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碳化硅(SiC)技术产业化
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三菱电机:面向电动交通和数字能源应用的SiC功率半导体解决方案
行家说三代半· 2025-05-13 18:00
大会概况 - 上海"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"将于5月15日召开,聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [2][3] - 大会设置"数字能源SiC技术应用研讨会"和"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题,并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [3] - 三菱电机作为总冠名商与技术引领者,将系统性展示其SiC技术战略与生态布局 [2] 三菱电机的SiC技术战略 - 双技术路线驱动性能跃迁:低压领域采用独创沟槽栅SiC MOSFET技术,第四代沟槽结构结合8英寸晶圆量产加速车规级芯片迭代;高压领域采用SBD嵌入式平面栅技术,突破3.3kV以上器件可靠性瓶颈 [2] - 全场景覆盖高增长市场:提供xEV(车规级J3-T-PM模块/HEXA系列)、eVTOL、轨道牵引(3.3kV全SiC模块)、新能源发电(98%效率UPS)等解决方案,实现"芯片-模块-系统"全链路技术闭环 [2] - 本土化战略提速产业赋能:针对中国新能源与工业市场专项供应SiC芯片及功率模块,通过供应链协同提升本土客户系统能效与可靠性 [3] 参会企业与展示内容 - 参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等20余家行业领军企业及机构 [1][3] - 三菱电机、中电国基南方、芯长征等企业将在现场展示最新产品与技术 [3] - 合盛新材料、季华恒一参与资料袋和资料派发赞助,为观众提供最新产品和技术信息 [3] 大会亮点 - 三菱电机半导体中国区技术总监宋高升将带来《面向电动交通和数字能源应用的SiC功率半导体解决方案》主题报告 [2] - 大会聚焦SiC技术在电动交通和数字能源领域的应用与供应链升级 [3] - 会议名额有限,采取先到先得报名方式 [4]
中电国基南方:SiC MOSFET技术应用现状与研究进展
行家说三代半· 2025-05-12 18:20
电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会 - 大会将于5月15日在上海召开 聚焦碳化硅(SiC)技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [1][2] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [2] - 中电国基南方应用主管倪朝辉将发表《SiC MOSFET技术应用现状与研究进展》主题报告 介绍SiC MOSFET应用领域 产品系列及应用案例 [1] 参会企业及机构 - 行业领军企业包括三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体 天科合达 元山电子 大族半导体 香港大学 长飞先进 宏微科技 利普思 昕感科技 国扬电子 国基南方 芯长征 合盛新材料 瀚天天成 芯研科 国瓷功能材料 季华恒一等 [1][2] 第三代半导体行业动态 - 长城汽车联手英诺赛科推进GaN技术创新 [4] - 3家SiC企业正在推进8英寸量产进程 [4] - 12英寸SiC布局加速 今年已有13家企业加快布局 [4]
元山电子:超低杂感SiC模块技术进展与挑战
行家说三代半· 2025-05-06 17:59
氮化镓产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等企业确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 元山电子碳化硅技术进展 - 元山电子应用工程总监李祥龙将在上海大会发表《碳化硅模块的技术进展与挑战》主题报告 聚焦电动交通与数字能源领域的前沿技术及产业化实践[2] - 公司研发优势包括:自主搭建多物理场协同设计平台 覆盖DOE快速工艺验证、测试数据库积累及快速原型优化 具备车规级碳化硅模组自主测试能力[3] - 济南一期碳化硅模块自动化产线已全面投产 覆盖750V-1700V电压等级及30Arms-1200Arms功率范围产品 二期项目加速建设中[3] - 碳化硅模块已应用于新能源汽车电驱、光伏逆变器、工业电源等领域 性能达国际先进水平[3] 行家说三代半上海大会 - 大会设置数字能源SiC技术应用研讨会与电动交通SiC技术应用研讨会两大主题 并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区[4] - 参会企业包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、威睿电动等产业链领军企业及机构[4] 行业动态 - 特斯拉专家呼吁丰富车规级GaN供应商[6] - 英诺赛科与美的厨热达成GaN战略合作[6]
大族半导体8/12英寸SiC衬底激光剥离实现3大新突破​
行家说三代半· 2025-04-25 17:54
氮化镓(GaN)产业调研白皮书 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓(GaN)产业调研白皮书》 [1] 碳化硅衬底行业现状 - 碳化硅衬底价格面临较大下降压力,行业亟需降本 [2] - 传统多线切割技术效率低、材料损耗大,难以满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求 [2] - 12英寸光波导碳化硅镜片制备难度较大 [2] 大族半导体激光剥离技术突破 - 实现低电阻率晶锭激光加工瓶颈突破,覆盖导电型衬底电阻率需求 [3] - 采用LaserMesh™界面技术控制剥离面形貌(粗糙度≤2μm,TTV<10μm),结合界面软化工艺,砂轮损耗降低40%以上 [3] - 全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产,推动大尺寸衬底迈向"低成本、高良率"时代 [3] 电动交通&数字能源SiC技术应用大会 - 会议将于5月15日在上海锦江汤臣洲际大酒店召开 [4][5] - 聚焦碳化硅技术产业化进程中的核心挑战与创新突破 [9] - 设置"数字能源SiC技术应用研讨会"与"电动交通SiC技术应用研讨会"两大主题 [9] - 开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区 [9] - 大族半导体产品线总经理巫礼杰将分享《激光剥离技术在8/12 inch SiC衬底制备中最新技术成果》 [5] - 已邀请三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体等领军企业参会 [10] 行业动态 - 保时捷/博世推出功率达720kW的碳化硅嵌入式逆变器 [15] - 格力电器SiC装机量突破100万台 [15] - 特斯拉专家表示GaN车载应用已成趋势 [15]