Rapidus项目进展 - 日本半导体制造商Rapidus首次公开2纳米制程芯片试作样品，目标2027年量产 [1] - Rapidus在北海道千岁地区建设的IIM-1晶圆厂仅用8个月完成框架、洁净室和基础设备 [2] - 2024年12月引进ASML的EUV光刻机，为日本半导体行业首台、全球第五台量产设备 [2] - 2025年4月启动中试线，7月中旬成功完成第一片基于GAAFET晶圆的电特性测试 [2] 技术突破与速度 - Rapidus完成晶圆厂建设速度比通常两年时间快三倍多 [3] - 从引入EUV到中试线仅用100天，生产测试晶圆同样仅用100天 [3] - EUV光刻工艺稳定时间缩短至台积电或三星电子通常所需时间的1/3到1/4 [3] - 采用单晶圆工艺，不同于台积电或三星电子的批量生产方式 [4] 质疑与挑战 - 专家质疑Rapidus采用"蛙跳法"跳过18纳米至2纳米之间的所有中间技术 [6] - 缺乏成熟工艺经验积累，难以掌握批量生产中的良率管理诀窍 [6] - 未披露详细电气特性数据和曝光工艺质量水平数据 [7] - 专利搜索显示大部分仅主张2纳米工艺集成度权利，缺乏具体工艺参数描述 [8] 生产策略与规模 - 晶圆厂月产能不足1万片，规模与研发型产线相近 [5] - 单晶圆生产方式可能导致与批量生产数据存在质的差异 [4] - 生产策略更接近手工制造超级跑车，而非大规模量产 [4][8] - 客户生态系统尚未充分形成，商业可持续性存疑 [8]