AONK40202 MOSFET

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高功率DC-DC应用设计新方案:DFN3.3x3.3源极朝下封装技术
半导体芯闻· 2025-06-18 18:09
产品创新 - 推出采用DFN3 3x3 3源极朝下封装技术的AONK40202 25V MOSFET 专为高功率密度DC-DC应用设计 满足AI服务器和数据中心电源系统需求 [2] - 创新源极朝下封装技术使源极与PCB有较大接触面积 优化散热与电气性能 栅极中置布局简化PCB走线设计 减少栅极驱动器连接 提升能效与系统可靠性 [2] - AONK40202采用带夹片的DFN3 3x3 3源极朝下封装技术 提供高达319A持续电流 最高结温达175°C 显著提升系统级性能 优化散热表现 实现更高功率密度和能效水平 [2] 技术优势 - 相比传统漏极朝下封装方案 DFN3 3x3 3源极朝下封装技术在降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色 [3] - 凭借更低导通电阻(R DS(on))和增强散热性能 为工程师提供优化PCB空间利用率的关键技术优势 [3] - 创新特性为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案 [3] 公司概况 - 专注于设计 开发生产与全球销售一体的功率半导体公司 产品包括Power MOSFET SiC IGBT IPM TVS 高压驱动器 功率IC和数字电源产品等 [4] - 积累了丰富的知识产权和技术经验 涵盖功率半导体行业最新进展 能够推出创新产品满足先进电子设备日益复杂的电源需求 [4] - 差异化优势在于通过先进分立器件和IC半导体工艺制程 产品设计及先进封装技术相结合 开发高性能电源管理解决方案 [4] - 产品组合面向高需求应用领域 包括便携式计算机 显卡 数据中心 AI服务器 智能手机 消费类和工业类电机控制 电视 照明设备 汽车电子及各类设备电源供应 [4]