新凯来公司及其产品发布 - 公司在2025湾区半导体产业生态博览会上成为全场最热闹的展台之一 [2] - 公司由深圳市国资委全资控股，此前曾在上海展会展示31款半导体设备 [4] - 公司带来两件“惊喜”产品：一台90GHz超高速实时示波器和两款国产EDA软件 [5][9] - 公司主力产品为覆盖半导体制造核心环节的16款设备，以中国名山大川命名，分为工艺装备和检测装备两大类 [13][14] 万里眼技术有限公司（新凯来子公司） - 发布90GHz新一代超高速实时示波器，带宽为全球第二（仅次于110GHz）、国内唯一，打破了西方《瓦森纳协定》封锁 [5] - 该示波器是全球首个超高速智能示波器、全球首个全面屏示波器，屏幕为18.5寸全面屏，支持触控操作 [5][8] - 产品研发涉及关键器件、基础材料等七个关键技术领域，研发团队平均年龄约二十八岁 [6][7] - 产品一个子模块在一年内进行了超过20次迭代，包含多轮芯片流片 [18] - 产品目前已投入市场，已有超过2万名工程师使用，下游市场反馈良好 [10] 启云方科技有限公司（新凯来子公司） - 发布两款拥有完全自主知识产权的国产电子工程EDA软件 [9] - 软件产品性能较行业标杆提升30%，产品硬件开发周期缩短40%，设计“一版成功”几率提升30% [10] - 软件支持超大规模电路设计，具备“多人并行协同设计”功能，并兼容多款国产操作系统、数据库等平台软件 [10][11] 新凯来半导体设备产品线 - 薄膜沉积设备包括PVD普陀山、ALD阿里山和CVD长白山三款 [15] - 刻蚀设备展出了ETCH武夷山，扩散产品包括EPI峨眉山和RTP三清山 [16] - 还展出了光学检测、光学量测、物理与X射线量测等多个系列产品，如岳麓山、天门山等 [17] - 公司模式为联合国内半导体设备及零部件合作伙伴，为产业链提供先进解决方案 [17] 中国半导体产业发展模式与趋势 - 产业发展从过去个别企业单点突破转向更系统、全面的打法，产业链协同效率有实质性提升 [21][32] - 形成设备、材料与EDA工具相互验证、共同迭代的正向反馈循环 [19][32] - 国内庞大的应用市场（如新能源汽车、人工智能）为新技术快速迭代和商业化提供了独特优势 [19] - 出现以系统厂商为龙头牵引芯片设计、构建“虚拟IDM”联盟、共建联合研发平台等合作模式 [32] 产业链其他关键进展 - 基础材料领域：有研亿金的高纯金属溅射靶材可满足90纳米至5纳米工艺需求 [22] - 核心设备领域：拓荆科技的PECVD、ALD等设备已进入国内70多条生产线，正加速扩产，投资近十亿元的上海二厂已启用 [23] - 先进封装领域：珠海硅芯科技联合近30家单位展示2.5D/3D EDA工具、芯粒库生态建设进展 [26] - 芯片设计领域：芯瞳半导体的国产GPU产品已完成与龙芯中科桌面处理器平台的兼容互认证，并与中科曙光达成战略合作 [27][28][29] - 芯片应用领域：方正微电子的SiC芯片已在国产新能源乘用车主驱系统大规模应用；欧冶半导体的AI SoC芯片NPU计算效率比国外同类芯片高出50%以上 [30]

