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铠侠分享闪存技术路线图
半导体芯闻· 2025-06-06 18:20
内存技术演进 - 随着AI普及,闪存通过提升位密度、可靠性、性能和能效支持AI发展,内存容量从1991年4M位增至第八代BiCS FLASH的2T位,增长50万倍 [1] - SLC、MLC、TLC和QLC等新技术应运而生,其中许多由铠侠创造,公司将继续引领行业技术创新 [1] - NAND闪存成本竞争力取决于芯片比特装载量,提升比特密度方法包括增加层数、平面缩小芯片面积、引入新架构及逻辑提高比特密度(如QLC) [1] 位密度提升策略 - 通过增加层数结合平面缩小(如OPS技术)实现位密度最大化,OPS技术降低字线层面积开销,第八代BiCS FLASH采用该技术 [3] - 引入CBA(CMOS直接键合阵列)新架构,分别处理CMOS和单元阵列后粘合,降低布线开销,第八代产品实现领先的接口速度和功率效率 [3][4][11] - 早期引入QLC技术,通过逻辑微缩(多值化)降低成本,公司从第四代BiCS FLASH开始生产QLC,并针对不同市场规格优化 [6] 新技术开发与布局 - 2024年12月发布HCF(水平通道闪存)技术,通过水平排列通道提高存储密度,预计2030年代中期可能过渡至该技术 [6] - 开发OCTRAM(氧化物半导体通道晶体管DRAM),瞄准低功耗AI和后5G系统存储器,填补DRAM与NAND间延迟差距的X-FLASH也在研发中 [11] - CXL-XL内存采用CXL接口技术,支持CPU间内存共享,计划2026年下半年出样,解决DRAM扩展在成本与功耗上的挑战 [13] 未来产品战略 - 双轨发展:传统产品通过增加层数实现大容量高性能,同时利用CBA技术结合现有单元与最新CMOS技术降低投资成本 [7] - 第十代及后续产品聚焦高位密度大容量,满足企业级和数据中心SSD需求;第九代产品结合CBA技术满足AI边缘应用性能需求 [7] - 开发超大容量QLC,目标在TCO上与近线HDD竞争,目前QLC SSD已用于数据中心 [13] 竞争优势与市场反馈 - 第八代BiCS FLASH凭借CBA技术领先竞争对手两代,客户对其性能、功耗和可靠性反馈积极 [11] - 公司强调技术组合优势(如CBA、OPS、QLC)将增强SSD产品竞争力,并扩展至DRAM、存储级内存等新领域 [11][13]
研报 | 2025年第一季前五大NAND Flash品牌厂营收合计120.2亿美元
TrendForce集邦· 2025-05-29 14:28
NAND Flash市场2025年第一季度表现 - 2025年第一季度NAND Flash行业面临库存压力和终端需求下滑,平均销售价格(ASP)季减15%,出货量减少7%,前五大品牌厂营收合计120.2亿美元,季减近24% [1] - 预计第二季度随着库存降至健康水位和价格触底反弹,加上国际形势变化促使厂商拉货,品牌厂营收有望季增10% [1] 主要供应商营收排名与表现 - 三星(Samsung)保持第一名,营收42亿美元(季减25%),市场份额31.9%,受Enterprise SSD需求降低影响,但3月NAND Flash wafer价格反弹将改善获利 [2][4] - SK集团(含SK hynix和Solidigm)排名第二,营收21.866亿美元(季减35.5%),市场份额16.6%,面临淡季效应和大容量产品库存去化挑战 [2][5] - 美光(Micron)首次升至第三名,营收20.25亿美元(季减11%),市场份额15.4%,受益于出货位元增加 [2][6] - 铠侠(Kioxia)退居第四名,营收19.16亿美元(季减27.9%),市场份额14.6%,受淡季需求较弱影响 [2][7] - 闪迪(SanDisk)排名第五,营收16.95亿美元,市场份额12.9%,计划提升QLC产品出货以优化获利 [2][8] 行业趋势与展望 - 前五大供应商合计市场份额达91.3%,较上季度84.3%有所提升 [2] - 三星随着NVIDIA新品出货放量,营收有望逐季回升 [4] - 闪迪计划将优化获利用于未来制程升级的资本投资,以强化长期竞争力 [8]