三星LPDDR6内存技术进展 - 三星电子设备解决方案（DS）部门将于2023年下半年通过第六代"1c DRAM"工艺量产LPDDR6内存，并向高通等科技巨头供货 [1] - 1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点，晶体管密度更高、能效比更优，冷态良率达50%，热态良率达60%-70% [3] - LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模型训练、移动终端算力升级等需求 [3] 三星产能与技术布局 - 公司计划在韩国华城工厂建设新生产线以扩大1c DRAM产能，预计最早2023年底完成 [3][4] - 同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM，打破传统开发顺序以加速商业化进程 [4] - 在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案 [4] 行业竞争动态 - 中国长鑫存储（CXMT）已完成LPDDR5X内存开发，业内推测其最早2026年实现量产，促使三星加快LPDDR6研发 [3] - 高通下一代旗舰芯片"骁龙8 Elite Gen2"将首发支持LPDDR6内存，计划于2023年9月23日亮相 [3] 市场应用方向 - LPDDR6内存的带宽与能效成为AI终端设备的关键竞争力，三星计划通过供货高通渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场 [4]