磷化铟技术突破 - 九峰山实验室成功开发6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺 关键性能指标达到国际领先水平 [1] - 这是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用 [1] - 6英寸磷化铟工艺突破有望推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70% [2] 磷化铟材料特性 - 磷化铟(InP)属于第二代III-V族化合物半导体 具有闪锌矿型结构 熔点为1070°C [1] - 磷化铟具有卓越的电子迁移率 出色的耐辐射性能以及宽大的禁带宽度 [2] - 相较于砷化镓半导体材料 磷化铟的击穿电场更高 热导率更优 电子迁移率更出色 [2] 磷化铟应用领域 - 广泛应用于射频器件 光模块 LED 激光器 探测器 传感器等器件 [2] - 在光通信系统中 InP成为生产光通讯中InP基激光二极管 发光二极管和光电探测器等核心器件的关键材料 [2] - 思科400G光模块采用磷化铟EML激光器 单模块每秒传输数据量达400Gbps [2] 磷化铟市场前景 - 磷化铟光电子市场规模2027年将达56亿美元 年复合增长率达14% [2] - InP单晶与III-V族三元合金和四元合金具有晶格匹配性 是光通讯关键材料 [2] 磷化铟相关企业 - 海特高新通过参股公司华芯科技提供磷化铟半导体材料并实现量产 [3] - 云南锗业控股子公司生产磷化铟单晶片 主要用于光通信用激光器和探测器 [3] - 三安光电从事磷化铟等半导体新材料的外延片 芯片研发与应用 [3] - 源杰科技产品涵盖2 5G到50G磷化铟激光器芯片 [3] - 凯德石英业务涉及提供磷化铟衬底产品 [3] - 跃岭股份通过参股公司中石光芯布局磷化铟基化合物半导体激光器光芯片 [3] - 博杰股份通过参股公司鼎泰芯源参与相关研发和生产 [3]