行业动态 - 一场以“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级”为主题的行业大会将于5月15日在上海举办，届时三菱电机、Wolfspeed、三安半导体、天科合达等多家产业链重要企业将出席 [1] 公司技术发布 - 清纯半导体于4月21日正式推出了其第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，并发布了首款主驱芯片，型号为S3M008120BK [2] - 该首款芯片的常温导通电阻低至8mΩ，其技术平台已达到国际先进水平 [2] 技术性能亮点 - 通过专利技术和工艺完善，第三代技术平台实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ·cm²，较第一代的3.3 mΩ·cm²和第二代的2.4 mΩ·cm²有显著提升 [4] - 芯片额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V [6] - 在等效芯片面积下，与上一代技术相比，第三代产品的导通损耗降低了约20% [6] - 在动态性能方面，芯片寄生电容降低，开关速度提高，且体二极管反向恢复特性显著改善，峰值电流Irrm降低了近30%，软度与电压过冲也得到优化 [7] - 新产品继承了前代在可靠性方面的优势，通过了加严可靠性测试，更适合主驱等多芯片并联应用场景，能确保系统长期使用后的均流特性 [8] 行业地位与对标 - 清纯半导体本次推出的第三代MOSFET技术平台的核心参数及各类可靠性，已实现与国际主流厂商最领先产品的对标 [8]