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碳化硅衬底激光剥离技术
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大族半导体8/12英寸SiC衬底激光剥离实现3大新突破​
行家说三代半· 2025-04-25 17:54
氮化镓(GaN)产业调研白皮书 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓(GaN)产业调研白皮书》 [1] 碳化硅衬底行业现状 - 碳化硅衬底价格面临较大下降压力,行业亟需降本 [2] - 传统多线切割技术效率低、材料损耗大,难以满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求 [2] - 12英寸光波导碳化硅镜片制备难度较大 [2] 大族半导体激光剥离技术突破 - 实现低电阻率晶锭激光加工瓶颈突破,覆盖导电型衬底电阻率需求 [3] - 采用LaserMesh™界面技术控制剥离面形貌(粗糙度≤2μm,TTV<10μm),结合界面软化工艺,砂轮损耗降低40%以上 [3] - 全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产,推动大尺寸衬底迈向"低成本、高良率"时代 [3] 电动交通&数字能源SiC技术应用大会 - 会议将于5月15日在上海锦江汤臣洲际大酒店召开 [4][5] - 聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [9] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 [9] - 开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [9] - 大族半导体产品线总经理巫礼杰将分享《激光剥离技术在8/12 inch SiC衬底制备中最新技术成果》 [5] - 已邀请三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体等领军企业参会 [10] 行业动态 - 保时捷/博世推出功率达720kW的碳化硅嵌入式逆变器 [15] - 格力电器SiC装机量突破100万台 [15] - 特斯拉专家表示GaN车载应用已成趋势 [15]