图源官方 如果要问你谁是AI时代最被寄予厚望的新终端，估计多数人的答案都会是AI/AR眼镜。近两年，随着技 术的成熟，加上成本的下降和应用的拓展，AR眼镜成为市场的新宠儿，引来众多巨头以及创业者加 入。 根据市场研究机构CINNO Research最新发布的报告数据显示，2025年上半年，中国消费级AI/AR眼镜市 场销量达26.2万台，同比增长73%，创历史新高。该机构预测，2025年中国AI/AR眼镜出货量将达90万 台，同比暴涨133%，行业三年内有望突破千亿规模。 值得一提的是，当下AI/AR眼镜由于技术路线的不同，所面对的应用场景和消费则也有所差异。比如 Meta那种，是偏向于拍摄和AI功能的眼镜，距离真正的AR眼镜还差了显示。而AR眼镜主流的路线也有 两种，一种是BB方案，需要与手机、PC等外部设备连接，或者配备专门的主机，更适合观影或者办 公。另一种则是光波导路径，透光率更高，一体化机身可单独使用。 按照现有的AR眼镜发展路径来说，光波导AR眼镜会是未来的成熟形态，具备轻便性、一体性等优点。 洛图科技指出，随着光波导技术的进步与量产，高端AR眼镜市场将逐步被更轻薄、更类眼镜形态的光 波导方案所取 ...

技术应用 - 全自动纳米压印技术运用快速精密对位、非接触精确测厚、精密缺陷检测、光透传感、位移及角度补偿等自动控制相关技术 [1] - 技术结合纳米压印的纳米模压技术与固化技术 [1] - 将纳米压印行业内的单机手工作业方式改变为全工序自动化方式 [1] 应用领域 - 自动化系统可应用于半导体、OLED显示屏、纳米电子、光电子、数据存储介质、生物科技、纳米流道等领域的精密微加工 [1]

技术突破 - 公司自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备通过验收并交付国内特色工艺客户 [1] - 设备攻克步进硬板的非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等核心技术难题 [1] - 设备支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺 超越佳能同类产品FPA-1200NZ2C的14nm线宽水平 [1] - 配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块 [1] 成本优势 - 纳米压印技术相比传统EUV光刻技术可降低60%设备投资成本 [1] - 耗电量控制在EUV技术的10% [1] 应用领域 - 技术特别适合存储芯片制造领域的重复性图形结构 [1] - 设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证 [1] 行业意义 - 打破国外厂商在高端半导体装备制造领域的技术垄断 [1] - 佳能同类产品此前对中国禁运 此次突破打破技术封锁 [2] - 为国内半导体产业链自主可控提供关键装备支撑 [2] - 在存储芯片等特定领域展现替代潜力 助力国内厂商提升市场竞争力 [2]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1] - 上世纪八九十年代佳能和尼康曾占据全球光刻机市场大半份额，ASML当时处于技术追赶阶段[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在157nm浸没式和EUV技术跨越中落后，ASML通过整合全球资源实现超越[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 佳能押注纳米压印技术(NIL)，2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14nm线宽，有望推进至10nm[5] - 通过收购Molecular Imprints和与铠侠合作加速技术研发，2024年向美国TIE研究所交付设备[8][9][10] - 相比EUV光刻机，纳米压印设备价格低一个数量级，能耗仅为EUV的10%，设备投资成本降低至40%[14] - 该技术已应用于5nm芯片制造，打破EUV垄断，并在3D NAND闪存领域展现竞争力[12][15] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的新型ArFi光刻机，采用创新镜头和工件台设计[23] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格比竞品便宜20-30%[24][25] - 2025年推出首款面向先进封装的无掩模光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[27][28] 新兴光刻技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7nm，设备成本为EUV的1/3[34] - 欧洲Lace Lithography的原子光刻技术分辨率达2nm，成本降低50%以上，能耗仅为EUV的1/10[35] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术(DSA)，可减少30%EUV曝光次数，单晶圆成本降低20%[36] 行业竞争态势 - 佳能通过纳米压印技术开辟新路径，聚焦3D NAND等细分市场[12] - 尼康在浸没式ArF和先进封装领域寻求突破，逐步构建技术竞争力[26][32] - 多家企业探索替代EUV方案，未来光刻领域可能从垄断走向多技术并存[36][39]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1][3] - 上世纪八九十年代佳能与尼康曾主导全球光刻机市场，占据大半份额[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在浸没式光刻和EUV技术迭代中落后，ASML实现反超[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14纳米线宽，有望推进至10纳米，支持5纳米制程[7][16] - 技术原理采用"盖印章"式压印，一次成型复杂电路，避开光学衍射限制[15] - 成本优势显著：设备价格比EUV低一个数量级，能耗仅为EUV的10%[15] - 重点布局3D NAND闪存等细分市场，与铠侠合作推进量产应用[13] - 已向美国TIE研究所交付设备，客户包括英特尔、三星等巨头[11] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的浸没式ArFi光刻机，争夺市场份额[25][26] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格低20-30%[27] - 2025年推出首款FOPLP工艺光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[29][30] - 采用无掩模技术实现1.0μm分辨率，瞄准先进封装市场[30][34] 其他颠覆性技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7纳米，成本为EUV的1/3[36] - 欧洲Lace Lithography原子光刻技术达2纳米分辨率，能耗仅EUV的1/10[37] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术，可减少30%EUV曝光次数[38] 行业未来发展趋势 - 光刻技术路线呈现多元化趋势，可能从单一垄断转向多技术并存[38][41] - 佳能尼康通过构建产业生态联盟增强竞争力，包括芯片制造商和材料供应商合作[39] - 新兴市场和细分领域（如先进封装）成为竞争焦点[34][39]