烧结银技术概述 - 烧结银技术是一种新型无铅化芯片互连技术，通过低温烧结（<250℃）微米级银颗粒实现耐高温（>700℃）和高导热（>200W/m·K）的连接界面 [3] - 技术发展始于20世纪80年代末，从实验室研究逐步走向工业应用，近年得到广泛推广 [4] - 核心原理依赖原子扩散机制，在低温下形成高导电性、导热性和机械强度的烧结颈结构 [5] 烧结银技术优势 - 高工作温度：满足碳化硅/氮化镓功率模块高温需求，保持连接稳定性 [7] - 高热导率：导热率超200W/m·K，显著优于传统焊料（30-50W/m·K） [7] - 高可靠性：熔点961℃，避免焊料热疲劳效应，适用于航空航天等高要求场景 [7] - 环保特性：不含铅等有害物质，替代高铅焊料 [8] 电动汽车应用场景 - 主驱逆变器采用TPAK、HPD、DCM三种封装模块，提升系统效率8%-12% [10][11][12] - TPAK模块尺寸20mm×28mm×4mm，支持多芯片并联适配400V/800V平台，但设计门槛高 [14] - HPD模块耐压1200V-1700V，电流达1000A以上，适合重卡但尺寸偏大 [15][17] - DCM模块杂散电感<5nH，热阻降低30%，适合欧洲车型但电流能力有限（20A-600A） [20][21] 帝科湃泰产品布局 - 全球电动车烧结银市场规模2030年或达200亿元，单车价值300-1000元 [23] - 压力烧结银DECA610-02T：230℃低温烧结，气孔率<1.2%，通过TC2000测试 [25][32][35] - 大面积压力烧结银DECA610-11W：200℃烧结，气孔率<2%，适用AMB基板 [36][40] - 无压烧结银DECA600-08B120：导热率200W/m·K，通过TC1000测试 [41][42] 行业发展趋势 - 碳化硅功率半导体革命加速，800V高压快充推动烧结银技术替代传统焊料 [1][10] - 公司持续开发烧结铜技术，布局功率半导体长期需求 [45]

公司融资动态 - 芯源新材料完成由北京小米智造股权投资基金独家投资的C轮融资 [1] 公司业务与技术 - 公司成立于2022年，专注于高端半导体封装材料研发、生产、销售和技术服务 [2] - 以烧结银产品为核心，为功率半导体封装和先进集成电路封装提供高散热、高可靠解决方案 [2] - 研发团队由多名博士、硕士及资深实验员组成，已成功开发出车规级烧结银产品、通讯级烧结银产品、光电封装导热银胶等系列产品 [2] - 国内唯一实现车规级烧结材料量产上车的企业，产品广泛应用于各大头部车企，每日上车量超5000辆，市场占有率领先 [2] 融资用途 - 本轮融资将重点用于碳化硅模块封装材料的精进研发与产业化布局 [3] - 持续加大研发投入，优化产品性能，提升生产工艺，巩固在高端半导体封装材料领域的领先地位 [3] - 加速市场拓展，满足日益增长的市场需求，为客户提供更优质的产品和服务 [3] 投资方观点 - 北京小米智造股权投资基金看好公司在半导体封装材料领域的技术实力和创新能力 [3] - 车规级烧结银产品已实现大规模量产并获得市场高度认可 [3] - 看好公司在碳化硅模块封装材料等高端领域的研发潜力以及团队在材料研发和产业化方面的丰富经验 [3] - 此次投资将助力公司进一步提升技术水平，拓展市场份额，推动半导体封装材料行业的国产化进程 [3] 行业观点 - 近年来国家对半导体产业的大力支持为半导体材料企业提供了良好的发展环境 [3] - 公司在高端半导体封装材料领域的技术突破和市场优势获得小米投资，为行业树立良好榜样 [3] - 期待公司在本轮融资支持下加速技术创新和产业化进程，为我国半导体产业的自主可控发展贡献力量 [3]