公司回应与诉讼背景 - 英特尔公司于11月27日早间发布声明，回应台积电提起的诉讼 [1] - 英特尔强调公司有严格政策与管控措施，严禁使用或转移任何第三方的保密信息或知识产权 [1] - 台积电在两天前（约11月25日）正式向法院提起诉讼 [1] 诉讼核心指控 - 台积电指控其前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务 [1] - 罗唯仁涉嫌将包括2nm在内的先进制程机密泄露给英特尔公司 [1]

诉讼与回应 - 台积电向法院提起诉讼，指控前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务，涉嫌将2nm等先进制程机密泄露给英特尔[1] - 台积电法务部门调查显示，罗唯仁于2024年3月离开管理研发的部门后仍多次要求研发团队提供先进制程资料，并在离职面谈时隐瞒将入职英特尔的事实[1] - 英特尔回应称相关指控是“毫无根据的谣言”，并强调公司有严格政策禁止使用第三方知识产权[2] 技术路线与差异 - 英特尔18A制程采用RibbonFET晶体管与背面供电技术，声称与台积电2nm工艺路线存在本质差异[2] - 英特尔是高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的早期采用者，而台积电目前尚未布局该技术[2] - 英特尔宣布其18A工艺已在美国亚利桑那州工厂启动大规模量产，晶体管密度较上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%[2] 行业背景与竞争格局 - 2025年第二季度全球纯晶圆代工行业营收同比增长33%，核心驱动力是先进工艺在AI GPU领域的应用[3] - 若英特尔无法在未来1-2年内将18A制程良率提升至商业化水平，其技术先发优势可能被台积电、三星的成熟产能吞噬[3] - 英特尔招揽罗唯仁的核心原因被认为是希望借助其行业经验加速技术落地，与时间赛跑[3] 关键人物背景 - 罗唯仁拥有美国加州大学伯克利分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔担任CTM厂长，于2004年7月加入台积电[3] - 罗唯仁在台积电工作期间主导EUV光刻技术导入，并于2025年7月27日退休，较公司限定67岁退休年龄延退8年[1][3]