行业整体表现 - A股52家公司发布上半年业绩预告，超六成公司业绩向好，电子板块表现突出[1] - 电子板块四家公司净利润增幅中值均超80%，最高达267%[1] 泰凌微(688591) - 公司为国内无线连接芯片隐形冠军，专注AIoT领域[2] - 产品应用于智能眼镜和电子价签，实现低功耗蓝牙芯片技术突破，续航提升至三天一充[2] - 电子价签多模芯片支持蓝牙/Wi-Fi无缝切换，获得连锁商超千万级订单[2] - 受益国产替代政策，获得中芯国际等本土晶圆厂优先流片支持，毛利率达60%[2] 芯动联科(688582) - 公司专注高端MEMS传感器市场，产品应用于商业卫星、无人车和低空飞行器[4] - 2025年上半年商业航天和智能驾驶领域订单超4亿元，超过去年全年营收[4] - 实现芯片设计到封装测试全流程自主可控，毛利率达85%[4] 芯朋微(688508) - 公司产品覆盖新能源汽车、光伏逆变器、家电等多领域[5] - 2025年上半年工业自动化和汽车电子板块营收增长70%[5] - 产品包括高压芯片和车规级器件，进入特斯拉、比亚迪供应链[6] - 受益国产芯片政策红利，进口替代订单快速增长[6] 长川科技(300604) - 公司为半导体测试设备供应商，受益AI芯片和HBM存储芯片需求增长[8] - SOC测试机、三温分选机性能比肩国际巨头，价格低30%[8] - 获得中芯国际、长电科技等龙头订单，31亿元定增资金到位后高端测试机产能翻倍[8] 行业成功因素 - 企业专注AIoT芯片、MEMS传感器等细分赛道实现技术突破[9] - 本土企业在性能比肩国际一流的同时具备价格优势[9] - 低空经济、AI终端、新能源汽车等新场景创造增量市场[9]

SiC芯片自研技术突破 - 公司自研了功率半导体的核心SiC芯片，该芯片需在高压大电流环境下保持稳定，一旦失效将导致电机故障[2] - 现有行业标准无法检测出隐藏极深的问题芯片，这些芯片在严苛工作环境下有突然烧毁风险[2] - 问题芯片的失效原因与制造工艺瑕疵有关，外延层表面凹坑（尺寸2-3 μm，深度~200 nm）会导致局部电场强度增加，引发寄生BJT提前导通和热失控[3] UIS测试方法创新 - 公司开发了UIS测试方法模拟极端工况，验证器件在高压尖峰下的雪崩击穿承受能力[3] - 实验结果显示含凹坑芯片的UIS失败率显著更高，25片样品中9片失效，烧毁点与凹坑位置完全匹配[3] - UIS测试为非破坏性检测，可集成到芯片制造的下线检测工艺中[3] 六边形SiC元胞设计 - 公司采用六边形SiC元胞设计，具有更小导通电阻、更大导通面积和更好可靠性[4] - 传统SiC产品较少采用六边形设计因其会增加开关损失（效率降低），但公司基于车用开关频率需求特点进行了定制化开发[4] - 具体如何解决效率问题尚未公开，需进一步了解[4] 行业人才发展 - 论文第一作者为年轻女工程师，体现了中国新能源行业快速发展背景下的人才成长[4]

员工持股计划 - 公司发布奋斗者计划（六期）员工持股计划草案 设立资金总额不超1 63亿元 初始持有人不超500人 购买价格为47 71元/股 [1] - 业绩考核要求2027年营收不低于100亿元或净利润不低于15亿元 [1] - 员工持股计划彰显公司对未来增长的信心 [1] 双品牌运营战略 - 公司坚持"双品牌"+"双循环"模式 "YJ"品牌主攻国内和亚太市场 "MCC"品牌主打欧美市场对标安森美等国际一线企业 [2] - 二极管/整流桥领域已形成护城河 成为全球领先企业 [1] - 越南工厂一期项目已基本满产 二期预计2025年6月量产 25Q1海外营收同比增长近40% [2] 研发技术进展 - SiC芯片工厂实现量产 产品完成多代升级 1200V SiC MOS平台部分指标达国际水平 新增多个系列模块产品 [2] - IGBT芯片完成全系列开发并批量出货 1700V半桥产品已上架 [2] - 车载模块获多家Tier 1和车企测试合作意向 计划25Q4开展国产主驱碳化硅模块验证 [2] 业务表现与展望 - 25Q1汽车电子业务收入同比增长超70% 产品在多模块渗透率提升 [2] - 预计2025-2027年营收分别为70 18/83 21/100 20亿元 归母净利润12 28/14 47/17 02亿元 [3] - 半导体硅材料 晶圆和功率器件三大板块协同发展 深化海外战略布局 [3]