新凯来公司及其产品发布 - 新凯来在2025湾区半导体产业生态博览会上发布了两项核心产品：一台90GHz超高速实时示波器（硬件）和一套国产EDA软件（软件）[6] - 万里眼发布的90GHz示波器将国产示波器带宽从20GHz以下大幅提升，性能仅次于国际最高的110GHz，为全球第二、国内唯一[7] - 该示波器是全球首个超高速智能示波器、全球首个全面屏示波器，采用18.5寸全面屏支持触控操作，打破了西方《瓦森纳协定》的技术封锁[7][11] - 启云方发布的国产EDA软件在关键指标上达到业界一流水准，产品性能较行业标杆提升30%，硬件开发周期缩短40%，设计“一版成功”几率提升30%[14] - 该EDA软件已投入市场，拥有超过2万名工程师用户，并兼容多款国产操作系统、数据库及中间件，致力于融入自主可控的国产工业软件体系[14][15] - 新凯来展出了覆盖半导体制造核心环节的16款工艺与检测装备，包括以名山命名的PVD普陀山、ALD阿里山、CVD长白山等薄膜沉积设备，以及ETCH武夷山等刻蚀设备[17][18][19][20] - 公司研发团队平均年龄约二十八岁，通过强大的系统集成和工程平衡能力，在一年内对技术子模块进行了超过20次迭代和多轮芯片流片，实现快速技术追赶[9][10][22] 中国半导体产业链协同发展 - 行业从过去个别企业的单点突破，转向更系统、全面的产业链协同发展模式，设备、材料与EDA工具相互验证、共同迭代，形成正向反馈循环[23][26][35] - 国内庞大的应用市场，特别是在人工智能推理芯片、自动驾驶计算芯片、车规级功率半导体及数据中心芯片等领域，为技术快速迭代和商业化提供了独特优势和市场机遇[23] - 中国正在采用新型举国体制，通过集中企业和市场主体的创新力量，逐个击破技术关口，逐步实现芯片半导体全链条的自主可控，增强技术博弈中的底气[23] - 在基础材料领域，有研亿金的高纯金属溅射靶材可满足90纳米至5纳米逻辑、存储等先进制程工艺的需求[27] - 在核心设备领域，拓荆科技的PECVD、ALD等设备已进入国内20多个地区的70多条生产线，并正加速扩产，投资近十亿元的上海二厂已于2025年6月启用[28] - 在先进封装方向，珠海硅芯科技联合近30家单位打造Chiplet与先进封装生态专区，系统展示国内在2.5D/3D EDA工具、芯粒库生态建设等方面的进展[30][31] - 国产GPU企业芯瞳半导体与龙芯中科完成桌面处理器平台兼容互认证，并与中科曙光战略合作，共同打造基于国产高性能GPU的工业控制解决方案[32][33] - 第三代半导体材料领域，方正微电子的SiC芯片已在国产新能源乘用车主驱系统上实现大规模应用；欧冶半导体的AI SoC芯片NPU计算效率比国外同类芯片高出50%以上[34] - 产业链协同效率提升，合作模式增多，如系统厂商牵引芯片设计、构建“虚拟IDM”联盟、共建联合研发平台等，增强了整个产业的韧性和战略主动性[35] - 行业未来需强化“软实力”，培养顶尖人才与复合型工程师，构建滋养创新、保护知识产权的良性产业生态，并在国家层面形成分工明确、优势互补的“全国一盘棋”产业格局[35][36]

公司股价与业绩表现 - 公司股价于10月13日收盘上涨4.73%，今年以来累计涨幅超过80% [1] - 预计2025年前三季度净利润为9.37亿元至10.04亿元，同比增长40%至50% [1] - 预计第三季度净利润为3.35亿元至4.02亿元，同比增长37.31%至64.71% [1] 业绩增长驱动因素 - 业绩增长得益于半导体行业景气度持续攀升，汽车电子、人工智能、消费类电子等领域呈现强劲增长 [1] - 公司持续加大高附加值新产品研发投入，产品结构持续优化，毛利率呈现逐季提升的良好态势 [1] - 功率半导体市场在人工智能、新能源、汽车电子驱动下呈现需求扩张、国产加速的态势 [1] 行业地位与竞争优势 - 公司是A股功率半导体龙头企业，国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模化企业 [1] - 2025年公司蝉联中国半导体行业协会评选的"中国半导体功率器件十强企业"前三强 [2] - OMDIA全球功率半导体discrete榜单排名第八，并入选汽车芯片50强，工信部汽车白名单等 [2] 技术发展与产品进展 - 公司首条SiC芯片产线顺利实现量产爬坡，工艺和质量达到国内领先水平 [3] - 首条SiC车规级功率半导体模块封装项目建成并投产 [3] - 公司产品技术与安世半导体重叠度高，后者在小信号二极管、晶体管、小信号MOSFET、ESD保护器件领域全球领先 [2] 战略扩张与国际化 - 公司拟斥资22.18亿元收购东莞市贝特电子科技股份有限公司100%股权，标的公司为专精特新"小巨人"企业 [3] - 公司与星宇股份签订战略合作协议，围绕车规半导体全产业链发展深化合作 [3] - 公司首个海外封装基地MCC(越南)工厂实现满产满销，产品良率达99.5%以上，二期项目已于年中顺利通线 [3] 行业环境与机遇 - 中美贸易争端与技术封锁加快中国功率半导体产业自主化进程，地缘政治对供应链安全提出更高要求 [2] - 国内功率半导体企业迎来发展良机 [2]

