士兰微SiC芯片技术研发及量产进展 - 公司加快推进"士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线"项目建设 已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片的生产能力 [1] - 基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只 客户端反映良好 [1] - 已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发 性能指标接近沟槽栅SiC器件水平 第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测 基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计2025年上量 [1] 士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线建设 - 士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线 Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上试流片成功 参数与6吋产品匹配 良品率明显高于6吋 [2] - 士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶 正在进行净化装修 预计2025年4季度实现全面通线并试生产 以赶上2026年车用SiC市场快速成长 [2] 公司发展战略 - 在国家政策持续支持和下游行业快速发展背景下 公司将加快实施"一体化"战略 持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS传感器、第三代化合物半导体等方面的投入 [2] - 大力推进系统创新和技术整合 积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场 提升产品附加值和品牌力 [2] - 持续推动公司整体营收较快成长和经营效益提升 为国家集成电路产业发展做出贡献 [2]