.5D/3D、硅互联、传感器TSV封装领域实现技术突破 [4] 核心受益标的 - 长电科技具备WLCSP、Fan-Out、2.5D/3D全平台覆盖能力，处于国产领先地位 [1][4] - 通富微电与国际客户合作推动Chiplet及2.5D平台建设，持续提升工艺协同与产品复杂度 [1][4] - 晶方科技聚焦传感器TSV封装路径，在细分赛道实现技术验证与规模化突破 [1][4]

股价表现 - 截至2025年8月25日收盘股价报50.15元 较前一交易日下跌2.33元 跌幅4.44% [1] - 当日成交量为67323手 成交金额达3.44亿元 [1] 业务定位 - 公司是国内半导体封装领域主力供应商 同时是晶圆先进制程重要参与者 [1] - 在电镀液领域具备Turnkey能力 产品覆盖5-14nm晶圆制造 [1] - 在先进封装光刻胶领域处于主力供应商地位 是唯一打破日本JSR垄断的国内供应商 [1] 机构关注度 - 8月22日接待景顺长城基金等多家机构调研 [1] - 近一年累计接待126家机构154次调研 [1] - 调研中管理层重点介绍2025年半年度经营情况及在半导体封装和晶圆制造领域的技术优势与市场地位 [1]

半导体中玻璃的应用现状 - 玻璃已广泛应用于现代晶圆厂 包括作为超平整硼硅酸盐载体支撑硅晶圆 无钠薄片密封MEMS盖帽 低热膨胀系数玻璃作为晶圆级扇出工艺基板 [2] - 玻璃正从辅助材料转变为封装核心 承担基板 中介层 电介质等功能 支持亚太赫兹信号传输和光子引导 [2] 玻璃封装技术升级的驱动因素 - AI/HPC设备对带宽和功率密度需求激增 单个训练加速器需数千高速I/O引脚和数百安培供电网络 传统有机层压板难以满足平整度和过孔密度要求 [4] - 玻璃热膨胀系数可匹配硅 40GHz频率下损耗角正切比硅低一个数量级 面板尺寸可达半米 成本接近高端有机材料 [4] - 大电流 高I/O 高速信号传输需求推动玻璃芯基板和大面板中介层从实验阶段走向商业化 [4] 行业巨头布局玻璃技术 - 英特尔在亚利桑那生产线测试玻璃基平台 三星探索玻璃芯用于I-Cube/H-Cube封装 [5] - SKC建立500毫米玻璃面板钻孔填充试验线 AGC提供低热膨胀系数硼硅酸盐板材 [5] - 玻璃技术被列为AI/HPC时代下一代基板重要候选方案 [5] 玻璃在射频和光子领域的优势 - Ka波段以上频段 玻璃微带插入损耗比有机线低50% [6] - 共封装光学器件(CPO)中 玻璃可集成电气重分布层和光波导 简化对准流程并替代硅光子中介层 [6] - 玻璃通孔技术可同时支持电子和光子布线 扩展应用至传统电子封装之外 [6] 玻璃量产化的关键挑战 - 核心瓶颈在于激光钻孔 铜填充 面板处理等配套工艺的成熟度 良率提升和成本控制是关键 [8] - 需解决通孔填充可靠性 面板翘曲 设计工具模拟精度等问题以达成系统集成商成本目标 [8] - 面临硅基混合重分布技术和改进型有机材料(如低粗糙度ABF芯)的竞争 [8]