股价表现 - 赛晶科技股价创近两年新高 盘中达1.86港币[2] - 近三个月涨幅44% 近一年涨幅84%[2] - 跃居Wind港股电气设备板块市场表现第二名[2] 财务业绩 - 2025年上半年收入8.883亿元 同比增长35.5%[3] - 归母净利润9380万元 同比增长178%[3] - 全年销售收入目标20亿元[9] 特高压业务 - 输配电领域收入4.67亿元 同比增长30%[3] - 参与超30个特高压直流输电工程[4] - 柔性直流输电收入2.96亿元 同比增123%[5] - 交付巴西伊泰普水电站±600千伏 哈密-重庆±800千伏等特高压项目[3] 新能源与半导体业务 - 新能源发电与储能收入1.56亿元 同比增长108%[6] - 自研功率半导体销售收入同比增长超两倍[7] - 推出第七代微沟槽技术IGBT芯片 最大电流达300A[7] - 与乘用车龙头及储能龙头企业签订批量供货协议[7] 行业前景 - 国家电网2025年总投资预计首超6500亿元[4] - "十四五"特高压项目建设预计持续至2028年[9] - 藏东南至粤港澳大湾区 蒙西至京津冀等项目年底前启动招标[8] - 券商预测2025-2027年营收将达20-33亿元[9][10]

行业整体表现 - A股52家公司发布上半年业绩预告，超六成公司业绩向好，电子板块表现突出[1] - 电子板块四家公司净利润增幅中值均超80%，最高达267%[1] 泰凌微(688591) - 公司为国内无线连接芯片隐形冠军，专注AIoT领域[2] - 产品应用于智能眼镜和电子价签，实现低功耗蓝牙芯片技术突破，续航提升至三天一充[2] - 电子价签多模芯片支持蓝牙/Wi-Fi无缝切换，获得连锁商超千万级订单[2] - 受益国产替代政策，获得中芯国际等本土晶圆厂优先流片支持，毛利率达60%[2] 芯动联科(688582) - 公司专注高端MEMS传感器市场，产品应用于商业卫星、无人车和低空飞行器[4] - 2025年上半年商业航天和智能驾驶领域订单超4亿元，超过去年全年营收[4] - 实现芯片设计到封装测试全流程自主可控，毛利率达85%[4] 芯朋微(688508) - 公司产品覆盖新能源汽车、光伏逆变器、家电等多领域[5] - 2025年上半年工业自动化和汽车电子板块营收增长70%[5] - 产品包括高压芯片和车规级器件，进入特斯拉、比亚迪供应链[6] - 受益国产芯片政策红利，进口替代订单快速增长[6] 长川科技(300604) - 公司为半导体测试设备供应商，受益AI芯片和HBM存储芯片需求增长[8] - SOC测试机、三温分选机性能比肩国际巨头，价格低30%[8] - 获得中芯国际、长电科技等龙头订单，31亿元定增资金到位后高端测试机产能翻倍[8] 行业成功因素 - 企业专注AIoT芯片、MEMS传感器等细分赛道实现技术突破[9] - 本土企业在性能比肩国际一流的同时具备价格优势[9] - 低空经济、AI终端、新能源汽车等新场景创造增量市场[9]

SiC芯片自研技术突破 - 公司自研了功率半导体的核心SiC芯片，该芯片需在高压大电流环境下保持稳定，一旦失效将导致电机故障[2] - 现有行业标准无法检测出隐藏极深的问题芯片，这些芯片在严苛工作环境下有突然烧毁风险[2] - 问题芯片的失效原因与制造工艺瑕疵有关，外延层表面凹坑（尺寸2-3 μm，深度~200 nm）会导致局部电场强度增加，引发寄生BJT提前导通和热失控[3] UIS测试方法创新 - 公司开发了UIS测试方法模拟极端工况，验证器件在高压尖峰下的雪崩击穿承受能力[3] - 实验结果显示含凹坑芯片的UIS失败率显著更高，25片样品中9片失效，烧毁点与凹坑位置完全匹配[3] - UIS测试为非破坏性检测，可集成到芯片制造的下线检测工艺中[3] 六边形SiC元胞设计 - 公司采用六边形SiC元胞设计，具有更小导通电阻、更大导通面积和更好可靠性[4] - 传统SiC产品较少采用六边形设计因其会增加开关损失（效率降低），但公司基于车用开关频率需求特点进行了定制化开发[4] - 具体如何解决效率问题尚未公开，需进一步了解[4] 行业人才发展 - 论文第一作者为年轻女工程师，体现了中国新能源行业快速发展背景下的人才成长[4]

