合作背景与核心内容 - STMicroelectronics与Innoscience签署GaN技术开发与制造协议 旨在结合双方优势提升GaN功率解决方案及供应链韧性 [1] - 合作涵盖GaN功率技术联合开发 重点应用于消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域 [2] - 协议允许Innoscience使用ST在中国以外的前端制造产能 同时ST可借助Innoscience在中国的产能 实现供应链灵活布局 [2][7] 技术合作细节 - 双方将加速GaN功率技术路线图 补充ST现有硅基和碳化硅产品线 [3] - Innoscience已量产8英寸GaN技术 累计出货超10亿颗GaN器件 合作将推动下一代GaN技术研发 [3] - GaN器件凭借材料特性可实现功率转换、运动控制等领域性能突破 损耗显著降低50%以上 助力系统小型化及减重 [4] 市场应用前景 - GaN技术正快速渗透消费电子、数据中心电源、工业电源及光伏逆变器领域 [4] - 下一代电动汽车电驱系统积极采用GaN器件 因其可大幅缩减体积和重量 [4] - 合作将推动GaN在AI数据中心、可再生能源存储、汽车电子等场景的规模化应用 [7] 公司技术实力 - ST拥有5万名员工及先进制造设施 服务超20万客户 计划2027年实现100%可再生能源供电 [5] - Innoscience掌握15V-1200V全电压GaN工艺节点 拥有800项专利 产品覆盖消费电子、汽车电子及工业电源市场 [8]