涉及的行业与公司 * 行业：半导体设备制造，特别是光刻设备 * 公司：ASML (艾司摩尔) 核心观点与论据 业绩与财务指引 * 2026年第一季度业绩：净销售额88亿欧元，符合指引；装机基数业务收入25亿欧元，略超预期；毛利率53%，处于指引上限；净利润28亿欧元[3] * 2026年第二季度指引：总净销售额84亿至90亿美元，其中装机基数业务预计为25亿美元；毛利率预计在51%至52.2%之间[4] * 2026年全年指引上调：全年营收预期从原先的指引上调至360亿至400亿美元；维持全年毛利率在51%至53%的预期[2][8][10] * 非EUV业务预期由持平转为增长，浸没式光刻、干式光刻和应用业务均表现良好[8][9] 市场前景与需求驱动 * 市场前景：半导体行业增长持续，核心驱动力是AI基础设施投资，转化为对先进内存和先进逻辑芯片的大量需求[5] * 供需状况：预计在可预见的未来，供应无法满足需求，已造成从AI到移动和PC手持设备市场的严重供应限制；客户强烈要求增加产能[5] * 客户反馈：内存客户反馈其2026年的产能已售罄，供应限制将持续到2026年以后[2][5] * 客户需求影响：存储和逻辑芯片客户正在增加资本支出，计划在2026年及以后加速产能爬坡，需求大多有长期订单支撑；客户不仅扩大EUV应用，也在增加浸没式光刻技术的采用[6] 产能与技术路线图 * 产能扩张计划： * 2026年EUV系统年产量目标至少60台[2][7] * 2026年浸没式DUV设备销量预计接近2025年水平，需求趋势已逆转[2][7] * 2027年低数值孔径EUV设备年产量目标至少80台[2][7] * 技术路线演进： * 展示了1,000瓦光源，确保低数值孔径EUV技术可扩展性至2031年，届时设备能以330的并行处理能力运行[2][11] * 短期内，已将NXE:3,800E系统的吞吐量从每排220提升至230[2][11] * 下一代系统NXE 38和F的规格提升，并行处理能力从250提升至260，目标在2028年前后提升产能[11] * 高数值孔径EUV技术突破： * High-NA技术可将工艺步骤从约100步减少至10步[2][12] * 在逻辑领域可扩展至18纳米线宽和间距，在存储领域可支持28纳米孔尺寸，证明其已具备商用准备[2][13] * 设备成熟度持续提升，数据可用性、日产能和产出晶圆数量增加，客户已开始在实际产品上进行测试[13] 其他重要内容 * 装机基数业务成为客户快速提升产能的核心手段，2026年第二季度预计贡献25亿美元[2][4] * 2026年全年的业绩指引已考虑当前正在进行的出口管制讨论可能带来的影响[9] * 公司正与客户紧密合作，通过新设备交付、系统性能升级以及提供现有装机基数的产品来满足产能需求[6][7]