员工持股计划 - 公司发布奋斗者计划（六期）员工持股计划草案 设立资金总额不超1 63亿元 初始持有人不超500人 购买价格为47 71元/股 [1] - 业绩考核要求2027年营收不低于100亿元或净利润不低于15亿元 [1] - 员工持股计划彰显公司对未来增长的信心 [1] 双品牌运营战略 - 公司坚持"双品牌"+"双循环"模式 "YJ"品牌主攻国内和亚太市场 "MCC"品牌主打欧美市场对标安森美等国际一线企业 [2] - 二极管/整流桥领域已形成护城河 成为全球领先企业 [1] - 越南工厂一期项目已基本满产 二期预计2025年6月量产 25Q1海外营收同比增长近40% [2] 研发技术进展 - SiC芯片工厂实现量产 产品完成多代升级 1200V SiC MOS平台部分指标达国际水平 新增多个系列模块产品 [2] - IGBT芯片完成全系列开发并批量出货 1700V半桥产品已上架 [2] - 车载模块获多家Tier 1和车企测试合作意向 计划25Q4开展国产主驱碳化硅模块验证 [2] 业务表现与展望 - 25Q1汽车电子业务收入同比增长超70% 产品在多模块渗透率提升 [2] - 预计2025-2027年营收分别为70 18/83 21/100 20亿元 归母净利润12 28/14 47/17 02亿元 [3] - 半导体硅材料 晶圆和功率器件三大板块协同发展 深化海外战略布局 [3]

光模块业务 - 400G/800G/1.6T电子陶瓷材料封装外壳及基板性能已对标海外厂商，受益于AI需求增长，该业务将持续增加，主要客户为光通信器件头部企业且份额占比较大 [2] - 精密陶瓷零部件领域已开发氧化铝、氮化铝产品，陶瓷加热盘核心技术指标达国际水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 第三代半导体业务 - SiC芯片市场竞争压力较小，产品因性能、质量及成品控制优势获市场高认可度，头部客户供货中实现零批次质量事故，新用户认证进展良好 [4] - SiC模块已进入智能电网、感应加热等高压市场并形成小批量订单，新能源车领域通过主驱模块业务布局提升份额 [5] - GaN射频芯片在海外5G建设上升期及射频能量、卫星通信等领域具备长期成长性 [6] 研发与技术布局 - 6G技术储备方面，公司推进5G-A/6G/星链通信相关射频芯片与器件研发，已储备关键技术并开展产品验证 [10] - 技术合作方面，公司与高校、科研机构及产业链上下游建立战略合作，推动协同创新与产业升级 [8] - 研发团队通过多渠道引进高端人才，建立完善激励机制，强化创新能力 [7] 财务与经营表现 - 2025年一季度主营收入6.14亿元（同比+12.01%），归母净利润1.23亿元（同比+48.81%），毛利率35.93%，主因产品结构优化、成本管控及国联万众股权收购 [11] - 机构预测2025-2027年净利润区间为5.14亿-7.08亿、5.55亿-9.07亿、8.72亿-10.46亿元 [14] - 近3个月融资净流入1969.74万元，融券净流出162.22万元 [14] 战略与管理 - 第三代半导体为核心业务，公司将持续投入研发并拓展高毛利应用领域，通过降本增效优化成本结构 [5] - 管理层换届有序推进中，原董事会继续履职 [5] - 公司研究多元化员工激励工具，但暂无股份回购计划 [6]

