第三代化合物半导体

搜索文档
第三代化合物半导体材料虚火过旺?碳化硅衬底产业暗含隐忧
犀牛财经· 2025-05-21 09:32
行业概况 - 2024年全球N-type SiC衬底产业营收年减9%至10.4亿美元 主要受汽车和工业需求走弱及市场竞争加剧影响 [2] - SiC材料因高禁带宽度、高击穿电场强度等特性 广泛应用于新能源汽车、光伏、储能等领域 [2] - 中国企业入局导致SiC衬底价格快速下降 6英寸衬底价格已跌至500美元以下 接近成本线 [2] 市场竞争格局 - Wolfspeed仍为SiC材料市场最重要供应商 2024年市占率33.7% [5] - 国内企业天科合达和天岳先进分别以17.3%和17.1%市占率位列第二、三名 [5] - 中国企业凭借低价策略直接冲击原有市场格局 [5] 行业发展趋势 - 国内SiC衬底产能增长迅速 市场呈现虚火过旺 并向低价内卷趋势发展 [6] - 电动汽车和光伏市场需要验证期 客户选择供应商时会考虑稳定性因素 [6] - 低价竞争可能导致产品良品率受影响 [6] 产业链动态 - 士兰微旗下士兰明镓已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片能力 [9] - 其Ⅱ代SiC-MOSFET芯片电动汽车主电机驱动模块已在4家车企累计出货5万只 [9] - 国内企业开始注重质量提升 8吋SiC mini line良品率明显高于6吋 [9] 产业链扩展 - 不仅衬底市场 整个SiC器件相关生态链产能都在持续提升 [7]
皇庭国际(000056) - 2025年5月12日投资者关系活动记录表
2025-05-12 17:52
业务经营情况 - 2024 年公司功率半导体业务通过子公司意发功率实现营业收入 7267.29 万元,总量交付率 94.82%,按时交付率 92.52%,SBD 测试良率 98.54%,FRD 测试良率 95.60% [1] - 2024 年皇庭国际全年实现营业收入 6.58 亿元,功率半导体业务收入 0.73 亿元,占比 11.05%;商业运营服务板块收入 3.55 亿元,综合毛利率 90.56%;物业管理服务业务收入 2.29 亿元,综合毛利率 32.78% [8] - 2024 年公司皇庭广场出租率维持 95%以上高位,日均客流 10 万+,周末日均 12 万,大型节假日日均客流超 15 万 [2] 财务状况 - 2024 年末归属于上市公司股东的净资产为 357,655,764.85 元,较 2023 年末下降 64.03%,主要因经营亏损,包括财务费用高企、投资性房地产减值以及资产减值准备等 [2] 债务与重组 - 债务重组合作和重大资产出售仍在商谈,与合作方、银行债权人未签署协议,结果和进度不确定 [2] - 国家政策有利于化解债务,公司将加速债务化解,依托资本市场解决债务问题 [2] 业务发展举措 功率半导体业务 - 2025 年加大在 GaN 等第三代化合物半导体芯片等领域投入,改善产品结构 [1] - 加大新产品研发,加强第三代半导体材料功率芯片及器件投入和市场开拓,调整产品结构 [4] - 寻找细分领域,避免“红海”竞争 [4] - 狠抓公司管理,提升产品良率、降低能耗,降低经营管理成本 [4] 商业管理业务 - 数据驱动精细化运营,运用数字化工具优化商户管理、客流分析及营销决策 [4][5] - 线上线下融合消费场景创新,通过线上平台构建会员服务体系,推出积分兑换等功能 [5] 战略目标 - 未来 3 - 5 年核心战略目标是成为能源电子领域具有核心竞争力的一流企业 [7] - 实施、深化“123”转型发展战略,打造以“高新科技 + 商业管理”双主业为核心的企业 [6][7] 其他事项 - 重庆皇庭广场 2023 年被以物抵债,公司与业绩承诺方对是否继续履行业绩承诺有分歧,已对相关年度业绩承诺事项提起诉讼 [3] - 公司看好功率半导体和商管行业发展前景 [6]
士兰微披露:八英寸SiC,将全面通线
半导体芯闻· 2025-04-08 18:33
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 来自 士兰微 ,谢谢。 2024 年,公司加快推进"士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线"项目的建设。截至目前, 士 兰 明 镓 已 形 成 月 产 9,000 片 6 吋 SiC MOS 芯 片 的 生 产 能 力 。 基 于 公 司 自 主 研 发 的 Ⅱ 代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在 4 家国内汽车厂家累计出货量 5 万只,客 户端反映良好,随着 6 吋 SiC 芯片生产线产能释放,已实现大批量生产和交付。目前,公司已完 成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发,性能指标接近沟槽栅 SiC 器件的水平。第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已送客户评测,基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。 同时,公司加快推进"士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线"项目的建设。截至 2024 年 底,士兰集宏 8 吋 SiC mini line 已实现通线,公司Ⅱ代 SiC 芯片已在 8 吋 mini line 上试流 片成功,其参数与公司 6 吋产品匹配,良品率明显高于 6 吋。士兰集宏主厂房及其他建筑 ...