光模块业务 - 400G/800G/1.6T电子陶瓷材料封装外壳及基板性能已对标海外厂商，受益于AI需求增长，该业务将持续增加，主要客户为光通信器件头部企业且份额占比较大 [2] - 精密陶瓷零部件领域已开发氧化铝、氮化铝产品，陶瓷加热盘核心技术指标达国际水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 第三代半导体业务 - SiC芯片市场竞争压力较小，产品因性能、质量及成品控制优势获市场高认可度，头部客户供货中实现零批次质量事故，新用户认证进展良好 [4] - SiC模块已进入智能电网、感应加热等高压市场并形成小批量订单，新能源车领域通过主驱模块业务布局提升份额 [5] - GaN射频芯片在海外5G建设上升期及射频能量、卫星通信等领域具备长期成长性 [6] 研发与技术布局 - 6G技术储备方面，公司推进5G-A/6G/星链通信相关射频芯片与器件研发，已储备关键技术并开展产品验证 [10] - 技术合作方面，公司与高校、科研机构及产业链上下游建立战略合作，推动协同创新与产业升级 [8] - 研发团队通过多渠道引进高端人才，建立完善激励机制，强化创新能力 [7] 财务与经营表现 - 2025年一季度主营收入6.14亿元（同比+12.01%），归母净利润1.23亿元（同比+48.81%），毛利率35.93%，主因产品结构优化、成本管控及国联万众股权收购 [11] - 机构预测2025-2027年净利润区间为5.14亿-7.08亿、5.55亿-9.07亿、8.72亿-10.46亿元 [14] - 近3个月融资净流入1969.74万元，融券净流出162.22万元 [14] 战略与管理 - 第三代半导体为核心业务，公司将持续投入研发并拓展高毛利应用领域，通过降本增效优化成本结构 [5] - 管理层换届有序推进中，原董事会继续履职 [5] - 公司研究多元化员工激励工具，但暂无股份回购计划 [6]

投资者关系活动基本信息 - 活动时间为 2025 年 5 月 9 日 - 2025 年 5 月 13 日 [3] - 活动地点在河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街 21 号 [3] - 活动类别为特定对象调研和现场参观 [2] - 参与单位包括国新投资有限公司、中国人寿资产管理有限公司等 20 家 [2] - 上市公司接待人员有中国电科产业基础研究院副院长赵瑞华等 6 人 [3] 业务情况 光模块业务 - 400G/800G/1.6T 电子陶瓷材料封装外壳&基板性能对标海外友商，随 AI 需求持续增加，业务会持续增长，主要客户为光通信器件头部客户，份额占比较大 [3] 精密陶瓷零部件业务 - 公司加大研发投入，开发氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立制造工艺平台，陶瓷加热盘产品核心指标达国际同类水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 国联万众 SiC 芯片业务 - 存在一定市场竞争压力，但 SiC 竞争压力不大，因产品性能、质量和成品控制优势，市场认可度高，头部企业供货零批次质量事故，份额持续增加，新用户拓展向好 [3] 三代半业务 - 是公司核心业务和发展战略重要组成部分，保持研发资源和资金投入，开拓高毛利业务领域应用，对 GaN、SiC 业务分团队并按发展情况投入资源，推动降本增效 [4] SiC 模块业务 - 在智能电网、感应加热等高压市场推广，已形成小批量订单；在新能源车领域布局主驱模块业务，通过合作解决痛点、提升质量、控制成本来提升份额 [4] GaN 射频芯片业务 - 国内 5G 基站建设平稳，海外上升，GaN 器件在射频能量、低空经济、卫星通信等领域有长期成长性 [4] 公司管理与战略 管理层换届 - 公司已发布延期换届公告，换届工作有序推进，原董事会、管理层继续履职，会积极推进并及时披露信息 [3][4] 市值管理 - 重视人才激励，建立薪酬和绩效考核体系，研究多元化激励方式，审慎考虑股权激励计划；截至目前暂无股份回购计划，会综合权衡并及时披露 [4][5] 技术与人才 技术人才团队 - 坚持“以人为本”，通过多种方式引进高端人才，扩大研发中心队伍，建立全流程激励机制，调动研发人员积极性 [5] 技术合作与专利布局 - 坚持合作共赢，与行业内外伙伴建立战略合作关系，促进产业链协同创新，加速科技成果转化与产业升级 [5] 6G 技术储备 - 博威公司推进 5G - A、6G、星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件研发，储备关键技术，按用户需求推进产品开发和验证 [6][7] 财务情况 - 2025 年一季度归母净利润同比大幅增长，原因一是产品结构优化和成本管控增强使毛利增加，二是 2024 年 7 月收购国联万众剩余股权后归母比例由 94.6029% 上升为 100% [6]