投资者关系活动基本信息 - 活动时间为 2025 年 5 月 9 日 - 2025 年 5 月 13 日 [3] - 活动地点在河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街 21 号 [3] - 活动类别为特定对象调研和现场参观 [2] - 参与单位包括国新投资有限公司、中国人寿资产管理有限公司等 20 家 [2] - 上市公司接待人员有中国电科产业基础研究院副院长赵瑞华等 6 人 [3] 业务情况 光模块业务 - 400G/800G/1.6T 电子陶瓷材料封装外壳&基板性能对标海外友商，随 AI 需求持续增加，业务会持续增长，主要客户为光通信器件头部客户，份额占比较大 [3] 精密陶瓷零部件业务 - 公司加大研发投入，开发氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立制造工艺平台，陶瓷加热盘产品核心指标达国际同类水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 国联万众 SiC 芯片业务 - 存在一定市场竞争压力，但 SiC 竞争压力不大，因产品性能、质量和成品控制优势，市场认可度高，头部企业供货零批次质量事故，份额持续增加，新用户拓展向好 [3] 三代半业务 - 是公司核心业务和发展战略重要组成部分，保持研发资源和资金投入，开拓高毛利业务领域应用，对 GaN、SiC 业务分团队并按发展情况投入资源，推动降本增效 [4] SiC 模块业务 - 在智能电网、感应加热等高压市场推广，已形成小批量订单；在新能源车领域布局主驱模块业务，通过合作解决痛点、提升质量、控制成本来提升份额 [4] GaN 射频芯片业务 - 国内 5G 基站建设平稳，海外上升，GaN 器件在射频能量、低空经济、卫星通信等领域有长期成长性 [4] 公司管理与战略 管理层换届 - 公司已发布延期换届公告，换届工作有序推进，原董事会、管理层继续履职，会积极推进并及时披露信息 [3][4] 市值管理 - 重视人才激励，建立薪酬和绩效考核体系，研究多元化激励方式，审慎考虑股权激励计划；截至目前暂无股份回购计划，会综合权衡并及时披露 [4][5] 技术与人才 技术人才团队 - 坚持“以人为本”，通过多种方式引进高端人才，扩大研发中心队伍，建立全流程激励机制，调动研发人员积极性 [5] 技术合作与专利布局 - 坚持合作共赢，与行业内外伙伴建立战略合作关系，促进产业链协同创新，加速科技成果转化与产业升级 [5] 6G 技术储备 - 博威公司推进 5G - A、6G、星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件研发，储备关键技术，按用户需求推进产品开发和验证 [6][7] 财务情况 - 2025 年一季度归母净利润同比大幅增长，原因一是产品结构优化和成本管控增强使毛利增加，二是 2024 年 7 月收购国联万众剩余股权后归母比例由 94.6029% 上升为 100% [6]

半导体行业现状与英国复苏 - 超过四分之三的微芯片产自亚洲，但在20世纪90年代芯片生产分布更广泛，英国苏格兰中部地带曾被称为"硅谷"，电子行业从业人员达5万人[1] - 21世纪初互联网泡沫破裂导致制造业向东亚转移，英国国内产能几乎被摧毁[1] - 英国半导体行业正在复苏，新一波公司专注于清洁能源技术微芯片，包括电动汽车、可再生能源并入电网和数据中心应用[1] 化合物半导体技术优势 - 新型芯片由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成，具有高温下有效传导电流的能力，能承受比硅高9倍以上的电场[1] - SiC芯片厚度比同等硅芯片薄九倍，降低电流阻力，提高效率[1] - SiC和GaN器件开关速度更快，废热耗散更少，成为高性能、紧凑且节能充电系统的理想选择[1] - 基于GaN的壁式充电器更小、更轻、更高效[1] 电动汽车与能源应用 - 基于碳化硅的功率转换器可减少能量损失60%以上，使电动汽车续航里程延长5%[3] - 这些芯片对于将可再生能源并入电网至关重要[1] - 华威大学团队开发用于未来火车和轮船的超高压功率器件，以及电网和太空应用[3] 制造工艺与成本挑战 - 生产SiC和GaN需要复杂、昂贵且耗能的制造工艺，直到2010年代才能实现大规模生产[3] - 碳化硅必须在极端温度和压力下生长一周，形成长度不到5厘米的小圆柱形晶体[3] - SiC芯片价格仍比硅芯片高出约三倍[3] 英国半导体产业投资 - Vishay Intertechnology以1.77亿美元收购纽波特晶圆厂，并追加2.5亿英镑投资，保障400个工作岗位[3] - 纽波特工厂每月将生产数千片200毫米直径碳化硅晶圆，每片可为超过15辆电动汽车供电[3] - 英国国防部投资确保砷化镓和氮化镓芯片国内供应，这些芯片对雷达系统和战斗机至关重要[3] 产业发展模式 - Clas-SiC晶圆厂采用代工模式，根据国际客户设计生产器件，将设计和制造环节分离[3] - 英国大学的世界级研究是成功基础，十多年来公共投资帮助建立全球公认的学术专长[3] - 英国政府通过半导体战略支持行业发展，致力于通过清洁能源和先进制造业推动经济增长[3]