三星新型晶体管技术突破 - 公司及其研究所成功开发出一种新型晶体管，能够在10纳米以下的制程节点上生产DRAM，解决了行动RAM扩展中的关键挑战 [2] - 技术重点在于实现小于10纳米的DRAM制程，突破了传统扩展方法已达物理极限的障碍，专注于0a和0b类DRAM，有望显著提升未来装置的容量和性能 [4] - 该技术名为“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”，能承受高达摄氏550度的高温，防止性能下降，其垂直信道晶体管的信道长度为100纳米，可与单片CoP DRAM架构集成 [4] 技术性能与市场影响 - 在测试中，该晶体管的排水电流几乎没有衰退，并且在老化测试中表现良好 [4] - 此项技术的推出将使公司在高密度内存市场中更具竞争力，并可能在2026年及以后的装置中首次亮相 [4] - 根据报导，这项技术仍处于研究阶段，未来将应用于小于10纳米的DRAM产品 [4]