公司专利技术进展 - 公司申请沟槽型MOSFET器件制备方法专利 公开号CN120529608A 申请日期2025年07月 [1] - 专利涉及双栅介质层与双栅极层堆叠结构 通过两次沉积工艺实现厚度阈值控制 [1] - 技术方案包含沟槽形成、栅极层选择性去除及表面平整化工艺 [1] 公司基础信息 - 公司成立于2015年 注册资本200613.5157万人民币 位于合肥市 [2] - 主营业务为计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 对外投资9家企业 参与招投标项目630次 [2] 公司知识产权布局 - 累计拥有专利信息1200条 商标信息41条 行政许可21个 [2] - 最新专利涉及功率半导体器件制造领域 体现技术研发持续投入 [1][2]