半导体行业现状与英国复苏 - 超过四分之三的微芯片产自亚洲，但在20世纪90年代芯片生产分布更广泛，英国苏格兰中部地带曾被称为"硅谷"，电子行业从业人员达5万人[1] - 21世纪初互联网泡沫破裂导致制造业向东亚转移，英国国内产能几乎被摧毁[1] - 英国半导体行业正在复苏，新一波公司专注于清洁能源技术微芯片，包括电动汽车、可再生能源并入电网和数据中心应用[1] 化合物半导体技术优势 - 新型芯片由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成，具有高温下有效传导电流的能力，能承受比硅高9倍以上的电场[1] - SiC芯片厚度比同等硅芯片薄九倍，降低电流阻力，提高效率[1] - SiC和GaN器件开关速度更快，废热耗散更少，成为高性能、紧凑且节能充电系统的理想选择[1] - 基于GaN的壁式充电器更小、更轻、更高效[1] 电动汽车与能源应用 - 基于碳化硅的功率转换器可减少能量损失60%以上，使电动汽车续航里程延长5%[3] - 这些芯片对于将可再生能源并入电网至关重要[1] - 华威大学团队开发用于未来火车和轮船的超高压功率器件，以及电网和太空应用[3] 制造工艺与成本挑战 - 生产SiC和GaN需要复杂、昂贵且耗能的制造工艺，直到2010年代才能实现大规模生产[3] - 碳化硅必须在极端温度和压力下生长一周，形成长度不到5厘米的小圆柱形晶体[3] - SiC芯片价格仍比硅芯片高出约三倍[3] 英国半导体产业投资 - Vishay Intertechnology以1.77亿美元收购纽波特晶圆厂，并追加2.5亿英镑投资，保障400个工作岗位[3] - 纽波特工厂每月将生产数千片200毫米直径碳化硅晶圆，每片可为超过15辆电动汽车供电[3] - 英国国防部投资确保砷化镓和氮化镓芯片国内供应，这些芯片对雷达系统和战斗机至关重要[3] 产业发展模式 - Clas-SiC晶圆厂采用代工模式，根据国际客户设计生产器件，将设计和制造环节分离[3] - 英国大学的世界级研究是成功基础，十多年来公共投资帮助建立全球公认的学术专长[3] - 英国政府通过半导体战略支持行业发展，致力于通过清洁能源和先进制造业推动经济增长[3]

士兰微SiC芯片技术研发及量产进展 - 公司加快推进"士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线"项目建设 已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片的生产能力 [1] - 基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只 客户端反映良好 [1] - 已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发 性能指标接近沟槽栅SiC器件水平 第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测 基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计2025年上量 [1] 士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线建设 - 士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线 Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上试流片成功 参数与6吋产品匹配 良品率明显高于6吋 [2] - 士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶 正在进行净化装修 预计2025年4季度实现全面通线并试生产 以赶上2026年车用SiC市场快速成长 [2] 公司发展战略 - 在国家政策持续支持和下游行业快速发展背景下 公司将加快实施"一体化"战略 持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS传感器、第三代化合物半导体等方面的投入 [2] - 大力推进系统创新和技术整合 积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场 提升产品附加值和品牌力 [2] - 持续推动公司整体营收较快成长和经营效益提升 为国家集成电路产业发展做出贡献 [2]

碳化硅行业现状 - 碳化硅（SiC）在高压高温环境下性能超越传统硅材料，广泛应用于新能源汽车电驱系统、充电桩、工业自动化和AI服务器电源领域，被认为是未来十年最具潜力的材料革新方向 [2] - 随着市场需求放缓、资本开支压力上升以及中资企业迅猛追赶，美国SiC巨头安森美与Wolfspeed正陷入生存与转型的十字路口 [2] 安森美的困境与转型 - 2024年第四季度营收17.2亿美元，同比下降近15%，电源解决方案和模拟信号领域收入分别下降16%和18% [4] - 预计2025年第一季度营收将下降至13.5亿至14.5亿美元，低于市场预期的16.9亿美元，股价年内暴跌超过37% [4] - 面临中国和欧洲SiC厂商的激烈竞争，特别是在电动汽车销量疲软的情况下增长动能大减 [7] - 采取战略收缩和并购进攻策略：裁员9%以削减成本，预计产生5000万至6000万美元费用；以1.15亿美元收购Qorvo的SiC JFET业务；计划以69亿美元现金收购Allegro Microsystems [7][8] - 制造布局转向Fab-lite模式，整合9座工厂、关闭低效产能、购入纽约DeWitt工厂，实现"有选择性的垂直整合" [8] Wolfspeed的生存危机 - 2024年全年营收不到9亿美元，净亏损超过6亿美元，净债务超过50亿美元，市值不足10亿美元 [10] - 2024年11月罢免CEO Gregg Lowe，2025年3月底任命Robert Feurle为新任CEO [13] - 大幅削减2026年资本支出预期，从12亿美元降至3亿美元，叫停德国30亿美元工厂项目 [13] - 与Apollo签署利率近10%的20亿美元融资安排，2025年1月以每股7美元发行2800万股，筹集2亿美元但导致股本稀释超过22% [18] - 最新股价跌至2.7美元，暴跌逾52%，创27年最低点 [18] 美国SiC行业的结构性挑战 - 安森美和Wolfspeed在2021-2023年高涨期进行激进投资，但2024年电动汽车需求下滑导致资本规划严重错配 [16] - 中国厂商如天科合达、斯达半导、比亚迪半导正快速赶上技术差距并以成本优势进行价格压制 [16] - 《芯片法案》政策不确定性高，拨款效率低，配套设施分布松散，商务部芯片计划办公室约80%员工被解雇或辞职 [17] - 两家公司在晶圆材料上仍依赖日欧设备与材料，缺乏"自主安全"完整保障 [17]