博世第三代碳化硅芯片技术 - 2026年4月，公司宣布研发出第三代碳化硅（SiC）芯片并开始交付样品 [1] - 与前代产品相比，第三代芯片性能提升20%，尺寸更小 [1] - 芯片采用公司专有的“博世工艺”蚀刻技术，该技术能高精度形成垂直结构，有助于芯片小型化和性能提升 [1] - 第三代芯片技术进一步提升了单片晶圆的芯片良率，从而提高了成本效益 [1] 博世碳化硅产品历史与市场表现 - 公司于2021年开始生产第一代碳化硅半导体 [1] - 截至文章发布，公司已在全球范围内出货超过6000万颗碳化硅芯片 [1] - 碳化硅半导体相比传统硅半导体具有更高的开关效率，能降低能量损耗，被认为是延长电动汽车续航里程的重要器件 [1] 博世产能扩张与投资 - 公司斥资数十亿欧元用于升级其位于德国和美国的生产设施 [1] - 在德国罗伊特林根的晶圆制造工厂，公司正使用200毫米晶圆开发和生产第三代碳化硅芯片 [2] - 2025年初，公司收购了位于美国罗斯维尔的第二家碳化硅半导体制造工厂 [2] - 公司追加投资19亿欧元用于为美国新工厂安装必要的生产设备 [2] 1 - 公司计划于2026年从新工厂交付首批碳化硅半导体产品 [2] - 公司计划在中期内将其碳化硅功率半导体产能扩大至数亿颗 [2]