行业背景与大会概况 - 半导体工艺逼近物理极限，产业加速向"超越摩尔"时代转型，5G、AI、HPC、数据中心等领域对高效热管理技术需求迫切，先进封装与热管理技术成为突破算力瓶颈的核心引擎 [2] - 2025先进封装及热管理大会将于9月25-26日在苏州举办，聚焦高算力热管理挑战，设置三大论坛：先进封装与异质异构、高算力热管理创新、液冷技术与市场应用，覆盖chiplet、2.5D/3D封装、热界面材料、碳基热管理、液冷技术等热点话题 [3] - 大会由梁剑波教授担任主席，甬江实验室支持，吸引19家单位参与演讲，包括中科院化学所、浙江大学绍兴研究院、华润微电子等产学研机构，规模达500人 [2][3][4] 技术议题与研究方向 先进封装与异质异构 - 关键技术包括：chiplet异质集成、2.5D/3D互联芯粒开发、TSV刻蚀与填充、玻璃通孔技术、晶圆减薄与键合工艺（永久/临时/混合键合）、宽禁带半导体模块集成等 [15][17] - 材料创新重点：光敏性聚酰亚胺、低温烧结焊料、高纯金属靶材、陶瓷/玻璃基板材料，以及封装设备的高精度套刻与检测解决方案 [15][17] 高算力热管理 - 热界面材料（TIM）研发涵盖聚合物（导热硅脂/凝胶/相变材料）和金属（液态金属/微纳结构）两类，碳基材料如金刚石在AI芯片散热中应用突出 [19][20][21] - 液冷技术路径包括浸没式、冷板式、喷淋式，应用于数据中心、5G基站、新能源汽车等领域，需解决相变材料热管理、多物理场耦合设计等挑战 [21][22][25] 液冷技术应用 - 产业链协同创新聚焦冷却液标准化（含氟/硅油系列）、核心部件（CDU/冷板）工艺革新，数据中心液冷规模化落地需优化PUE与余热回收商业模式 [24][25] - 新兴场景适配：新能源电池浸没式液冷、800V超充系统、储能液冷解决方案（铁铬液流电池）、商用车混动液冷系统等 [25] 产学研合作与商业化 - 大会设置专家问诊、VIP对接、科技成果展示墙等环节，促进技术需求与产业链对接，推动先进封装材料国产化（如环氧树脂、电子胶粘剂）及设备解决方案商业化 [13][17] - 参会费用标准：普通代表3000元/人，学生1500元/人，展位赞助25,000元/个，报告赞助35,000元/场，团体参会享9折优惠 [27]

核心观点 - 至正股份重大资产重组项目成为新《外国投资者对上市公司战略投资管理办法》实施后首单跨境换股过会案例 标志着外资战略投资A股渠道的实质性突破 同时推动半导体产业链跨境整合 [1][2][3] 监管政策突破 - 2024年11月新修订《办法》放宽跨境换股条件 允许外国投资者以境外非上市公司股份作为战略投资支付手段 突破原规则仅限境外上市公司股权的限制 [1][2] - 新规对定向发行与要约收购实施分类管理 在现有监管框架保障下开放非上市公司股权支付方式 为跨境换股提供制度基础 [2] - 新规实施后共12例跨境并购过会或注册 但至正股份是唯一采用股权支付方式的案例 体现其示范性 [2] 交易结构设计 - 交易采用复合支付方式：重大资产置换（置出至正新材料100%股权）+发行股份+支付现金 获取AAMI约99.97%控股权 [3][5] - 跨境层面以发行股份及现金收购ASMPT持有的AAMI 49%股权 同时AAMI现金回购香港智信12.49%股权 实现股权归集 [4] - 标的资产AAMI 100%股权估值35.26亿元 实际交易对价30.69亿元 [5] 战略投资者背景 - 交易完成后ASMPT Holding（港股代码0522）将持股18.12%成为第二大股东 其母公司为全球半导体封装设备龙头 已出具不谋求控制权承诺 [4] - 上市公司实际控制人王强持股比例保持23.23% 控制权未发生变更 [4] 标的资产质量 - AAMI系全球前五半导体引线框架供应商 产品覆盖汽车、计算、通信等高可靠性高端市场 客户包括全球头部IDM厂商和封测代工厂 [3] - 2023年收入22.05亿元 2024年增长至24.86亿元 归母净利润从2017.77万元提升至5518.84万元 增幅显著 [5] - 原为ASMPT物料业务分部 2020年分拆独立 在安徽滁州、广东深圳及马来西亚设有生产基地 [5] 行业意义 - 交易构成A股上市公司引入国际半导体龙头股东的首例示范 推动境内外半导体产业协同发展 [1] - 拓宽优质外资进入A股资本市场长期投资的渠道 优化上市公司股权结构和治理架构 [1][4]