内存技术演进 - 随着AI普及，闪存通过提升位密度、可靠性、性能和能效支持AI发展，内存容量从1991年4M位增至第八代BiCS FLASH的2T位，增长50万倍 [1] - SLC、MLC、TLC和QLC等新技术应运而生，其中许多由铠侠创造，公司将继续引领行业技术创新 [1] - NAND闪存成本竞争力取决于芯片比特装载量，提升比特密度方法包括增加层数、平面缩小芯片面积、引入新架构及逻辑提高比特密度（如QLC） [1] 位密度提升策略 - 通过增加层数结合平面缩小（如OPS技术）实现位密度最大化，OPS技术降低字线层面积开销，第八代BiCS FLASH采用该技术 [3] - 引入CBA（CMOS直接键合阵列）新架构，分别处理CMOS和单元阵列后粘合，降低布线开销，第八代产品实现领先的接口速度和功率效率 [3][4][11] - 早期引入QLC技术，通过逻辑微缩（多值化）降低成本，公司从第四代BiCS FLASH开始生产QLC，并针对不同市场规格优化 [6] 新技术开发与布局 - 2024年12月发布HCF（水平通道闪存）技术，通过水平排列通道提高存储密度，预计2030年代中期可能过渡至该技术 [6] - 开发OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），瞄准低功耗AI和后5G系统存储器，填补DRAM与NAND间延迟差距的X-FLASH也在研发中 [11] - CXL-XL内存采用CXL接口技术，支持CPU间内存共享，计划2026年下半年出样，解决DRAM扩展在成本与功耗上的挑战 [13] 未来产品战略 - 双轨发展：传统产品通过增加层数实现大容量高性能，同时利用CBA技术结合现有单元与最新CMOS技术降低投资成本 [7] - 第十代及后续产品聚焦高位密度大容量，满足企业级和数据中心SSD需求；第九代产品结合CBA技术满足AI边缘应用性能需求 [7] - 开发超大容量QLC，目标在TCO上与近线HDD竞争，目前QLC SSD已用于数据中心 [13] 竞争优势与市场反馈 - 第八代BiCS FLASH凭借CBA技术领先竞争对手两代，客户对其性能、功耗和可靠性反馈积极 [11] - 公司强调技术组合优势（如CBA、OPS、QLC）将增强SSD产品竞争力，并扩展至DRAM、存储级内存等新领域 [11][13]