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10纳米线宽NIL纳米压印技术
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日本成功开发1.4nm纳米“光刻机”
是说芯语· 2025-12-16 09:35
技术突破与产品发布 - 日本印刷株式会社成功开发出电路线宽为10纳米的纳米压印技术,该技术可用于相当于1.4纳米等级的逻辑半导体电路图形化 [1] - 该技术针对智能手机、数据中心、NAND Flash等应用场景中先进逻辑芯片的微型化需求 [1] - 公司计划于2027年开始量产该技术,并力争在2030财年将纳米压印相关业务的营收提升40亿日元(约1.8亿元人民币) [1] 技术优势与市场定位 - 纳米压印技术通过将电路图形直接压印到基板材料上,可在部分制程环节替代极紫外光刻技术,为制造商降低曝光能耗、优化成本结构提供新路径 [3] - 该技术为尚未导入极紫外光刻设备生产线的半导体制造商提供了先进逻辑工艺的另一个选项,有助于客户在制造成本和环境负荷之间取得平衡 [3] - 采用纳米压印的超精细半导体制程技术,可将曝光环节的能源消耗降至当前主流制程的大约1/10 [5] - 随着逻辑组件持续向更精细线宽演进,纳米压印制程在部分节点可能具备一定经济性优势 [3] 技术细节与工艺创新 - 公司在技术中导入自对准双重成像技术,对曝光形成的图形进行薄膜沉积和蚀刻,使图形密度翻倍,从而达成10纳米线宽 [5] - 本次研发结合了公司在光罩制造领域长期积累的高精度图形化能力以及晶圆制造制程技术,以提升产品精度、稳定性与可量产性 [5] 产业化与市场推广计划 - 公司已启动客户评估工作,计划在完成客户验证、建立量产工艺和供应体系后,于2027年开启量产供货 [5] - 公司将持续推动纳米压印技术升级和产能扩充,以匹配未来市场放量节奏,并将该业务培育为半导体板块的重要增长点 [5] - 公司计划在2025年12月于SEMICON Japan 2025展会上展出该10纳米线宽纳米压印技术,以加深与全球半导体制造企业及设备厂商的交流 [6] - 市场将持续关注该技术在量产良率、生产节拍以及与既有制程技术整合方面的表现 [6]